记录一下Cocos2dX中内存管理的理解和试验
记录一下Cocos2dX中内存管理的理解和试验 一直弄C的,还经常到底层晃荡滴,十分不习惯内存这么宝贵的资源不受自己控制的编程,就像大热天坐在电脑前打游戏,边上千把只蚊子飞来飞去一样难受。尤其是那个autorelease,大把的兄弟们分析了它的排队和删除机制了
记录一下Cocos2dX中内存管理的理解和试验
一直弄C++的,还经常到底层晃荡滴,十分不习惯内存这么宝贵的资源不受自己控制的编程,就像大热天坐在电脑前打游戏,边上千把只蚊子飞来飞去一样难受。尤其是那个autorelease,大把的兄弟们分析了它的排队和删除机制了,但私心里总想,自己造出来的东西,为毛不能我想让它滚蛋就滚蛋,总在内存里挂着作甚。虽然autorelease这种机制确实有它的优点,但也没必要到处都用吧……,手机内存现在也不便宜啊。
一、我们的目标
C++的方式一般是new、delete成对用,我们的目标也就是这个,告别静态方法,告别 CREATE_FUNC宏,告别autorelease retain release,重要的是,autorelease的队列中不要加入我们不想加入的东西。
二、一点点摘吧出来
首先装模作样的管理一下内存,一般来说,Cocos2dx如此打包的原因估计就是想让内存管理更加简单,于是推着大伙使用静态create方法,在这个方法中,实际使用new实例了对象,并且随后调用autorelease将其排队了。通常我们不用retain和release,因为一般大伙儿把这货造出来都是为了addchild的,在addchild里面实际做了一次retain,然后在使用结束的某个地方removechild的时候(没去找,可能是析构,又release了一下)。我们在这里试图让autorelease失去作用,于是构造时retain一下,析构时release一下,基本做到我想放的时候放,当然不一定掉了)
其次是避免使用静态create方法。
这里稍有些不严谨,本来应该构造和析构对应,但显然层对象在App构造的时候构造会@#¥#%@,没有去研究为什么,所以在applicationDidFinishLaunching构造吧,在析构函数中放掉。GameScene是继承Layer的类,实际就写了上面代码中那三个函数,就创建了一个Sprite贴进去而已。其中Scene的创建被我们拿到了AppDelegate中,没有集成到GameScene(虽然还叫这个名字),仍然用autorelease管理(使用静态方法创建)。我们主要看GameScene,可以发现,我们使用new实例化对象m_pMainLayer(类成员),直接调用了对象的构造函数,跟一下,实际就是调用了Layer::Layer(),申请了内存,但是没有autorelease,没有init。
那么,显然现在我们要管理如何放掉它了。如某些同学的说法,可以讲new和release对起来用,一开始我就是这么用的(注释中的内容),但实际情况是,直接用delete好了。现在看起来很像C++了吧,哈哈。
三、Sprite为什么没有用new、delete?
可能有兄弟已经注意到,Sprite,这个最需要我们精细管理的对象这里并没有使用new、delete。确实,一开始我想用来着,先new一个Sprite,然后用initWithFile载入图片,就像静态方法Create一样。但是编译器不干,为什么呢?
看看CCSprite的源码就知道了,CC_CONSTRUCTOR_ACCESS其实就是protect换张皮,换句话说,cocos2dx将new、delete保护起来了,不让用,必须autorelease。可以想见,Layer必然也是,那上面的Layer为什么可以?对了,只要继承一下就行了,此时内存完全由我掌控。四、是不是有点作?
可能真是有点作吧,俗话说no zuo no die,可能有一天碰上莫名其妙的问题就是如此作出来的,所以立文为证,提醒自己一下。毕竟还是用惯了new、delete和自己亲力亲为的管理,强迫症使然,一个不用自己管的内存扔在那里总觉得这玩意指定泄露了。决定以后如此new、delete的来了,会不会有虾米问题?有木有高手指点一下?
五、现实报来得快
这两天搬家整房子,手头停了一段。今天捡起来按照前面“作”的内容完整的写下来才发现,原来还不仅仅是new delete受protect限制的问题,还有函数initWithFile,没办法,继承类里面加个公开函数包一下吧,这样外面就可以调用了。如何,下面这个是不是看起来舒服多了?如果还觉得不爽,重载个构造函数吧init替了吧,不过这样就只能ASSERT initWithFile返回True了。
哈哈,首先解决个人习惯问题,后面爬起代码来才会爽。

