インテルはインテル 3 プロセスを詳細に説明しています。より多くの EUV リソグラフィーを適用し、同じ電力消費の周波数を最大 18% 増加させます。

このサイトは 6 月 19 日、2024 IEEE VLSI シンポジウムの一環として、Intel が最近公式 Web サイトで Intel 3 プロセス ノードの技術詳細を紹介したと報告しました。

インテルの最新世代の FinFET トランジスタ テクノロジーは、インテル 4 と比較して、EUV を使用するための手順が追加されており、基本的なインテルを含むファウンドリ サービスを提供するノード ファミリでもあります。 3 と 3 つのバリアント ノード。

その中で、Intel 3-E は、アナログモジュールの製造に適した 1.2V 高電圧をネイティブにサポートしていますが、将来の Intel 3-PT は全体的なパフォーマンスをさらに向上させ、より微細な 9μm ピッチの TSV をサポートします。とハイブリッド キーを組み合わせます。

インテルは、自社の「究極の FinFET プロセス」として、

Intel 3-PT が今後長年にわたり主流の選択肢となり、オングストロームレベルのプロセスノードとともに社内および社外のファウンドリ顧客によって使用されると主張しています。 240nm の高性能ライブラリ (このサイトの注: HP ライブラリ) のみを含む Intel3 と比較して、Intel4 プロセスでは 210nm 高密度 (HD) ライブラリが導入され、トランジスタのパフォーマンス指向でより多くの可能性が提供されます。

インテルは、高密度ライブラリを使用する場合、基本的なインテル 3 プロセスはインテル 4 プロセスと比較して周波数を最大 18% 向上させることができると述べました。

さらに、インテルは、インテル 3 のベーシックバージョンのプロセス密度も 10% 増加し、「フルノード」レベルまでの向上を達成したと主張しています。

トランジスタ上の金属配線層に関しては、インテル 3 では、インテル 4 の 14+2 層に加えて、12+2 と 19+2 という 2 つの新しいオプションも提供されます。コストと高性能の使用。

具体的には、インテルは、インテル 3 の M0 や M1 などの主要なレイヤーでインテル 4 と同じピッチを維持し、主に M2 と M4 のピッチを 45nm から 42nm に縮小しました。

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