En synchronisation avec Samsung et Micron, SK Hynix lancera cette année une nouvelle mémoire DDR5 de 1 milliard de nanomètres et 32 ​​Go

Selon le média coréen NEWSIS, la conférence téléphonique sur le rapport financier du premier trimestre 2024 s'est tenue aujourd'hui. SK Hynix a révélé un plan majeur : ils prévoient de lancer de nouvelles puces de mémoire DDR5 de 1 milliard de nanomètres + 32 Go au cours de l'année. Cette particule de mémoire innovante apportera une nouvelle vitalité au marché de la mémoire.

Selon les données, cette particule de mémoire de 32 Go fournira une capacité unique allant jusqu'à 64 Go pour les UDIMM et SODIMM grand public, offrant ainsi une prise en charge plus puissante pour les applications de niveau entreprise. En particulier pour les RDIMM de niveau entreprise, il peut atteindre une capacité de 128 Go dans un seul module sans recourir à une technologie d'empilement 3D stable à processus traversant, ce qui répondra sans aucun doute grandement à la demande croissante de grande mémoire dans les serveurs.

La percée de SK Hynix dans la technologie de la mémoire ne s'est pas produite du jour au lendemain. La société a annoncé en mai 2023 qu'elle avait achevé le développement d'une mémoire de 1 milliard de nm, qui a introduit la technologie avancée HKMG. Cette technologie peut réduire considérablement les fuites, améliorer les performances des condensateurs et ainsi réduire la consommation d'énergie, offrant ainsi de nouvelles possibilités pour des produits de mémoire efficaces et respectueux de l'environnement.

Dans le même temps, la concurrence sur le marché mondial de la mémoire devient de plus en plus féroce. Samsung Electronics et Micron ont également annoncé leurs propres puces mémoire DDR5 de 32 Go. Il est entendu que la DRAM DDR5 de 32 Go de Samsung Electronics a commencé la production de masse à la fin de l'année dernière comme prévu, et Micron prévoit également de lancer ses produits correspondants cette année.

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