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Micron ouvre son installation d'assemblage et de test de pointe en Malaisie, investissant 1 milliard de dollars
Micron ouvre son installation d'assemblage et de test de pointe en Malaisie, investissant 1 milliard de dollars
Micron Technology Co., Ltd. a annoncé une journée historique alors qu'elle célèbre son 45e anniversaire. Leur nouvelle usine d'assemblage et de test de pointe est située en Malaisie et a officiellement ouvert ses portes le 15 octobre, heure locale
Micron a déjà investi 1 milliard de dollars américains (note sur ce site : actuellement environ 7,31 milliards de yuans), et sera construite localement au cours des prochaines années, construire et équiper entièrement la nouvelle installation, augmentant ainsi la superficie de l'installation à 1,5 million de pieds carrés (environ 139 000 mètres carrés).
Micron a déclaré que cette expansion permet à Micron Malaisie d'augmenter sa production et de renforcer encore ses capacités d'assemblage et de test pour fournir des modules NAND, PCDRAM et SSD pour répondre aux besoins de l'intelligence artificielle, de la conduite autonome ou des véhicules électriques, etc. exigences d’une technologie en constante évolution.
Micron a également déclaré que son installation en Malaisie est la première du réseau mondial de Micron à être alimentée à 100 % par de l'électricité renouvelable. Les opérations de cette nouvelle installation soutiendront également les aspirations de Micron en matière de développement durable visant à atteindre zéro émission nette d’ici 2050 et zéro déchet dangereux dans les décharges d’ici 2030.
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Taux de transfert le plus élevé du secteur, soit 3,6 Go/s, Micron annonce la production en série d'une mémoire flash NAND TLC à 276 couches de neuvième génération
Jul 31, 2024 am 08:05 AM
Selon les informations de ce site du 30 juillet, Micron a annoncé aujourd'hui (heure locale) que sa neuvième génération (note du site : 276 couches) de mémoire flash 3DTLC NAND serait produite et expédiée en série. Micron a déclaré que son G9NAND a le taux de transfert d'E/S le plus élevé du secteur, soit 3,6 Go/s (c'est-à-dire un taux d'interface de mémoire flash de 3 600 MT/s), soit 50 % plus élevé que les produits concurrents existants de 2 400 MT/s, et peut mieux répondre aux exigences. besoins des charges de travail gourmandes en données. Exigences de débit élevé. Dans le même temps, le G9NAND de Micron est respectivement 99 % et 88 % supérieur aux autres solutions du marché en termes de bande passante d'écriture et de bande passante de lecture. Cet avantage au niveau des particules NAND apportera des performances et une efficacité énergétique aux disques SSD et au stockage intégré. solutions. De plus, comme les générations précédentes de mémoire flash Micron NAND, Micron 276
Mar 22, 2024 pm 08:16 PM
Ce site rapportait le 21 mars que Micron avait tenu une conférence téléphonique après la publication de son rapport financier trimestriel. Lors de la conférence, le PDG de Micron, Sanjay Mehrotra, a déclaré que par rapport à la mémoire traditionnelle, la HBM consomme beaucoup plus de plaquettes. Micron a déclaré qu'en produisant la même capacité sur le même nœud, la mémoire HBM3E la plus avancée actuelle consomme trois fois plus de tranches que la DDR5 standard, et on s'attend à ce qu'à mesure que les performances s'améliorent et que la complexité de l'emballage s'intensifie, à l'avenir HBM4, ce ratio augmentera encore. . Si l’on se réfère aux rapports précédents sur ce site, ce ratio élevé est en partie dû au faible taux de rendement de HBM. La mémoire HBM est empilée avec des connexions TSV de mémoire DRAM multicouche. Un problème avec une couche signifie que l'ensemble.
Analyste : La mémoire NVDRAM non volatile de Micron présente de nombreux points forts, mais il est peu probable qu'elle soit commercialisée
Jan 30, 2024 pm 06:30 PM
Selon les informations de ce site du 29 janvier, Micron a divulgué ses résultats de recherche et de développement 32Gb3DNVDRAM (DRAM non volatile) lors de la conférence IEEEIEDM fin 2023. Cependant, selon les informations obtenues par les médias étrangers Blocks&Files auprès de deux analystes du secteur interrogés, il est fondamentalement peu probable que cette nouvelle mémoire révolutionnaire soit commercialisée et produite en série, mais les progrès technologiques qu'elle démontre devraient apparaître dans les futurs produits de mémoire. La mémoire NVDRAM de Micron est basée sur le principe de la ferroélectricité (remarque sur ce site : elle a une polarisation spontanée et le sens de la polarisation peut être inversée sous un champ électrique externe). Elle peut atteindre des performances élevées proches de la DRAM tout en ayant une non-volatilité similaire à celle de la DRAM. Mémoire flash NAND durable et à faible latence. Ce nouveau type de mémoire utilise un empilement 3D double couche et a une capacité de 32 Go.
Partager des compétences pratiques en Word : 2 astuces pour résoudre facilement la disposition de plusieurs images !
