Nouvelles du 21 août dernier, la technologie de mémoire flash NAND a fait une autre avancée majeure, ouvrant un nouveau chapitre dans le domaine du stockage. Selon des sources industrielles, les principaux fabricants mondiaux de stockage sont en compétition pour lancer des produits de mémoire flash de très haut niveau, déclenchant de nouvelles attentes de l'industrie en matière de densité et de performances de stockage.
SK Hynix a récemment annoncé le lancement d'une impressionnante mémoire flash de plus de 300 couches, marquant une énorme avancée dans la technologie de mémoire flash NAND en termes d'empilement de couches. Cette mémoire flash comporte un nombre étonnant de 321 couches, utilise la technologie TLC et la capacité d'un seul Die peut atteindre 1 To (128 Go). Cependant, ce produit ne sera pas produit en série avant 2025.
Samsung n'est pas en reste Selon les médias coréens, ils prévoient de lancer leurs propres produits de mémoire flash de plus de 300 couches en 2024, s'efforçant d'avoir une longueur d'avance. Bien que les détails de la mémoire flash de Samsung n’aient pas encore été rendus publics, ce qui est certain, c’est que le produit utilise toujours la technologie dual-stack et a apporté une série d’innovations dans les détails.
Il convient de mentionner qu'en plus de l'augmentation du nombre de couches, la capacité de la mémoire flash établit également constamment de nouveaux records. Samsung a récemment annoncé un SSD de classe entreprise jusqu'à 256 To, utilisant la technologie QLC pour répondre à la demande du marché des entreprises en matière de stockage de grande capacité. En outre, ils développent également activement des SSD de niveau PB, et on s'attend à ce que des capacités de stockage de plus de 1 000 To deviennent une réalité dans un avenir proche.
L'éditeur comprend que l'innovation continue de la technologie de mémoire flash NAND aura un impact significatif dans le domaine du stockage et du traitement des données. Avec les progrès de la technologie, la capacité des périphériques de stockage augmentera et la vitesse sera plus rapide, offrant une prise en charge plus puissante pour divers scénarios d'application
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