ホットAIツール

Undresser.AI Undress
リアルなヌード写真を作成する AI 搭載アプリ

AI Clothes Remover
写真から衣服を削除するオンライン AI ツール。

Undress AI Tool
脱衣画像を無料で

Clothoff.io
AI衣類リムーバー

AI Hentai Generator
AIヘンタイを無料で生成します。

人気の記事

ホットツール

メモ帳++7.3.1
使いやすく無料のコードエディター

SublimeText3 中国語版
中国語版、とても使いやすい

ゼンドスタジオ 13.0.1
強力な PHP 統合開発環境

ドリームウィーバー CS6
ビジュアル Web 開発ツール

SublimeText3 Mac版
神レベルのコード編集ソフト(SublimeText3)

ホットトピック

機械式ハード ドライブまたは SATA ソリッド ステート ドライブの場合、NVME ハード ドライブの場合は、ソフトウェアの実行速度の向上を感じられない場合があります。 1. レジストリをデスクトップにインポートし、新しいテキスト ドキュメントを作成し、次の内容をコピーして貼り付け、1.reg として保存し、右クリックしてマージしてコンピュータを再起動します。 WindowsRegistryEditorVersion5.00[HKEY_LOCAL_MACHINE\SYSTEM\CurrentControlSet\Control\SessionManager\MemoryManagement]"DisablePagingExecutive"=d

最近、Xiaomiはスタイリッシュなデザインだけでなく、内部および外部にブラックテクノロジーを備えた強力なハイエンドスマートフォンXiaomi 14Proをリリースしました。この電話機は最高のパフォーマンスと優れたマルチタスク機能を備えており、ユーザーは高速でスムーズな携帯電話体験を楽しむことができます。ただし、パフォーマンスはメモリにも影響されますので、多くのユーザーがXiaomi 14Proのメモリ使用量を確認する方法を知りたいので、見てみましょう。 Xiaomi Mi 14Proのメモリ使用量を確認するにはどうすればよいですか? Xiaomi 14Proのメモリ使用量を確認する方法を紹介. Xiaomi 14Proスマホの[設定]にある[アプリケーション管理]ボタンを開きます。インストールされているすべてのアプリのリストを表示するには、リストを参照して表示するアプリを見つけ、それをクリックしてアプリの詳細ページに入ります。アプリケーションの詳細ページで

Pinduoduo ソフトウェアは多くの優れた製品を提供し、いつでもどこでも購入でき、各製品の品質は厳しく管理され、すべての製品は正規品であり、多くの優遇ショッピング割引があり、誰もがオンラインで買い物をすることができます。携帯電話番号を入力してオンラインにログインし、オンラインで複数の配送先住所や連絡先情報を追加し、最新の物流動向をいつでも確認できます さまざまなカテゴリの商品セクションが開き、検索して上下にスワイプして購入および注文することができます家から出ることなく利便性を体験することができます.オンライン ショッピング サービスでは、購入した商品を含むすべての購入記録を確認することもでき、数十のショッピング赤い封筒とクーポンを無料で受け取ることもできます.今回、編集者は Pinduoduo ユーザーに詳細なオンライン サービスを提供しました購入した製品の記録を表示する方法。 1. 携帯電話を開き、Pinduoduo アイコンをクリックします。

