


Il est rapporté que Samsung NAND prévoit d'augmenter encore le prix, et celui-ci augmentera de 20 % trimestre par trimestre au cours des premier et deuxième trimestres de l'année prochaine.
Selon un rapport du Economic Daily de Taiwan, Samsung, en tant que géant des puces mémoire, prévoit d'augmenter l'augmentation du prix du NAND Flash. On s'attend à ce que l'augmentation des prix chaque trimestre augmente progressivement de 20 % au cours des deux premiers trimestres de l'année prochaine
Cette nouvelle a été révélée par plusieurs sources de l'industrie coréenne des semi-conducteurs. On dit qu'après que Samsung ait augmenté sa cotation NAND de 10 à 20 % ce trimestre, il a décidé d'augmenter sa cotation NAND de 20 % trimestre par trimestre au cours des premier et deuxième trimestres de l'année prochaine Cette décision est un effort de Samsung pour. stabiliser les prix NAND et atteindre l'année prochaine Une série d'actions qui ont renversé les objectifs du marché et d'autres au cours du premier semestre. Selon certaines informations, le vice-président exécutif de Samsung, Kim Jae-jun, a annoncé lors de la réunion de rapport financier du 31 octobre, heure locale, que les prochaines actions de réduction de la production de l'entreprise seraient plus importantes que la réduction actuelle de la production de DRAM. À l'heure actuelle, alors que Samsung augmente activement ses cotations, il contrôle également l'offre du marché en continuant à réduire sa production.
Ce site avait précédemment rapporté que, selon les données du rapport publié par TrendForce en septembre,
La demande du marché pour NAND Flash au deuxième trimestre était encore lente et la tendance à l'offre excédentaire s'est poursuivie, provoquant le prix de vente moyen (ASP) de NAND. Flash va continuer de baisser de 10% au deuxième trimestre ~15%. Depuis le deuxième trimestre de cette année, Samsung a rejoint les rangs des réductions de production et a étendu la réduction au troisième trimestre. Tandis que l'offre converge, les prix se préparent également et la situation d'offre excédentaire devrait en conséquence s'améliorer. Déclaration publicitaire : les liens de saut externes (y compris, mais sans s'y limiter, les hyperliens, les codes QR, les mots de passe, etc.) contenus dans l'article sont utilisés pour transmettre plus d'informations et gagner du temps de sélection. Les résultats sont à titre de référence uniquement. ce site contient cette déclaration.
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Selon les informations de ce site du 8 août, Samsung a présenté un certain nombre de nouveaux produits SSD lors du Flash Memory Summit (FMS) 2024 - PM1753, BM1743, PM9D3a, PM9E1, et a également testé les QLCV-NAND, TLCV-NAND et TLCV-NAND de neuvième génération. Les technologies CMM-D –DRAM, CMM-HTM, CMM-HPM et CMM-BCXL ont été introduites. Le BM1743 utilise une mémoire flash QLC d'une capacité allant jusqu'à 128 To, une vitesse de lecture continue de 7,5 Go/s, une vitesse d'écriture de 3,5 Go/s, une lecture aléatoire de 1,6 million d'IOPS et une écriture de 45 000 IOPS. Facteur de forme de 2,5 pouces et une interface U.2, et est inactif La consommation d'énergie est réduite à 4 W, et après les mises à jour OTA ultérieures, seulement

Selon les informations de ce site du 30 juillet, Micron a annoncé aujourd'hui (heure locale) que sa neuvième génération (note du site : 276 couches) de mémoire flash 3DTLC NAND serait produite et expédiée en série. Micron a déclaré que son G9NAND a le taux de transfert d'E/S le plus élevé du secteur, soit 3,6 Go/s (c'est-à-dire un taux d'interface de mémoire flash de 3 600 MT/s), soit 50 % plus élevé que les produits concurrents existants de 2 400 MT/s, et peut mieux répondre aux exigences. besoins des charges de travail gourmandes en données. Exigences de débit élevé. Dans le même temps, le G9NAND de Micron est respectivement 99 % et 88 % supérieur aux autres solutions du marché en termes de bande passante d'écriture et de bande passante de lecture. Cet avantage au niveau des particules NAND apportera des performances et une efficacité énergétique aux disques SSD et au stockage intégré. solutions. De plus, comme les générations précédentes de mémoire flash Micron NAND, Micron 276

Selon les informations du 17 août, la source @ibinguniverse a publié aujourd'hui sur Weibo, déclarant que la taille exacte de l'Apple iPhone 16 Pro Max est de 6,88 pouces et que la taille exacte du Galaxy S25 Ultra est de 6,86 pouces. . Des sources indiquent que le Samsung Galaxy S25 Ultra a un corps plus étroit et un écran plus large que le S24 Ultra, avec un rapport écran/corps horizontal de 94,1 %, tandis que le rapport écran/corps horizontal du S24 Ultra est de 91,5 %. Fenye a vérifié le Weibo de la source. Il a également commenté les photos récemment exposées de l'iPhone 16 Pro Max et a estimé qu'il était erroné d'être proche d'une micro-courbe. Le téléphone est en fait un écran droit + un verre 2,5D.

