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Foxconn a demandé au gouvernement indien de construire une usine de fabrication de plaquettes, mais une approbation similaire n'a été accordée qu'à Micron.
Foxconn a demandé au gouvernement indien de construire une usine de fabrication de plaquettes, mais une approbation similaire n'a été accordée qu'à Micron.
Selon l'Economic Times, le ministre indien de l'électronique et des technologies de l'information, Rajiv Chandrasekhar, a révélé dans une réponse écrite à la Chambre des communes indienne que Foxconn avait soumis une demande pour établir une usine de semi-conducteurs en Inde.
Le gouvernement a pris un certain nombre de mesures. ont été prises pour promouvoir le développement de l’industrie de fabrication de produits électroniques, notamment les semi-conducteurs, les smartphones et les véhicules électriques. Il a également déclaré que le gouvernement encourage les investissements à grande échelle dans les produits électroniques et les appareils électroménagers et favorise les exportations
Foxconn a annoncé début décembre qu'elle ajouterait 1,6 milliard de dollars supplémentaires à la nouvelle usine du Karnataka, pour un total d'un milliard de dollars d'investissement. 3,6 milliards de dollars américains (équivalent à 25,74 milliards de yuans)
Selon les rapports, l'Inde a lancé un projet d'une valeur de 760 milliards de roupies en décembre 2021 ((environ 65,208 milliards de yuans) plan d'incitation pour promouvoir le développement d’industries telles que les semi-conducteurs et les panneaux d’affichage. Actuellement, Micron est le seul fabricant international de puces approuvé par le plan
M.
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Taux de transfert le plus élevé du secteur, soit 3,6 Go/s, Micron annonce la production en série d'une mémoire flash NAND TLC à 276 couches de neuvième génération
Jul 31, 2024 am 08:05 AM
Selon les informations de ce site du 30 juillet, Micron a annoncé aujourd'hui (heure locale) que sa neuvième génération (note du site : 276 couches) de mémoire flash 3DTLC NAND serait produite et expédiée en série. Micron a déclaré que son G9NAND a le taux de transfert d'E/S le plus élevé du secteur, soit 3,6 Go/s (c'est-à-dire un taux d'interface de mémoire flash de 3 600 MT/s), soit 50 % plus élevé que les produits concurrents existants de 2 400 MT/s, et peut mieux répondre aux exigences. besoins des charges de travail gourmandes en données. Exigences de débit élevé. Dans le même temps, le G9NAND de Micron est respectivement 99 % et 88 % supérieur aux autres solutions du marché en termes de bande passante d'écriture et de bande passante de lecture. Cet avantage au niveau des particules NAND apportera des performances et une efficacité énergétique aux disques SSD et au stockage intégré. solutions. De plus, comme les générations précédentes de mémoire flash Micron NAND, Micron 276
Mar 22, 2024 pm 08:16 PM
Ce site rapportait le 21 mars que Micron avait tenu une conférence téléphonique après la publication de son rapport financier trimestriel. Lors de la conférence, le PDG de Micron, Sanjay Mehrotra, a déclaré que par rapport à la mémoire traditionnelle, la HBM consomme beaucoup plus de plaquettes. Micron a déclaré qu'en produisant la même capacité sur le même nœud, la mémoire HBM3E la plus avancée actuelle consomme trois fois plus de tranches que la DDR5 standard, et on s'attend à ce qu'à mesure que les performances s'améliorent et que la complexité de l'emballage s'intensifie, à l'avenir HBM4, ce ratio augmentera encore. . Si l’on se réfère aux rapports précédents sur ce site, ce ratio élevé est en partie dû au faible taux de rendement de HBM. La mémoire HBM est empilée avec des connexions TSV de mémoire DRAM multicouche. Un problème avec une couche signifie que l'ensemble.
Sharp envisage de vendre ses activités de semi-conducteurs et de modules de caméra à Hon Hai pour un montant non divulgué
Aug 13, 2024 am 10:36 AM
Selon des informations publiées sur ce site Web le 12 août, Sharp a annoncé le 9 août qu'elle envisageait de vendre ses activités de semi-conducteurs et de modules d'appareil photo pour smartphone à Hon Hai au cours de cet exercice. Concernant le montant de la vente, le président de Sharp, Masahiro Okitsu, a déclaré que, étant donné que les négociations viennent tout juste de commencer, il n'est pas opportun de divulguer plus de détails pour le moment. ▲ Source de l'image : le site Web de Sharp a remarqué que dès le 11 juillet, des rapports avaient été publiés selon lesquels le groupe Foxconn était entré dans le domaine de l'emballage avancé, en se concentrant sur la solution actuelle de semi-conducteurs d'emballage à sortance au niveau du panneau (FOPLP). Après sa filiale Innolux, Sharp, investi par Foxconn Group, a également annoncé son entrée dans le domaine japonais de l'emballage à sortance au niveau des panneaux et devrait être mis en production en 2026. Les informations publiques montrent que Foxconn Group détient actuellement 10,5 % des actions de Sharp.
Partager des compétences pratiques en Word : 2 astuces pour résoudre facilement la disposition de plusieurs images !
