计算SGA各池的内存地址的边界
转载请注明出处 :http://blog.csdn.net/guoyjoe/article/details/18508283 有时我们想知道数据在SGA中的哪个池中,可以用下面的方法计算出各池的内存地址边界。 1、LOG BUFFER池内存地址边界 0x00000060222000 LOG BUFFER池内存 0x0000006682B000(0x000000
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有时我们想知道数据在SGA中的哪个池中,可以用下面的方法计算出各池的内存地址边界。
1、LOG BUFFER池内存地址边界
0x00000060222000 > LOG BUFFER池内存
如下计算:
sys@DTRACE> oradebug setmypid
Statement processed.
sys@DTRACE> oradebug ipc
Information written to trace file.
sys@DTRACE> col value for a80
sys@DTRACE> select value from v$diag_info where name='Default Trace File';
VALUE
--------------------------------------------------------------------------------
/export/home/oracle/diag/rdbms/dtrace/dtrace/trace/dtrace_ora_4103.trc
Area #2 `Redo Buffers' containing Subareas 1-1
Total size 0000000006609000 Minimum Subarea size 00000000
Area Subarea Shmid Stable Addr Actual Addr
2 1 196612 0x00000060222000 0x00000060222000
Subarea size Segment size
0000000006609000 0000000006c00000
2、BUFFER CACHE池内存地址的边界
0x0000000078A22000 > BUFFER CACHE池内存地址
如下计算:
sys@DTRACE> select min(ba),max(ba) from x$bh;
MIN(BA) MAX(BA)
---------------- ----------------
0000000078A22000 000000007FBD6000
3、SHARED POOL池内存地址边界
0x93800000> SHARED POOL池内存地址
如下计算:
gyj@DTRACE> alter session set events 'immediate trace name heapdump level 2';
Session altered.
gyj@DTRACE> col value for a80
gyj@DTRACE> select value from v$diag_info where name='Default Trace File';
VALUE
--------------------------------------------------------------------------------
/export/home/oracle/diag/rdbms/dtrace/dtrace/trace/dtrace_ora_4046.trc
more /export/home/oracle/diag/rdbms/dtrace/dtrace/trace/dtrace_ora_4046.trc
******************************************************
HEAP DUMP heap name="sga heap(1,0)" desc=0x600551a0
extent sz=0xfe0 alt=248 het=32767 rec=9 flg=-126 opc=0
parent=(nil) owner=(nil) nex=(nil) xsz=0x400000 heap=(nil)
fl2=0x20, nex=(nil), dsxvers=1, dsxflg=0x0
dsx first ext=0x9a800000
latch set 1 of 7
durations disabled for this heap
reserved granules for root 57 (granule size 4194304)
EXTENT 0 addr=0x93800000
.............................
EXTENT 5 addr=0x9b800000
Chunk 09b800058 sz= 80 perm "perm " alo=80
Chunk 09b8000a8 sz= 48 R-freeable "reserved stoppe"
Chunk 09b8000d8 sz= 212728 R-free " "
Chunk 09b833fd0 sz= 48 R-freeable "reserved stoppe"
Chunk 09b834000 sz= 2763512 perm "perm " alo=2763512
Chunk 09bad6af8 sz= 1209408 perm "perm " alo=1209408
Chunk 09bbfdf38 sz= 64 freeable "KGI Session Sta"
Chunk 09bbfdf78 sz= 40 freeable "listener addres"
Chunk 09bbfdfa0 sz= 128 freeable "dbgefgHtAddSK-1"
Chunk 09bbfe020 sz= 136 freeable "dbgefgHtAddSK-1"
Chunk 09bbfe0a8 sz= 40 freeable "plwppwp:PLW_STR"
Chunk 09bbfe0d0 sz= 160 freeable "joxs heap "
Chunk 09bbfe170 sz= 32 freeable "PRESENTATION EN"
Chunk 09bbfe190 sz= 2072 freeable "PRESENTATION TA"
Chunk 09bbfe9a8 sz= 1168 freeable "character set m"
Chunk 09bbfee38 sz= 4552 freeable "character set m"
Total heap size = 25165296
看转储的DUMP日志一个区的大小是: xsz=0x400000
QQ:252803295
技术交流QQ群:
DSI&Core Search Ⅰ 群:127149411(2000人技术群:未满)
DSI&Core Search Ⅱ 群:177089463(1000人技术群:未满)
DSI&Core Search Ⅲ 群:284596437(500人技术群:未满)
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9月3日の当ウェブサイトのニュースによると、韓国メディアetnewsは昨日(現地時間)、サムスン電子とSKハイニックスの「HBM類似」積層構造モバイルメモリ製品が2026年以降に商品化されると報じた。関係者によると、韓国のメモリ大手2社はスタック型モバイルメモリを将来の重要な収益源と考えており、エンドサイドAIに電力を供給するために「HBMのようなメモリ」をスマートフォン、タブレット、ラップトップに拡張する計画だという。このサイトの以前のレポートによると、Samsung Electronics の製品は LPwide I/O メモリと呼ばれ、SK Hynix はこのテクノロジーを VFO と呼んでいます。両社はほぼ同じ技術的ルート、つまりファンアウト パッケージングと垂直チャネルを組み合わせたものを使用しました。 Samsung Electronics の LPwide I/O メモリのビット幅は 512

報告書によると、サムスン電子幹部のキム大宇氏は、2024年の韓国マイクロエレクトロニクス・パッケージング協会年次総会で、サムスン電子は16層ハイブリッドボンディングHBMメモリ技術の検証を完了すると述べた。この技術は技術検証を通過したと報告されています。同報告書では、今回の技術検証が今後数年間のメモリ市場発展の基礎を築くとも述べている。 DaeWooKim氏は、「サムスン電子がハイブリッドボンディング技術に基づいて16層積層HBM3メモリの製造に成功した。メモリサンプルは正常に動作する。将来的には、16層積層ハイブリッドボンディング技術がHBM4メモリの量産に使用されるだろう」と述べた。 ▲画像出典 TheElec、以下同 ハイブリッドボンディングは、既存のボンディングプロセスと比較して、DRAMメモリ層間にバンプを追加する必要がなく、上下層の銅と銅を直接接続する。

当サイトは3月21日、マイクロンが四半期財務報告書の発表後に電話会議を開催したと報じた。 Micron CEOのSanjay Mehrotra氏はカンファレンスで、従来のメモリと比較してHBMは大幅に多くのウエハを消費すると述べた。マイクロンは、同じノードで同じ容量を生産する場合、現在最も先進的なHBM3Eメモリは標準的なDDR5の3倍のウエハを消費し、性能の向上とパッケージングの複雑さの増大により、将来的にはHBM4のこの比率がさらに増加すると予想されていると述べました。 。このサイトの以前のレポートを参照すると、この高い比率は HBM の歩留まりの低さによる部分もあります。 HBM メモリは、多層の DRAM メモリ TSV 接続でスタックされており、1 つの層に問題があると、全体の層に問題が発生することを意味します。
