Comment nettoyer la mémoire DingTalk
PHP Editor Strawberry vous apprend à nettoyer la mémoire DingTalk. Le nettoyage de la mémoire DingTalk peut aider à améliorer la vitesse de fonctionnement de votre téléphone et à éviter les retards. Lors de l'utilisation de DingTalk, une certaine quantité de mémoire sera occupée en raison de l'exécution du programme, de la mise en cache des données et d'autres raisons. Nettoyer la mémoire DingTalk en temps opportun peut libérer la mémoire de votre téléphone, augmenter la vitesse de fonctionnement de votre téléphone et rendre votre expérience DingTalk plus fluide. Ensuite, nous présenterons plusieurs méthodes simples et efficaces pour nettoyer la mémoire DingTalk et maintenir votre téléphone en bon état de fonctionnement.
Comment nettoyer la mémoire DingTalk
1. Ouvrez d'abord l'application DingTalk, connectez-vous à votre compte et accédez à la page principale ;
2. Cliquez ensuite sur [Avatar] dans le coin supérieur gauche de la page principale ;
3. Développez ensuite la barre de menu sur la gauche et sélectionnez la fonction [Paramètres] ;
4. Cliquez ensuite sur le service [Effacer le cache] sur la page comme indiqué ci-dessous ;
5. Cliquez sur [OK] dans la dernière petite fenêtre pour effacer la mémoire.
Ce qui précède est le contenu détaillé de. pour plus d'informations, suivez d'autres articles connexes sur le site Web de PHP en chinois!
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Optimisation importante de la mémoire, que dois-je faire si l'ordinateur passe à une vitesse de mémoire de 16 Go/32 Go et qu'il n'y a aucun changement ?
Jun 18, 2024 pm 06:51 PM
Pour les disques durs mécaniques ou les disques SSD SATA, vous ressentirez l'augmentation de la vitesse d'exécution du logiciel. S'il s'agit d'un disque dur NVME, vous ne la ressentirez peut-être pas. 1. Importez le registre sur le bureau et créez un nouveau document texte, copiez et collez le contenu suivant, enregistrez-le sous 1.reg, puis cliquez avec le bouton droit pour fusionner et redémarrer l'ordinateur. WindowsRegistryEditorVersion5.00[HKEY_LOCAL_MACHINE\SYSTEM\CurrentControlSet\Control\SessionManager\MemoryManagement]"DisablePagingExecutive"=d
Comment scanner le code QR pour rejoindre un groupe sur DingTalk
May 01, 2024 am 03:18 AM
Il suffit de cinq étapes pour rejoindre un groupe en scannant le code QR sur DingTalk : ouvrez l'application DingTalk, entrez dans le carnet d'adresses, cliquez sur "Scanner", scannez le code QR du groupe et enfin cliquez sur "Rejoindre".
Comment rejoindre un groupe sur DingTalk
May 01, 2024 am 03:09 AM
Il existe de nombreuses façons de rejoindre un groupe DingTalk : cliquez sur le lien du groupe pour rejoindre directement ; scannez le code QR dans l'application DingTalk pour rejoindre ; organisation Ajouté automatiquement après l'architecture.
Que dois-je faire si j'ai déjà enregistré DingTalk et que j'ai oublié mon mot de passe ?
May 01, 2024 am 02:51 AM
Si vous oubliez votre mot de passe DingTalk, vous pouvez le récupérer via les méthodes suivantes : 1. Récupérez-le via votre numéro de téléphone mobile ; 2. Récupérez-le via votre e-mail (nécessite une liaison) 3. Contactez le service client DingTalk (des informations pertinentes sont requises) ; Vérifiez Votre Identité).
