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Micron : le tremblement de terre à Taïwan devrait avoir un impact d'un pourcentage moyen à un chiffre sur l'approvisionnement en mémoire DRAM ce trimestre
Micron : le tremblement de terre à Taïwan devrait avoir un impact d'un pourcentage moyen à un chiffre sur l'approvisionnement en mémoire DRAM ce trimestre
Selon les informations de ce site le 12 avril, Micron a soumis le 10 une annonce d'affaire majeure 8-K à la Securities and Exchange Commission (SEC) des États-Unis. On s'attend à ce que le tremblement de terre à Taiwan soit au début de cette période. Le mois entraînera des dommages « à un chiffre » sur son approvisionnement en mémoire DRAM au deuxième trimestre. Impact en pourcentage .
Micron possède deux bases de production à Taoyuan et Taichung à Taiwan. Selon un précédent rapport de TrendForce, le tremblement de terre avait alors provoqué la mise au rebut de plus de 60 % des plaquettes de la chaîne de production de Taoyuan. Micron a déclaré dans l'annonce que tous les employés de Micron sont sains et saufs, que les installations, les infrastructures et les outils de production n'ont pas été endommagés de manière permanente et queles capacités d'approvisionnement en mémoire DRAM à long terme n'ont pas été affectées.
Au moment de l'annonce, Micron n'a pas complètement repris la production de DRAM après le tremblement de terre, mais grâce à la construction parasismique précédente, la reprise de l'usine progresse bien. En tenant compte de la part de Micron sur le marché de la DRAM, ce site estime que l'impact du tremblement de terre sur la production de bits ce trimestre sera d'environ 1 %, ce qui est également conforme à l'analyse précédente de TrendForce.
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Optimisation importante de la mémoire, que dois-je faire si l'ordinateur passe à une vitesse de mémoire de 16 Go/32 Go et qu'il n'y a aucun changement ?
Jun 18, 2024 pm 06:51 PM
Pour les disques durs mécaniques ou les disques SSD SATA, vous ressentirez l'augmentation de la vitesse d'exécution du logiciel. S'il s'agit d'un disque dur NVME, vous ne la ressentirez peut-être pas. 1. Importez le registre sur le bureau et créez un nouveau document texte, copiez et collez le contenu suivant, enregistrez-le sous 1.reg, puis cliquez avec le bouton droit pour fusionner et redémarrer l'ordinateur. WindowsRegistryEditorVersion5.00[HKEY_LOCAL_MACHINE\SYSTEM\CurrentControlSet\Control\SessionManager\MemoryManagement]"DisablePagingExecutive"=d
Des sources affirment que le rendement de la mémoire DRAM 3D empilée à cinq couches de SK Hynix a atteint 56,1 %
Jun 24, 2024 pm 01:52 PM
Selon des informations publiées sur ce site Web le 24 juin, le média coréen BusinessKorea a rapporté que des initiés de l'industrie avaient révélé que SK Hynix avait publié le dernier document de recherche sur la technologie DRAM 3D lors du sommet VLSI 2024 qui s'est tenu à Hawaï, aux États-Unis, du 16 au 20 juin. Dans cet article, SK Hynix rapporte que le rendement de sa mémoire DRAM 3D empilée à cinq couches a atteint 56,1 % et que la DRAM 3D de l'expérience présente des caractéristiques similaires à la DRAM 2D actuelle. Selon les rapports, contrairement à la DRAM traditionnelle, qui dispose les cellules de mémoire horizontalement, la DRAM 3D empile les cellules verticalement pour obtenir une densité plus élevée dans le même espace. Cependant, SK hynix
Comment vérifier l'utilisation de la mémoire sur Xiaomi Mi 14Pro ?
Mar 18, 2024 pm 02:19 PM
Récemment, Xiaomi a lancé un puissant smartphone haut de gamme, le Xiaomi 14Pro, qui présente non seulement un design élégant, mais également une technologie noire interne et externe. Le téléphone offre des performances optimales et d'excellentes capacités multitâches, permettant aux utilisateurs de profiter d'une expérience de téléphonie mobile rapide et fluide. Cependant, les performances seront également affectées par la mémoire. De nombreux utilisateurs souhaitent savoir comment vérifier l’utilisation de la mémoire du Xiaomi 14Pro, alors jetons-y un coup d’œil. Comment vérifier l’utilisation de la mémoire sur Xiaomi Mi 14Pro ? Introduction à la façon de vérifier l'utilisation de la mémoire du Xiaomi 14Pro. Ouvrez le bouton [Gestion des applications] dans [Paramètres] du téléphone Xiaomi 14Pro. Pour afficher la liste de toutes les applications installées, parcourez la liste et recherchez l'application que vous souhaitez afficher, cliquez dessus pour accéder à la page de détails de l'application. Dans la page de détails de la candidature
Taux de transfert le plus élevé du secteur, soit 3,6 Go/s, Micron annonce la production en série d'une mémoire flash NAND TLC à 276 couches de neuvième génération
Jul 31, 2024 am 08:05 AM
