Ce site rapportait le 12 octobre que TSMC accélère vers 2 nm. Selon MoneyDJ, l'usine TSMC de Baoshan, Hsinchu, devrait commencer à installer les équipements au deuxième trimestre 2024, et la production de masse devrait commencer au quatrième trimestre 2025, avec une production mensuelle initiale d'environ 30 000 plaquettes.
utilisera la technologie d'alimentation électrique arrière pour produire en masse le N2P (version améliorée de 2 nm). ) processus.
Ce site a précédemment rapporté que TSMC avait précédemment révélé des informations selon lesquelles en étendant la solution de rail d'alimentation arrière sur le processus N2 pour réduire l'atténuation infrarouge et améliorer les signaux, les performances peuvent être augmentées de 10 % à 12 % et la zone logique peut être réduite de 10. % à 15 %. TSMC prévoit de livrer des échantillons de rails d'alimentation arrière à ses clients au cours du second semestre 2025 et prévoit de démarrer la production de masse en 2026Le plan de semi-conducteurs précédemment annoncé par Samsung est de produire en masse 2 nm en 2025 et 1,4 nm en 2027 ; produire en masse des dispositifs 20A utilisant l'architecture de transistor RibbonFET de la technologie Gate All Around (GAA) au premier semestre 2024, et des produits 18A en 2025. Déclaration publicitaire : cet article contient des liens de saut externes (y compris, mais sans s'y limiter, des hyperliens, des codes QR, des mots de passe, etc.), qui sont conçus pour fournir plus d'informations et gagner du temps de vérification, mais les résultats sont uniquement à titre de référence. Veuillez noter que tous les articles de ce site contiennent cette déclarationCe qui précède est le contenu détaillé de. pour plus d'informations, suivez d'autres articles connexes sur le site Web de PHP en chinois!
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