Saisissant la vague de l'intelligence artificielle, Samsung et Micron accélèrent la planification du plan d'expansion de HBM

IT House News du 8 novembre : dans le contexte du ralentissement du marché du stockage grand public, la technologie de mémoire à large bande passante (HBM) est devenue une nouvelle force motrice Le dernier rapport indique que Samsung et Micron se préparent activement à développer HBM. DRAM.

Source : Samsung

Selon les derniers rapports, Samsung Electronics a dépensé 10,5 milliards de won pour acquérir certaines usines et équipements de Samsung Display à Cheonan, en Corée du Sud, afin d'étendre la capacité de production de HBM. En outre, Samsung Electronics prévoit également d'investir entre 700 et 1 000 milliards de wons dans de nouvelles lignes d'emballage

IT House a précédemment rapporté que M. Hwang Sang-jun, vice-président de Samsung Electronics et chef de l'équipe produit et technologie DRAM, avait révélé que Samsung avait développé le HBM3E avec une vitesse de 9,8 Gbit/s et prévoyait de commencer à fournir des échantillons aux clients.

Samsung travaille dur pour développer la technologie HBM4 et prévoit de la lancer en 2025. Il est entendu que Samsung Electronics recherche activement diverses technologies pour HBM4, notamment la technologie d'assemblage de films non conducteurs (NCF) optimisée pour les caractéristiques thermiques à haute température et la liaison hybride (HCB)

Micron se prépare également activement à la production de HBM et a ouvert une nouvelle usine à Taichung le 6 novembre. Micron a déclaré que la nouvelle installation intégrera des capacités avancées de test et de conditionnement et sera dédiée à la production de masse du HBM3E et d'autres produits. L'expansion est conçue pour répondre aux besoins croissants de diverses applications telles que l'intelligence artificielle, les centres de données, l'informatique de pointe et les services cloud.

Le PDG de Micron, Sanjay Mehrotra, a révélé que la société prévoyait de commencer à expédier du HBM3E en grande quantité au début de 2024. La technologie HBM3E de Micron est actuellement en cours de certification par NVIDIA. Les premiers produits HBM3E présenteront une conception de pile 8-Hi avec une capacité de 24 Go et une bande passante supérieure à 1,2 To/s.

De plus, Micron prévoit de lancer la pile HBM3E 12-Hi de plus grande capacité de 36 Go en 2024. Dans une déclaration antérieure, Micron s'attendait à ce que la nouvelle technologie HBM génère « des centaines de millions de dollars » de revenus d'ici 2024.

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