Selon des informations de ce site du 16 août, le Seoul Economic Daily a rapporté hier (15 août) que Samsung installerait sa première machine de lithographie High-NAEUV d'ASML entre le quatrième trimestre 2024 et le premier trimestre 2025. Elle devrait être mis en service à la mi-2025. Les rapports indiquent que Samsung installera la première machine de lithographie ASMLTwinscanEXE:5000High-NA sur son campus de Hwaseong, qui sera principalement utilisée à des fins de recherche et développement pour développer des technologies de fabrication de nouvelle génération pour la logique et la DRAM. Samsung prévoit de développer un écosystème solide autour de la technologie High-NAEUV : en plus d'acquérir des équipements de lithographie à High-NAEUV, Samsung coopère également avec la société japonaise Lasertec pour développer des équipements de lithographie à High-NAEUV spécifiquement destinés aux équipements de lithographie à High-NAEUV.

Selon les informations du 23 août, Samsung est sur le point de lancer un nouveau téléphone mobile pliable W25, qui devrait être dévoilé fin septembre. Il apportera des améliorations correspondantes à la caméra frontale sous l'écran et à l'épaisseur du corps. Selon certaines informations, le Samsung W25, nom de code Q6A, sera équipé d'un appareil photo sous-écran de 5 mégapixels, ce qui constitue une amélioration par rapport à l'appareil photo de 4 mégapixels de la série Galaxy Z Fold. De plus, la caméra frontale à écran externe et la caméra ultra grand angle du W25 devraient respectivement mesurer 10 millions et 12 millions de pixels. En termes de conception, le W25 a une épaisseur d'environ 10 mm à l'état plié, soit environ 2 mm de moins que le Galaxy Z Fold 6 standard. En termes d'écran, le W25 dispose d'un écran externe de 6,5 pouces et d'un écran interne de 8 pouces, tandis que le Galaxy Z Fold6 dispose d'un écran externe de 6,3 pouces et d'un écran interne de 8 pouces.

La série Xiaomi Mi 15 devrait être officiellement lancée en octobre, et les noms de code de sa série complète ont été exposés dans la base de code MiCode des médias étrangers. Parmi eux, le produit phare Xiaomi Mi 15 Ultra porte le nom de code « Xuanyuan » (qui signifie « Xuanyuan »). Ce nom vient de l'Empereur Jaune dans la mythologie chinoise, qui symbolise la noblesse. Le Xiaomi 15 porte le nom de code « Dada », tandis que le Xiaomi 15Pro s'appelle « Haotian » (qui signifie « Haotian »). Le nom de code interne du Xiaomi Mi 15S Pro est « dijun », qui fait allusion à l'empereur Jun, le dieu créateur du « Classique des montagnes et des mers ». Couvertures de la série Xiaomi 15Ultra

Selon les informations du 10 août, le média technologique Android Authority a publié un article de blog le 8 août indiquant que les Samsung Galaxy Z Fold6 et Galaxy Z Flip 6 sont devenus les premiers téléphones pliables à prendre en charge l'exécution locale du modèle Gemini Nano AI. Il n'a pas encore été intégré à Galaxy AI. Selon des rapports citant des sources, les modèles Galaxy AI et Gemini Nano AI sont à ce stade deux systèmes indépendants. Même les fonctions basées sur le texte (telles que l'assistance par chat) ne sont pas encore intégrées. , aide aux notes, aide à l'enregistrement de texte ou aide à la navigation) ) ni l'un ni l'autre. Ce test multimédia peut exécuter GalaxyAI localement sans télécharger le modèle GeminiNano : Samsun

Selon les informations de ce site Web du 9 août, selon un communiqué de presse publié hier par SK Hynix, heure locale, la société a présenté une série de nouveaux produits de stockage lors du sommet FMS2024, notamment la mémoire flash universelle USF4.1 qui n'a pas encore été officiellement publiée. caractéristiques. Selon le site officiel de la JEDEC Solid State Technology Association, la dernière spécification UFS actuellement annoncée est UFS4.0 en août 2022. UFS4.0 spécifie une vitesse d'interface théorique allant jusqu'à 46,4 Gbit/s pour chaque appareil, et USF4.1 devrait encore améliorer le taux de transmission. ▲Page de spécifications JEDECUFS SK Hynix a présenté deux mémoires flash à usage général UFS4.1 avec des capacités de 512 Go et 1 To respectivement, toutes deux basées sur la mémoire flash empilée V91TbTLCNAND à 321 couches.
