Points clés et précautions relatifs à la gestion de la mémoire JVM
Points clés et précautions pour maîtriser l'utilisation de la mémoire JVM
JVM (Java Virtual Machine) est l'environnement dans lequel les applications Java s'exécutent, et le plus important est la gestion de la mémoire de la JVM. Une gestion correcte de la mémoire JVM peut non seulement améliorer les performances des applications, mais également éviter des problèmes tels que des fuites et des débordements de mémoire. Cet article présentera les points et considérations clés de l'utilisation de la mémoire JVM et fournira quelques exemples de code spécifiques.
- Partition mémoire JVM
La mémoire JVM est principalement divisée dans les zones suivantes : - Heap : utilisé pour stocker les instances d'objets, la taille du tas peut être ajustée via les paramètres -Xmx et -Xms.
- Zone Méthode : stocke les informations de classe, le pool constant, les variables statiques, etc.
- Pile de machines virtuelles (VM Stack) : chaque thread possède une pile utilisée pour stocker les appels de méthode et les variables locales.
- Native Method Stack : utilisée pour exécuter des méthodes locales.
- Configuration des paramètres de mémoire JVM
Pour gérer correctement la mémoire JVM, vous devez configurer correctement les paramètres de mémoire JVM en fonction des besoins de l'application. Les paramètres couramment utilisés sont : - -Xmx : Définit la valeur maximale du tas, qui peut être ajustée en fonction des besoins en mémoire de l'application.
- -Xms : Définissez la taille initiale du tas, qui peut être ajustée en fonction de la vitesse de démarrage de l'application.
- -Xmn : Définissez la taille de la jeune génération, ce qui peut affecter les performances du GC en ajustant la taille de la jeune génération.
- -XX:MaxPermSize : Définissez la valeur maximale de la zone de méthode, qui peut être ajustée en fonction du nombre de classes et de variables statiques de l'application.
- Fuites de mémoire et débordements de mémoire
Une fuite de mémoire fait référence à une application qui alloue de la mémoire en continu mais ne la libère pas, ce qui entraîne une utilisation croissante de la mémoire. Un dépassement de mémoire signifie que la mémoire requise par l'application dépasse la limite de mémoire définie par la JVM.
Quelques précautions pour éviter les fuites et débordements de mémoire :
- Libérer les références d'objet dans le temps : Lorsqu'un objet n'est plus nécessaire, définissez sa référence sur null dans le temps, afin que la JVM recycle l'objet dans le prochain GC .
- Évitez la création répétée d'objets volumineux : pour les objets volumineux qui doivent être créés fréquemment, vous pouvez utiliser des pools d'objets ou des caches pour éviter la création et la destruction fréquentes.
- Faites attention à l'utilisation des classes de collection : si elles sont mal utilisées, les classes de collection (telles que ArrayList, HashMap, etc.) peuvent provoquer des fuites de mémoire. Faites attention au nettoyage des objets de collection qui ne sont plus utilisés en temps opportun.
- Utilisez des outils d'analyse des performances tels que JProfiler : vous pouvez afficher la chaîne de référence des objets via des outils d'analyse des performances pour vous aider à localiser la cause des fuites de mémoire ou des débordements de mémoire.
Voici quelques exemples de code spécifiques :
- Exemple de libération rapide de références d'objet :
public void process() { List<String> dataList = new ArrayList<>(); // 处理数据并添加到dataList中 // ... // 处理完毕后将dataList置为null dataList = null; }
- Exemple d'utilisation d'un pool d'objets :
public class ObjectPool { private static final int MAX_SIZE = 100; private static Queue<Object> pool = new LinkedList<>(); public static Object getObject() { if (pool.isEmpty()) { return new Object(); } else { return pool.poll(); } } public static void releaseObject(Object obj) { if (pool.size() < MAX_SIZE) { pool.offer(obj); } } }
- Remarque : Exemple d'utilisation de la classe de collection
public void process() { List<Object> dataList = new ArrayList<>(); // 处理数据并添加到dataList中 // ... // 处理完毕后清空dataList dataList.clear(); }
Résumé :
Maîtriser les points clés et les précautions d'utilisation de la mémoire JVM peut nous aider à mieux gérer la mémoire et à améliorer les performances et la stabilité des applications. Configurer correctement les paramètres de mémoire JVM, publier les références d'objet en temps opportun et éviter les fuites et les débordements de mémoire sont devenus des compétences essentielles pour un excellent développeur Java.
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Selon des informations publiées sur ce site Web le 3 septembre, le média coréen etnews a rapporté hier (heure locale) que les produits de mémoire mobile à structure empilée « de type HBM » de Samsung Electronics et SK Hynix seraient commercialisés après 2026. Des sources ont indiqué que les deux géants coréens de la mémoire considèrent la mémoire mobile empilée comme une source importante de revenus futurs et prévoient d'étendre la « mémoire de type HBM » aux smartphones, tablettes et ordinateurs portables afin de fournir de la puissance à l'IA finale. Selon des rapports précédents sur ce site, le produit de Samsung Electronics s'appelle LPWide I/O memory, et SK Hynix appelle cette technologie VFO. Les deux sociétés ont utilisé à peu près la même voie technique, à savoir combiner emballage en sortance et canaux verticaux. La mémoire LPWide I/O de Samsung Electronics a une largeur de 512 bits.