初心者ユーザーがコンピュータを購入するとき、8g と 16g のコンピュータメモリの違いに興味を持つでしょう。 8gと16gどちらを選べばいいでしょうか?そんなお悩みに対し、今日は編集者が詳しく解説します。コンピューターのメモリの 8g と 16g の間に大きな違いはありますか? 1. 一般的な家庭や通常の仕事の場合、8G の実行メモリで要件を満たすことができるため、使用中に 8g と 16g の間に大きな違いはありません。 2. ゲーム愛好家が使用する場合、現在大規模なゲームは基本的に 6g からであり、8g が最低基準です。現状では画面が2kの場合、解像度が高くてもフレームレート性能は上がらないため、8gでも16gでも大きな差はありません。 3. オーディオおよびビデオ編集ユーザーにとって、8g と 16g の間には明らかな違いがあります。

報告書によると、サムスン電子幹部のキム大宇氏は、2024年の韓国マイクロエレクトロニクス・パッケージング協会年次総会で、サムスン電子は16層ハイブリッドボンディングHBMメモリ技術の検証を完了すると述べた。この技術は技術検証を通過したと報告されています。同報告書では、今回の技術検証が今後数年間のメモリ市場発展の基礎を築くとも述べている。 DaeWooKim氏は、「サムスン電子がハイブリッドボンディング技術に基づいて16層積層HBM3メモリの製造に成功した。メモリサンプルは正常に動作する。将来的には、16層積層ハイブリッドボンディング技術がHBM4メモリの量産に使用されるだろう」と述べた。 ▲画像出典 TheElec、以下同 ハイブリッドボンディングは、既存のボンディングプロセスと比較して、DRAMメモリ層間にバンプを追加する必要がなく、上下層の銅と銅を直接接続する。

当サイトは3月21日、マイクロンが四半期財務報告書の発表後に電話会議を開催したと報じた。 Micron CEOのSanjay Mehrotra氏はカンファレンスで、従来のメモリと比較してHBMは大幅に多くのウエハを消費すると述べた。マイクロンは、同じノードで同じ容量を生産する場合、現在最も先進的なHBM3Eメモリは標準的なDDR5の3倍のウエハを消費し、性能の向上とパッケージングの複雑さの増大により、将来的にはHBM4のこの比率がさらに増加すると予想されていると述べました。 。このサイトの以前のレポートを参照すると、この高い比率は HBM の歩留まりの低さによる部分もあります。 HBM メモリは、多層の DRAM メモリ TSV 接続でスタックされており、1 つの層に問題があると、全体の層に問題が発生することを意味します。

9月3日の当ウェブサイトのニュースによると、韓国メディアetnewsは昨日(現地時間)、サムスン電子とSKハイニックスの「HBM類似」積層構造モバイルメモリ製品が2026年以降に商品化されると報じた。関係者によると、韓国のメモリ大手2社はスタック型モバイルメモリを将来の重要な収益源と考えており、エンドサイドAIに電力を供給するために「HBMのようなメモリ」をスマートフォン、タブレット、ラップトップに拡張する計画だという。このサイトの以前のレポートによると、Samsung Electronics の製品は LPwide I/O メモリと呼ばれ、SK Hynix はこのテクノロジーを VFO と呼んでいます。両社はほぼ同じ技術的ルート、つまりファンアウト パッケージングと垂直チャネルを組み合わせたものを使用しました。 Samsung Electronics の LPwide I/O メモリのビット幅は 512

5月6日のこのウェブサイトのニュースによると、LexarはAres Wings of WarシリーズのDDR57600CL36オーバークロックメモリを発売しました。16GBx2セットは50元のデポジットで5月7日0:00に予約販売されます。 1,299元。 Lexar Wings of War メモリは、Hynix A-die メモリ チップを使用し、Intel XMP3.0 をサポートし、次の 2 つのオーバークロック プリセットを提供します: 7600MT/s: CL36-46-46-961.4V8000MT/s: CL38-48-49 -1001.45V放熱に関しては、このメモリ セットには厚さ 1.8 mm の全アルミニウム放熱ベストが装備されており、PMIC 独自の熱伝導性シリコン グリース パッドが装備されています。メモリは 8 つの高輝度 LED ビーズを使用し、13 の RGB 照明モードをサポートします。
