La naissance d'une nouvelle génération de technologie mémoire : Samsung développe 32 Go de DRAM DDR5, doublant la capacité

Selon les informations du 1er septembre, Samsung Electronics a annoncé aujourd'hui avoir réalisé une percée majeure et développé avec succès une mémoire DDR5 de 32 Go basée sur une technologie de processus de 12 nanomètres (nm). Les modules de mémoire DRAM ont insufflé une nouvelle vitalité aux futurs domaines du traitement et du stockage des données. Cette technologie révolutionnaire devrait répondre à la demande croissante de mémoire DRAM haute capacité dans les applications d’intelligence artificielle et de Big Data.

Le lancement de ce nouveau module de mémoire DRAM DDR5 de 32 Go signifie non seulement une augmentation significative de la capacité, mais rend également l'utilisation de l'énergie plus efficace. Grâce aux particules de mémoire de 32 Go nouvellement développées, des modules de mémoire de 128 Go peuvent être produits même sans utiliser le processus Through Silicon via (TSV). Par rapport au précédent module de mémoire de 128 Go basé sur des particules de mémoire de 16 Go, la consommation électrique du nouveau produit est réduite d'environ 10 %. Cette avancée technologique a fait du nouveau module de mémoire la solution privilégiée pour les entreprises très soucieuses de l'efficacité énergétique, telles que les centres de données. Selon l'éditeur, SangJoon Hwang, vice-président exécutif du groupe de développement de mémoire de la division mémoire de Samsung Electronics, a déclaré que sur la base de 12 modules de mémoire DRAM DDR5 de 32 Go à l'échelle nanométrique, Samsung continuera d'élargir sa gamme de produits de mémoire de grande capacité pour répondre aux besoins croissants des secteurs de l'informatique haute performance et de l'informatique. Samsung utilisera cette technologie comme pierre angulaire pour fournir à ses clients des solutions de mémoire de 32 Go de classe 12 nm plus puissantes dans des domaines tels que les centres de données, l'intelligence artificielle et l'informatique de nouvelle génération, consolidant ainsi sa position de leader sur le futur marché de la mémoire.

Cette innovation 12 nm 32 Go DDR5 Les modules de mémoire DRAM devraient commencer la production en série d'ici la fin de cette année, apportant ainsi un plus grand potentiel et des opportunités de développement à l'industrie. Samsung Electronics continuera de travailler en étroite collaboration avec d'autres partenaires industriels clés pour promouvoir conjointement le développement de l'innovation technologique et fournir un soutien solide aux besoins de l'ère numérique.

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