Apr 01, 2023 am 10:57 AM
Le formatage multi-images est l'un des scénarios courants lors de l'édition de documents dans Word. Presque tout le monde le rencontrera, et cela reste un gros problème pour de nombreuses personnes. Lorsque le nombre d’images augmente, de nombreuses personnes ne savent pas comment placer les images. Comment créer rapidement et efficacement un groupe d’images ? Parce que je ne maîtrise pas les compétences de routine systématiques, chaque production prend beaucoup de temps et ne peut pas produire de résultats satisfaisants. Aujourd’hui je vais vous apprendre 2 astuces pour résoudre facilement le problème de mise en page multi-images !
Micron lance le disque SSD 2650 : équipé de la dernière mémoire flash 3D TLC NAND de neuvième génération, lecture et écriture séquentielles à 7/6 Go/s
Jul 31, 2024 am 11:02 AM
Selon les informations de ce site Web du 31 juillet, lorsque Micron a lancé sa mémoire flash NAND 3DTLC à 276 couches de neuvième génération, il a également lancé le disque SSD 2650 équipé de cette mémoire flash. Ce disque est destiné à une utilisation quotidienne sur PC et ordinateur portable et est un produit OEM grand public. Le Micron 2650 utilise une interface PCIe4.0×4, avec trois tailles disponibles : M.22230/2242/2280. La capacité couvre 256 Go, 512 Go et 1 To, qui sont toutes des conceptions simple face. Grâce à sa mémoire flash TLCNAND B68S à six plans à 276 couches et 3 600 MT/s, le Micron 2650 a montré d'excellents résultats au test de référence PCMark10 : son score moyen en cours d'exécution est jusqu'à 38 points supérieur à celui de plusieurs concurrents de grands fabricants d'origine qui sont également basé sur la mémoire flash TLC.
La mémoire de processus 1-gamma de Micron devrait être produite en série à Taiwan au premier semestre 2025
Sep 14, 2023 pm 08:29 PM
Selon un rapport de la « Central News Agency » de Taiwan du 4 septembre, Lu Donghui, président de Micron Taiwan, a déclaré que jusqu'à 65 % des produits DRAM de Micron sont produits à Taiwan. Parmi eux, les équipes taïwanaises et japonaises ont développé conjointement une nouvelle génération. du procédé 1-gamma sera produit en masse dans l'usine de Taichung au premier semestre 2025. Il s'agit de la première génération de Micron utilisant la technologie de procédé ultraviolet extrême (EUV). Il est rapporté que Micron ne possède actuellement qu'une usine de fabrication d'EUV à Taichung. Le procédé 1-gamma sera d'abord produit en masse dans l'usine de Taichung, et l'usine japonaise introduira également des équipements EUV à l'avenir. Lu Donghui a souligné que Taiwan et le Japon sont des centres de fabrication très importants pour Micron. Jusqu'à 65 % des produits de mémoire vive dynamique (DRAM) de Micron sont fabriqués à Taiwan après que l'usine japonaise a commencé la production en série de 1-b en octobre de l'année dernière ;
Lectures séquentielles jusqu'à 26 Go/s ! Micron lance le premier SSD de centre de données PCIe 6.0 écologique du secteur
Aug 06, 2024 pm 06:56 PM
Selon les informations de ce site le 6 août, Micron a annoncé à la 5ème heure locale à Santa Clara, en Californie, aux États-Unis, qu'elle avait développé avec succès le premier disque SSD de centre de données PCIe6.0 du secteur pour un support écologique. Le SSD a un taux de lecture séquentielle allant jusqu'à 26 Go/s. Les disques SSD pour centres de données PCIe5.0 de la série 9550 commercialisés par Micron le 23 juillet ont un taux de lecture séquentielle de 14 Go/s. Autrement dit, la nouvelle génération de produits Micron s’est améliorée de 85,7 % en lecture séquentielle. Comme l'un des signes du lancement de l'écosystème PCIe6.0, Micron présentera ses nouveaux produits de disques SSD pour centres de données PCIe6.0 lors du sommet FMS2024 qui se tiendra à Santa Clara du 6 au 8 août, heure locale. De plus, Raj Nala, vice-président principal de Micron
Micron : la mémoire intelligente LPCAMM2 sera lancée au premier semestre de cette année et les utilisateurs d'ordinateurs portables pourront effectuer eux-mêmes la mise à niveau
Jan 19, 2024 am 10:21 AM
Selon les informations de ce site du 19 janvier, la mémoire embarquée des ordinateurs portables a été critiquée par de nombreux utilisateurs. Il est en effet difficile d'utiliser de la mémoire remplaçable sur des ordinateurs portables fins et légers qui coûtent beaucoup d'espace. À cette fin, les principaux fabricants développent une sorte de mémoire LPCAMM, qui devrait combler les lacunes de la mémoire embarquée LPDDR et de la mémoire à emplacement traditionnelle So-DIMM. Micron a lancé le premier module de mémoire complémentaire compressé standard à faible consommation (LPCAMM2) au CES2024. Ce module utilise la mémoire LPDDR5X et a des capacités allant de 16 Go à 64 Go. Micron a déclaré que les modules de mémoire LPCAMM2 sont désormais en cours d'échantillonnage et que la production de masse est prévue pour le premier semestre 2024. Micron fournira également des produits de mémoire LPCAMM2 aux clients finaux pour permettre