Apr 01, 2023 am 10:57 AM
Le formatage multi-images est l'un des scénarios courants lors de l'édition de documents dans Word. Presque tout le monde le rencontrera, et cela reste un gros problème pour de nombreuses personnes. Lorsque le nombre d’images augmente, de nombreuses personnes ne savent pas comment placer les images. Comment créer rapidement et efficacement un groupe d’images ? Parce que je ne maîtrise pas les compétences de routine systématiques, chaque production prend beaucoup de temps et ne peut pas produire de résultats satisfaisants. Aujourd’hui je vais vous apprendre 2 astuces pour résoudre facilement le problème de mise en page multi-images !
Analyste : La mémoire NVDRAM non volatile de Micron présente de nombreux points forts, mais il est peu probable qu'elle soit commercialisée
Jan 30, 2024 pm 06:30 PM
Selon les informations de ce site du 29 janvier, Micron a divulgué ses résultats de recherche et de développement 32Gb3DNVDRAM (DRAM non volatile) lors de la conférence IEEEIEDM fin 2023. Cependant, selon les informations obtenues par les médias étrangers Blocks&Files auprès de deux analystes du secteur interrogés, il est fondamentalement peu probable que cette nouvelle mémoire révolutionnaire soit commercialisée et produite en série, mais les progrès technologiques qu'elle démontre devraient apparaître dans les futurs produits de mémoire. La mémoire NVDRAM de Micron est basée sur le principe de la ferroélectricité (remarque sur ce site : elle a une polarisation spontanée et le sens de la polarisation peut être inversée sous un champ électrique externe). Elle peut atteindre des performances élevées proches de la DRAM tout en ayant une non-volatilité similaire à celle de la DRAM. Mémoire flash NAND durable et à faible latence. Ce nouveau type de mémoire utilise un empilement 3D double couche et a une capacité de 32 Go.
La mémoire de processus 1-gamma de Micron devrait être produite en série à Taiwan au premier semestre 2025
Sep 14, 2023 pm 08:29 PM
Selon un rapport de la « Central News Agency » de Taiwan du 4 septembre, Lu Donghui, président de Micron Taiwan, a déclaré que jusqu'à 65 % des produits DRAM de Micron sont produits à Taiwan. Parmi eux, les équipes taïwanaises et japonaises ont développé conjointement une nouvelle génération. du procédé 1-gamma sera produit en masse dans l'usine de Taichung au premier semestre 2025. Il s'agit de la première génération de Micron utilisant la technologie de procédé ultraviolet extrême (EUV). Il est rapporté que Micron ne possède actuellement qu'une usine de fabrication d'EUV à Taichung. Le procédé 1-gamma sera d'abord produit en masse dans l'usine de Taichung, et l'usine japonaise introduira également des équipements EUV à l'avenir. Lu Donghui a souligné que Taiwan et le Japon sont des centres de fabrication très importants pour Micron. Jusqu'à 65 % des produits de mémoire vive dynamique (DRAM) de Micron sont fabriqués à Taiwan après que l'usine japonaise a commencé la production en série de 1-b en octobre de l'année dernière ;
Lectures séquentielles jusqu'à 26 Go/s ! Micron lance le premier SSD de centre de données PCIe 6.0 écologique du secteur
Aug 06, 2024 pm 06:56 PM
Selon les informations de ce site le 6 août, Micron a annoncé à la 5ème heure locale à Santa Clara, en Californie, aux États-Unis, qu'elle avait développé avec succès le premier disque SSD de centre de données PCIe6.0 du secteur pour un support écologique. Le SSD a un taux de lecture séquentielle allant jusqu'à 26 Go/s. Les disques SSD pour centres de données PCIe5.0 de la série 9550 commercialisés par Micron le 23 juillet ont un taux de lecture séquentielle de 14 Go/s. Autrement dit, la nouvelle génération de produits Micron s’est améliorée de 85,7 % en lecture séquentielle. Comme l'un des signes du lancement de l'écosystème PCIe6.0, Micron présentera ses nouveaux produits de disques SSD pour centres de données PCIe6.0 lors du sommet FMS2024 qui se tiendra à Santa Clara du 6 au 8 août, heure locale. De plus, Raj Nala, vice-président principal de Micron
Apple est plein de confiance ! Amélioration de l'objectif de stockage de l'iPhone 16 : Foxconn recrute des travailleurs à l'avance pour la haute saison bien rémunérée
Jul 17, 2024 pm 04:28 PM
Selon les informations du 10 juillet, selon des sources des chaînes industrielles Apple, Apple a récemment apporté des ajustements précis à l'objectif de stockage de la série iPhone 16. L'objectif de stockage ajusté est d'environ 90 millions d'unités. L’augmentation par Apple des stocks de la série iPhone 16 signifie qu’Apple a accru sa confiance dans les nouveaux modèles et que son jugement sur les ventes sur le marché est plus élevé que celui de la série iPhone 15. Selon certaines informations, Foxconn, la principale fonderie d'Apple, a également commencé à recruter des travailleurs pendant la haute saison. Le salaire horaire actuel à l'usine Foxconn de l'aéroport de Zhengzhou a été augmenté à 25 yuans. Bien qu'il existe encore un écart entre les 30 yuans supérieurs à la période où la main-d'œuvre était la plus rare, cet écart était considéré comme élevé pour la même période. Si les travailleurs choisissent le modèle de remise, ils peuvent recevoir une prime supplémentaire de 7 500 yuans dans les 90 jours suivant leur emploi. Il est rapporté que le prix de recrutement le plus élevé de Foxconn au cours des années précédentes était de
