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Asgard lance un ensemble de mémoire co-marqué Valkyrie-Valkyrie de 16 Go x 2 DDR5 6800 : particules Hynix, prix de départ de 899 yuans
Asgard lance un ensemble de mémoire co-marqué Valkyrie-Valkyrie de 16 Go x 2 DDR5 6800 : particules Hynix, prix de départ de 899 yuans
Selon les informations de ce site du 19 mars, Asgard a lancé aujourd'hui une barrette co-marquée DDR5 6800 Valkyrie de 16 Go x 2 (32 Go) sur JD.com. La page produit indique que le prix est de 899 yuans .
Selon les rapports, ce module de mémoire utilise des particules Hynix A-Die, timing 32-45-45-108, équipé d'un dissipateur thermique de 2 mm d'épaisseur , prend en charge les effets d'éclairage RVB et prend en charge Intel XMP. 3.0 Paramètres d'overclocking.
De plus, ce site a remarqué que ce module de mémoire est prétendument "optimisé individuellement pour les cartes mères de la série MSI M POWER", mais le responsable n'a pas divulgué l'amélioration spécifique des performances.
Les informations sur les paramètres de la clé USB attachée à ce site sont les suivantes :
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Optimisation importante de la mémoire, que dois-je faire si l'ordinateur passe à une vitesse de mémoire de 16 Go/32 Go et qu'il n'y a aucun changement ?
Jun 18, 2024 pm 06:51 PM
Pour les disques durs mécaniques ou les disques SSD SATA, vous ressentirez l'augmentation de la vitesse d'exécution du logiciel. S'il s'agit d'un disque dur NVME, vous ne la ressentirez peut-être pas. 1. Importez le registre sur le bureau et créez un nouveau document texte, copiez et collez le contenu suivant, enregistrez-le sous 1.reg, puis cliquez avec le bouton droit pour fusionner et redémarrer l'ordinateur. WindowsRegistryEditorVersion5.00[HKEY_LOCAL_MACHINE\SYSTEM\CurrentControlSet\Control\SessionManager\MemoryManagement]"DisablePagingExecutive"=d
Comment vérifier l'utilisation de la mémoire sur Xiaomi Mi 14Pro ?
Mar 18, 2024 pm 02:19 PM
Récemment, Xiaomi a lancé un puissant smartphone haut de gamme, le Xiaomi 14Pro, qui présente non seulement un design élégant, mais également une technologie noire interne et externe. Le téléphone offre des performances optimales et d'excellentes capacités multitâches, permettant aux utilisateurs de profiter d'une expérience de téléphonie mobile rapide et fluide. Cependant, les performances seront également affectées par la mémoire. De nombreux utilisateurs souhaitent savoir comment vérifier l’utilisation de la mémoire du Xiaomi 14Pro, alors jetons-y un coup d’œil. Comment vérifier l’utilisation de la mémoire sur Xiaomi Mi 14Pro ? Introduction à la façon de vérifier l'utilisation de la mémoire du Xiaomi 14Pro. Ouvrez le bouton [Gestion des applications] dans [Paramètres] du téléphone Xiaomi 14Pro. Pour afficher la liste de toutes les applications installées, parcourez la liste et recherchez l'application que vous souhaitez afficher, cliquez dessus pour accéder à la page de détails de l'application. Dans la page de détails de la candidature
Y a-t-il une grande différence entre 8 Go et 16 Go de mémoire dans les ordinateurs ? (Choisissez 8 Go ou 16 Go de mémoire informatique)
Mar 13, 2024 pm 06:10 PM
Lorsque les utilisateurs novices achèteront un ordinateur, ils seront curieux de connaître la différence entre 8 Go et 16 Go de mémoire informatique ? Dois-je choisir 8g ou 16g ? En réponse à ce problème, l'éditeur va aujourd'hui vous l'expliquer en détail. Y a-t-il une grande différence entre 8 Go et 16 Go de mémoire informatique ? 1. Pour les familles ordinaires ou le travail ordinaire, la mémoire courante de 8 Go peut répondre aux exigences, il n'y a donc pas beaucoup de différence entre 8 g et 16 g pendant l'utilisation. 2. Lorsqu'ils sont utilisés par des passionnés de jeux, les jeux à grande échelle commencent actuellement à 6 Go, et 8 Go est la norme minimale. Actuellement, lorsque l'écran est en 2K, une résolution plus élevée n'apportera pas de performances de fréquence d'images plus élevées, il n'y a donc pas de grande différence entre 8g et 16g. 3. Pour les utilisateurs de montage audio et vidéo, il y aura des différences évidentes entre 8g et 16g.