Selon les informations de ce site du 30 juillet, Micron a annoncé aujourd'hui (heure locale) que sa neuvième génération (note du site : 276 couches) de mémoire flash 3DTLC NAND serait produite et expédiée en série. Micron a déclaré que son G9NAND a le taux de transfert d'E/S le plus élevé du secteur, soit 3,6 Go/s (c'est-à-dire un taux d'interface de mémoire flash de 3 600 MT/s), soit 50 % plus élevé que les produits concurrents existants de 2 400 MT/s, et peut mieux répondre aux exigences. besoins des charges de travail gourmandes en données. Exigences de débit élevé. Dans le même temps, le G9NAND de Micron est respectivement 99 % et 88 % supérieur aux autres solutions du marché en termes de bande passante d'écriture et de bande passante de lecture. Cet avantage au niveau des particules NAND apportera des performances et une efficacité énergétique aux disques SSD et au stockage intégré. solutions. De plus, comme les générations précédentes de mémoire flash Micron NAND, Micron 276
Y a-t-il une grande différence entre 8 Go et 16 Go de mémoire dans les ordinateurs ? (Choisissez 8 Go ou 16 Go de mémoire informatique)
Mar 13, 2024 pm 06:10 PM
Lorsque les utilisateurs novices achèteront un ordinateur, ils seront curieux de connaître la différence entre 8 Go et 16 Go de mémoire informatique ? Dois-je choisir 8g ou 16g ? En réponse à ce problème, l'éditeur va aujourd'hui vous l'expliquer en détail. Y a-t-il une grande différence entre 8 Go et 16 Go de mémoire informatique ? 1. Pour les familles ordinaires ou le travail ordinaire, la mémoire courante de 8 Go peut répondre aux exigences, il n'y a donc pas beaucoup de différence entre 8 g et 16 g pendant l'utilisation. 2. Lorsqu'ils sont utilisés par des passionnés de jeux, les jeux à grande échelle commencent actuellement à 6 Go, et 8 Go est la norme minimale. Actuellement, lorsque l'écran est en 2K, une résolution plus élevée n'apportera pas de performances de fréquence d'images plus élevées, il n'y a donc pas de grande différence entre 8g et 16g. 3. Pour les utilisateurs de montage audio et vidéo, il y aura des différences évidentes entre 8g et 16g.
Des sources affirment que Samsung Electronics et SK Hynix commercialiseront de la mémoire mobile empilée après 2026
Sep 03, 2024 pm 02:15 PM
Selon des informations publiées sur ce site Web le 3 septembre, le média coréen etnews a rapporté hier (heure locale) que les produits de mémoire mobile à structure empilée « de type HBM » de Samsung Electronics et SK Hynix seraient commercialisés après 2026. Des sources ont indiqué que les deux géants coréens de la mémoire considèrent la mémoire mobile empilée comme une source importante de revenus futurs et prévoient d'étendre la « mémoire de type HBM » aux smartphones, tablettes et ordinateurs portables afin de fournir de la puissance à l'IA finale. Selon des rapports précédents sur ce site, le produit de Samsung Electronics s'appelle LPWide I/O memory, et SK Hynix appelle cette technologie VFO. Les deux sociétés ont utilisé à peu près la même voie technique, à savoir combiner emballage en sortance et canaux verticaux. La mémoire LPWide I/O de Samsung Electronics a une largeur de 512 bits.
Samsung a annoncé l'achèvement de la vérification de la technologie du processus d'empilement de liaisons hybrides à 16 couches, qui devrait être largement utilisée dans la mémoire HBM4.
Apr 07, 2024 pm 09:19 PM
Selon le rapport, Dae Woo Kim, directeur de Samsung Electronics, a déclaré que lors de la réunion annuelle 2024 de la Korean Microelectronics and Packaging Society, Samsung Electronics terminerait la vérification de la technologie de mémoire HBM à liaison hybride à 16 couches. Il est rapporté que cette technologie a passé avec succès la vérification technique. Le rapport indique également que cette vérification technique jettera les bases du développement du marché de la mémoire dans les prochaines années. DaeWooKim a déclaré que Samsung Electronics avait réussi à fabriquer une mémoire HBM3 empilée à 16 couches basée sur la technologie de liaison hybride. À l'avenir, la technologie de liaison hybride empilée à 16 couches sera utilisée pour la production en série de mémoire HBM4. ▲ Source de l'image TheElec, comme ci-dessous. Par rapport au processus de liaison existant, la liaison hybride n'a pas besoin d'ajouter de bosses entre les couches de mémoire DRAM, mais connecte directement les couches supérieure et inférieure de cuivre au cuivre.
Mar 22, 2024 pm 08:16 PM
Ce site rapportait le 21 mars que Micron avait tenu une conférence téléphonique après la publication de son rapport financier trimestriel. Lors de la conférence, le PDG de Micron, Sanjay Mehrotra, a déclaré que par rapport à la mémoire traditionnelle, la HBM consomme beaucoup plus de plaquettes. Micron a déclaré qu'en produisant la même capacité sur le même nœud, la mémoire HBM3E la plus avancée actuelle consomme trois fois plus de tranches que la DDR5 standard, et on s'attend à ce qu'à mesure que les performances s'améliorent et que la complexité de l'emballage s'intensifie, à l'avenir HBM4, ce ratio augmentera encore. . Si l’on se réfère aux rapports précédents sur ce site, ce ratio élevé est en partie dû au faible taux de rendement de HBM. La mémoire HBM est empilée avec des connexions TSV de mémoire DRAM multicouche. Un problème avec une couche signifie que l'ensemble.
