Maison Périphériques technologiques Industrie informatique La tête de charge rapide devrait être au « prix du chou », la nouvelle technologie d'une société japonaise réduira de 90 % le coût des matériaux semi-conducteurs au nitrure de gallium

La tête de charge rapide devrait être au « prix du chou », la nouvelle technologie d'une société japonaise réduira de 90 % le coût des matériaux semi-conducteurs au nitrure de gallium

Sep 09, 2023 pm 02:37 PM
gan nitrure de gallium Tête de charge rapide

Selon les informations de ce site du 5 septembre, Shin-Etsu Chemical Industries, la plus grande entreprise japonaise de plaquettes de semi-conducteurs, et OKI Company, spécialisée dans les ATM et les équipements de communication, ont récemment annoncé que ils avaient développé une fabrication d'énergie à faible coût semi-conducteurs utilisant du nitrure de gallium (GaN) Technologie des matériaux .

Selon les rapports, cette technologie peut réduire les coûts de fabrication à moins d'un dixième des méthodes de fabrication traditionnelles. S’il peut être produit en série, cela contribuera à populariser des équipements tels que les chargeurs rapides.

Ce site a appris du communiqué de presse officiel que La nouvelle technologie développée par Shin-Etsu Chemical Industry et OKI peut pulvériser du gaz de la série gallium sur un substrat QST unique pour faire pousser des cristaux. La technologie des cristaux épaissis de Shin-Etsu Chemical Industry est combinée à la technologie de liaison d'OKI pour soulever uniquement le cristal du substrat. Le cristal est placé sur d'autres substrats et utilisé comme tranches pour les semi-conducteurs de puissance.

快充头有望“白菜价”,日企新技术将氮化镓半导体材料成本降 90%
▲ Source de l'image OKI

Shin-Etsu Chemical Industry a déclaré que la méthode de culture de cristaux de GaN sur des substrats de GaN prend non seulement du temps à fabriquer, mais présente également un faible rendement et des coûts élevés. La nouvelle méthode de fabrication peut fabriquer efficacement des cristaux et réduire les coûts de 90 %. Par rapport à la méthode de croissance de cristaux de GaN sur un substrat de silicium, il n’est pas nécessaire de placer une couche isolante entre le substrat et le cristal. Couplé à l'épaississement du film cristallin, 20 fois le courant peut être transmis.

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Shin-Etsu Chemical Industry a révélé que cette technologie permet de fabriquer des tranches de 6 pouces et espère l'augmenter à 8 pouces en 2025. À l'avenir, elle envisagera également des modèles commerciaux tels que la vente de technologie aux semi-conducteurs. fabricants.

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199 yuans ! Lancement de l'ensemble de chargeurs Little Pudding en nitrure de gallium Xiaomi 120 W : prend en charge la charge rapide UFCS Fusion 199 yuans ! Lancement de l'ensemble de chargeurs Little Pudding en nitrure de gallium Xiaomi 120 W : prend en charge la charge rapide UFCS Fusion Apr 07, 2024 am 11:46 AM

Selon les informations du 7 avril, Xiaomi a récemment lancé un petit chargeur de pudding en nitrure de gallium de 120 W avec un prix initial de 199 yuans. L'ensemble comprend un double câble de données de charge rapide USB-C6A de 1,5 mètre. En termes de conception d'identification, le chargeur adopte une forme ronde avec une taille de 34*34*53 mm et une interface USB-C sur le dessus. Par rapport au chargeur ordinaire en nitrure de gallium de 120 W de Xiaomi, la taille est 42 % plus petite, ce qui le rend. plus pratique à transporter. En termes de compatibilité, en plus d'être compatible avec PS3.0/2.0 et QC3.0/2.0, il prend également en charge le protocole de charge rapide intégré UFCS1.0, qui peut fournir une charge rapide haute puissance pour d'autres téléphones mobiles non Xiaomi et résoudre le problème de l'incompatibilité entre la charge rapide mutuelle. Il est rapporté que le chargeur peut identifier intelligemment le courant de sortie et charger des écouteurs, des tablettes, des montres, des ordinateurs portables et d'autres appareils.

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Selon les informations de ce site Web du 5 juillet, GlobalFoundries a publié un communiqué de presse le 1er juillet de cette année, annonçant l'acquisition de la technologie de nitrure de gallium (GaN) et du portefeuille de propriété intellectuelle de Tagore Technology, dans l'espoir d'élargir sa part de marché dans l'automobile et Internet. des objets et des domaines d'application des centres de données d'intelligence artificielle pour explorer une efficacité plus élevée et de meilleures performances. Alors que des technologies telles que l’intelligence artificielle générative (GenerativeAI) continuent de se développer dans le monde numérique, le nitrure de gallium (GaN) est devenu une solution clé pour une gestion durable et efficace de l’énergie, notamment dans les centres de données. Ce site Web citait l'annonce officielle selon laquelle, lors de cette acquisition, l'équipe d'ingénierie de Tagore Technology rejoindrait GF pour développer davantage la technologie du nitrure de gallium. g

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Selon des informations publiées sur ce site le 5 septembre, Shin-Etsu Chemical Industries, la plus grande entreprise japonaise de plaquettes de semi-conducteurs, et OKI Company, spécialisée dans les équipements ATM et de communication, ont récemment annoncé avoir développé une méthode de fabrication à faible coût pour les semi-conducteurs de puissance. matériaux utilisant la technologie du nitrure de gallium (GaN). Selon les rapports, cette technologie peut réduire les coûts de fabrication à moins d'un dixième des méthodes de fabrication traditionnelles. S’il peut être produit en série, cela contribuera à populariser des équipements tels que les chargeurs rapides. Ce site a appris du communiqué de presse officiel que la nouvelle technologie développée par Shin-Etsu Chemical Industry et OKI peut pulvériser du gaz de la série gallium sur un substrat QST unique pour faire pousser des cristaux. La technologie d'épaississement des cristaux de Shin-Etsu Chemical Industry est combinée à la technologie de liaison d'OKI pour éliminer uniquement le cristal du substrat. Le cristal est placé sur d'autres substrats et utilisé comme tranches pour les semi-conducteurs de puissance. ▲Source de l'image OKI Shin-Etsu Chemical

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