Des sources affirment que Samsung Electronics et SK Hynix commercialiseront de la mémoire mobile empilée après 2026
Sep 03, 2024 pm 02:15 PM
Selon des informations publiées sur ce site Web le 3 septembre, le média coréen etnews a rapporté hier (heure locale) que les produits de mémoire mobile à structure empilée « de type HBM » de Samsung Electronics et SK Hynix seraient commercialisés après 2026. Des sources ont indiqué que les deux géants coréens de la mémoire considèrent la mémoire mobile empilée comme une source importante de revenus futurs et prévoient d'étendre la « mémoire de type HBM » aux smartphones, tablettes et ordinateurs portables afin de fournir de la puissance à l'IA finale. Selon des rapports précédents sur ce site, le produit de Samsung Electronics s'appelle LPWide I/O memory, et SK Hynix appelle cette technologie VFO. Les deux sociétés ont utilisé à peu près la même voie technique, à savoir combiner emballage en sortance et canaux verticaux. La mémoire LPWide I/O de Samsung Electronics a une largeur de 512 bits.
Samsung a annoncé l'achèvement de la vérification de la technologie du processus d'empilement de liaisons hybrides à 16 couches, qui devrait être largement utilisée dans la mémoire HBM4.
Apr 07, 2024 pm 09:19 PM
Selon le rapport, Dae Woo Kim, directeur de Samsung Electronics, a déclaré que lors de la réunion annuelle 2024 de la Korean Microelectronics and Packaging Society, Samsung Electronics terminerait la vérification de la technologie de mémoire HBM à liaison hybride à 16 couches. Il est rapporté que cette technologie a passé avec succès la vérification technique. Le rapport indique également que cette vérification technique jettera les bases du développement du marché de la mémoire dans les prochaines années. DaeWooKim a déclaré que Samsung Electronics avait réussi à fabriquer une mémoire HBM3 empilée à 16 couches basée sur la technologie de liaison hybride. À l'avenir, la technologie de liaison hybride empilée à 16 couches sera utilisée pour la production en série de mémoire HBM4. ▲ Source de l'image TheElec, comme ci-dessous. Par rapport au processus de liaison existant, la liaison hybride n'a pas besoin d'ajouter de bosses entre les couches de mémoire DRAM, mais connecte directement les couches supérieure et inférieure de cuivre au cuivre.
Mar 22, 2024 pm 08:16 PM
Ce site rapportait le 21 mars que Micron avait tenu une conférence téléphonique après la publication de son rapport financier trimestriel. Lors de la conférence, le PDG de Micron, Sanjay Mehrotra, a déclaré que par rapport à la mémoire traditionnelle, la HBM consomme beaucoup plus de plaquettes. Micron a déclaré qu'en produisant la même capacité sur le même nœud, la mémoire HBM3E la plus avancée actuelle consomme trois fois plus de tranches que la DDR5 standard, et on s'attend à ce qu'à mesure que les performances s'améliorent et que la complexité de l'emballage s'intensifie, à l'avenir HBM4, ce ratio augmentera encore. . Si l’on se réfère aux rapports précédents sur ce site, ce ratio élevé est en partie dû au faible taux de rendement de HBM. La mémoire HBM est empilée avec des connexions TSV de mémoire DRAM multicouche. Un problème avec une couche signifie que l'ensemble.
Prenant en charge la nouvelle génération de modules de mémoire CAMM2, MSI et ASRock ont présenté des cartes mères Intel spéciales
Jun 07, 2024 am 11:23 AM
Selon les informations de ce site du 4 juin, basées sur les rapports du média taïwanais BenchLife.info et les mises à jour de l'utilisateur de la plate-forme X @wagipon, MSI et ASRock ont tous deux exposé des cartes mères Intel spéciales prenant en charge les modules de mémoire CAMM2 au Salon international de l'informatique de Taipei 2024. Parmi eux, MSI a apporté la carte mère Z790PROJECTZEROPLUS (CAMM2), précédemment réchauffée, qui est équipée du prototype de module de mémoire FURYImpactDDR5CAMM2 de Kingston. ▲ Source de l'image BenchLife.info MSI a déclaré que le module de mémoire DDR5CAMM2 peut prendre en charge jusqu'à 128 Go de capacité et qu'un seul module peut réaliser deux canaux, ce qui peut réduire les problèmes de compatibilité (Remarque sur ce site : même si seul le numéro de lot est différent, le traditionnel
Lexar lance le kit de mémoire Ares Wings of War DDR5 7600 16 Go x2 : particules Hynix A-die, 1 299 yuans
May 07, 2024 am 08:13 AM
Selon les informations de ce site Web le 6 mai, Lexar a lancé la mémoire d'overclocking DDR57600CL36 de la série Ares Wings of War. L'ensemble de 16 Go x 2 sera disponible en prévente à 00h00 le 7 mai avec un dépôt de 50 yuans, et le prix est de 50 yuans. 1 299 yuans. La mémoire Lexar Wings of War utilise des puces mémoire Hynix A-die, prend en charge Intel XMP3.0 et fournit les deux préréglages d'overclocking suivants : 7600MT/s : CL36-46-46-961.4V8000MT/s : CL38-48-49 -1001.45V En termes de dissipation thermique, cet ensemble de mémoire est équipé d'un gilet de dissipation thermique tout en aluminium de 1,8 mm d'épaisseur et est équipé du tampon de graisse en silicone thermoconducteur exclusif de PMIC. La mémoire utilise 8 perles LED haute luminosité et prend en charge 13 modes d'éclairage RVB.