Des sources affirment que Samsung Electronics et SK Hynix commercialiseront de la mémoire mobile empilée après 2026
Sep 03, 2024 pm 02:15 PM
Selon des informations publiées sur ce site Web le 3 septembre, le média coréen etnews a rapporté hier (heure locale) que les produits de mémoire mobile à structure empilée « de type HBM » de Samsung Electronics et SK Hynix seraient commercialisés après 2026. Des sources ont indiqué que les deux géants coréens de la mémoire considèrent la mémoire mobile empilée comme une source importante de revenus futurs et prévoient d'étendre la « mémoire de type HBM » aux smartphones, tablettes et ordinateurs portables afin de fournir de la puissance à l'IA finale. Selon des rapports précédents sur ce site, le produit de Samsung Electronics s'appelle LPWide I/O memory, et SK Hynix appelle cette technologie VFO. Les deux sociétés ont utilisé à peu près la même voie technique, à savoir combiner emballage en sortance et canaux verticaux. La mémoire LPWide I/O de Samsung Electronics a une largeur de 512 bits.
Lexar lance le kit de mémoire Ares Wings of War DDR5 7600 16 Go x2 : particules Hynix A-die, 1 299 yuans
May 07, 2024 am 08:13 AM
Selon les informations de ce site Web le 6 mai, Lexar a lancé la mémoire d'overclocking DDR57600CL36 de la série Ares Wings of War. L'ensemble de 16 Go x 2 sera disponible en prévente à 00h00 le 7 mai avec un dépôt de 50 yuans, et le prix est de 50 yuans. 1 299 yuans. La mémoire Lexar Wings of War utilise des puces mémoire Hynix A-die, prend en charge Intel XMP3.0 et fournit les deux préréglages d'overclocking suivants : 7600MT/s : CL36-46-46-961.4V8000MT/s : CL38-48-49 -1001.45V En termes de dissipation thermique, cet ensemble de mémoire est équipé d'un gilet de dissipation thermique tout en aluminium de 1,8 mm d'épaisseur et est équipé du tampon de graisse en silicone thermoconducteur exclusif de PMIC. La mémoire utilise 8 perles LED haute luminosité et prend en charge 13 modes d'éclairage RVB.
Kingbang lance une nouvelle mémoire DDR5 8600, disponible en CAMM2, LPCAMM2 et modèles standards
Jun 08, 2024 pm 01:35 PM
Selon les informations de ce site le 7 juin, GEIL a lancé sa dernière solution DDR5 au Salon international de l'informatique de Taipei 2024 et a proposé les versions SO-DIMM, CUDIMM, CSODIMM, CAMM2 et LPCAMM2. ▲ Source de l'image : Wccftech Comme le montre l'image, la mémoire CAMM2/LPCAMM2 présentée par Jinbang adopte un design très compact, peut fournir une capacité maximale de 128 Go et une vitesse allant jusqu'à 8533 MT/s. Certains de ces produits peuvent même l'être. stable sur la plateforme AMDAM5 Overclocké à 9000MT/s sans aucun refroidissement auxiliaire. Selon les rapports, la mémoire de la série Polaris RGBDDR5 2024 de Jinbang peut fournir jusqu'à 8 400
L'impact de la vague de l'IA est évident. TrendForce a révisé à la hausse ses prévisions d'augmentation des prix des contrats de mémoire DRAM et de mémoire flash NAND ce trimestre.
May 07, 2024 pm 09:58 PM
Selon un rapport d'enquête TrendForce, la vague de l'IA a un impact significatif sur les marchés de la mémoire DRAM et de la mémoire flash NAND. Dans l'actualité de ce site du 7 mai, TrendForce a déclaré aujourd'hui dans son dernier rapport de recherche que l'agence avait augmenté les augmentations de prix contractuels pour deux types de produits de stockage ce trimestre. Plus précisément, TrendForce avait initialement estimé que le prix du contrat de mémoire DRAM au deuxième trimestre 2024 augmenterait de 3 à 8 %, et l'estime désormais à 13 à 18 % en termes de mémoire flash NAND, l'estimation initiale augmentera de 13 à 8 % ; 18 %, et la nouvelle estimation est de 15 % ~ 20 %, seul eMMC/UFS a une augmentation inférieure de 10 %. ▲Source de l'image TrendForce TrendForce a déclaré que l'agence prévoyait initialement de continuer à