Selon le rapport, Dae Woo Kim, directeur de Samsung Electronics, a déclaré que lors de la réunion annuelle 2024 de la Korean Microelectronics and Packaging Society, Samsung Electronics terminerait la vérification de la technologie de mémoire HBM à liaison hybride à 16 couches. Il est rapporté que cette technologie a passé avec succès la vérification technique. Le rapport indique également que cette vérification technique jettera les bases du développement du marché de la mémoire dans les prochaines années. DaeWooKim a déclaré que Samsung Electronics avait réussi à fabriquer une mémoire HBM3 empilée à 16 couches basée sur la technologie de liaison hybride. À l'avenir, la technologie de liaison hybride empilée à 16 couches sera utilisée pour la production en série de mémoire HBM4. ▲ Source de l'image TheElec, comme ci-dessous. Par rapport au processus de liaison existant, la liaison hybride n'a pas besoin d'ajouter de bosses entre les couches de mémoire DRAM, mais connecte directement les couches supérieure et inférieure de cuivre au cuivre.

Ce site rapportait le 21 mars que Micron avait tenu une conférence téléphonique après la publication de son rapport financier trimestriel. Lors de la conférence, le PDG de Micron, Sanjay Mehrotra, a déclaré que par rapport à la mémoire traditionnelle, la HBM consomme beaucoup plus de plaquettes. Micron a déclaré qu'en produisant la même capacité sur le même nœud, la mémoire HBM3E la plus avancée actuelle consomme trois fois plus de tranches que la DDR5 standard, et on s'attend à ce qu'à mesure que les performances s'améliorent et que la complexité de l'emballage s'intensifie, à l'avenir HBM4, ce ratio augmentera encore. . Si l’on se réfère aux rapports précédents sur ce site, ce ratio élevé est en partie dû au faible taux de rendement de HBM. La mémoire HBM est empilée avec des connexions TSV de mémoire DRAM multicouche. Un problème avec une couche signifie que l'ensemble.

Selon les informations de ce site Web le 6 mai, Lexar a lancé la mémoire d'overclocking DDR57600CL36 de la série Ares Wings of War. L'ensemble de 16 Go x 2 sera disponible en prévente à 00h00 le 7 mai avec un dépôt de 50 yuans, et le prix est de 50 yuans. 1 299 yuans. La mémoire Lexar Wings of War utilise des puces mémoire Hynix A-die, prend en charge Intel XMP3.0 et fournit les deux préréglages d'overclocking suivants : 7600MT/s : CL36-46-46-961.4V8000MT/s : CL38-48-49 -1001.45V En termes de dissipation thermique, cet ensemble de mémoire est équipé d'un gilet de dissipation thermique tout en aluminium de 1,8 mm d'épaisseur et est équipé du tampon de graisse en silicone thermoconducteur exclusif de PMIC. La mémoire utilise 8 perles LED haute luminosité et prend en charge 13 modes d'éclairage RVB.

Selon les informations de ce site le 7 juin, GEIL a lancé sa dernière solution DDR5 au Salon international de l'informatique de Taipei 2024 et a proposé les versions SO-DIMM, CUDIMM, CSODIMM, CAMM2 et LPCAMM2. ▲ Source de l'image : Wccftech Comme le montre l'image, la mémoire CAMM2/LPCAMM2 présentée par Jinbang adopte un design très compact, peut fournir une capacité maximale de 128 Go et une vitesse allant jusqu'à 8533 MT/s. Certains de ces produits peuvent même l'être. stable sur la plateforme AMDAM5 Overclocké à 9000MT/s sans aucun refroidissement auxiliaire. Selon les rapports, la mémoire de la série Polaris RGBDDR5 2024 de Jinbang peut fournir jusqu'à 8 400

Selon un rapport d'enquête TrendForce, la vague de l'IA a un impact significatif sur les marchés de la mémoire DRAM et de la mémoire flash NAND. Dans l'actualité de ce site du 7 mai, TrendForce a déclaré aujourd'hui dans son dernier rapport de recherche que l'agence avait augmenté les augmentations de prix contractuels pour deux types de produits de stockage ce trimestre. Plus précisément, TrendForce avait initialement estimé que le prix du contrat de mémoire DRAM au deuxième trimestre 2024 augmenterait de 3 à 8 %, et l'estime désormais à 13 à 18 % en termes de mémoire flash NAND, l'estimation initiale augmentera de 13 à 8 % ; 18 %, et la nouvelle estimation est de 15 % ~ 20 %, seul eMMC/UFS a une augmentation inférieure de 10 %. ▲Source de l'image TrendForce TrendForce a déclaré que l'agence prévoyait initialement de continuer à

Certains utilisateurs ont rencontré une invite d'erreur de mémoire lors de l'utilisation de Win10, appelée « La mémoire ne peut pas être écrite ». Que se passe-t-il ? Ci-dessous, l'éditeur partagera avec vous la solution à l'invite système de Windows 10 « La mémoire ne peut pas être écrite » 1. Appuyez sur win+r pour ouvrir la fonction d'exécution sur l'ordinateur, entrez services et msc, puis cliquez sur OK. 2. Recherchez le service Windows Management Instrumentation dans la fenêtre des services, cliquez sur « Arrêter », puis cliquez sur OK. 3. Appuyez toujours sur win+r pour ouvrir la fonction d'exécution de l'ordinateur et entrez
