関係者によると、SKハイニックスの5層積層3D DRAMメモリの歩留まりは56.1%に達した
6月24日の当ウェブサイトのニュースによると、韓国メディアBusinessKoreaは、SKハイニックスが6月16日から20日まで米国ハワイで開催されたVLSI 2024サミットで3D DRAM技術に関する最新の研究論文を発表したことを業界関係者が明らかにしたと報じた。
この論文で、SK Hynixは、5層積層型3D DRAMメモリの歩留まりが56.1%に達したと報告しています。実験で使用した3D DRAMは、現在の2D DRAMと同様の特性を示しました。
報道によると、メモリセルを水平に配置する従来のDRAMとは異なり、3D DRAMはセルを垂直に積み重ねて同じ空間内で高密度を実現します。
しかし、SK Hynixは、2DDRAMの安定した動作とは異なり、3DDRAMは不安定な性能特性を示し、普遍的なアプリケーションを実現するには32〜192層のメモリセルの積層が必要であると指摘しました。
当サイトはSamsungが16層積層型3D DRAMを開発していることに注目し、今年3月の展示会MemCon 2024で2030年頃に3D DRAM製品を商品化する計画であると発表しました。
以上が関係者によると、SKハイニックスの5層積層3D DRAMメモリの歩留まりは56.1%に達したの詳細内容です。詳細については、PHP 中国語 Web サイトの他の関連記事を参照してください。
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マザーボードの DRAM ライトはオレンジ色ですが、ディスプレイが表示されません
Feb 19, 2024 am 11:09 AM
この記事では、マザーボード上の DRAM インジケーターの役割について説明します。マザーボードの DRAM ライトがオレンジ色に点灯しているのに何も表示されない場合は、ハードウェアに何らかの問題があることを意味している可能性があります。この場合、この記事ではこれらの問題を解決するためのいくつかの提案を提供します。マザーボード上の DRAM インジケータはオレンジ色ですが、マザーボードがコンピュータのコア ハードウェアであり、CPU、RAM、ハード ドライブなどの他のハードウェア コンポーネントを接続していることを示しているわけではありません。ハードウェアに問題がある場合、マザーボードはアラームを鳴らしたり、LED インジケーターを通じて問題を表示します。 DRAM インジケーター ライトがオレンジ色であるのにディスプレイが表示されない場合は、次の提案を試すことができます。ハード リセットを実行して CMOS をクリアします。メモリ モジュールを取り付け直し、各メモリ モジュールを確認します。BIOS を更新します。問題はメモリまたは CPU にある可能性があります。専門家のサポートを受けてください。
関係者によると、SKハイニックスの5層積層3D DRAMメモリの歩留まりは56.1%に達した
Jun 24, 2024 pm 01:52 PM
6月24日の当サイトのニュースによると、韓国メディアBusinessKoreaは、SKハイニックスが6月16日から20日まで米国ハワイで開催されたVLSI 2024サミットで3D DRAM技術に関する最新の研究論文を発表したと業界関係者が明らかにしたと報じた。この論文でSK Hynixは、5層積層型3D DRAMのメモリ歩留まりが56.1%に達し、実験で使用した3D DRAMは現行の2D DRAMと同様の特性を示したと報告している。報告書によると、メモリセルを水平に配置する従来のDRAMとは異なり、3D DRAMはセルを垂直に積み重ねて同じ空間内でより高い密度を実現します。しかし、SKハイニックスは
ドラムライトが点灯し続けて電話の電源が入らない場合はどうすればよいですか?
May 15, 2023 pm 05:15 PM
DRAM ライトが常に点灯し、点灯できない問題の解決策: 1. メモリ モジュールがメモリ スロットに正しく取り付けられているかどうかを確認し、メモリをスロットに挿入し、所定の位置にしっかりと固定されていることを確認します。圧縮ガスまたは柔らかいブラシを使用してメモリ スロットを清掃し、メモリ モジュールの接触に影響を与えるほこりや不純物がないことを確認します; 3. メモリ モジュールが損傷しているか、または正常に動作していないかを確認し、互換性のあるメモリ モジュールを選択します。交換するマザーボードを確認し、メモリ モジュールの仕様、容量、速度がマザーボードの要件と一致していることを確認します。 ; 4. メモリ モジュールを再度挿入および取り外して、メモリ モジュールが良好に接触していることを確認します。 ; 5.マザーボードを交換します。
1cナノ世代メモリ競争：サムスンはEUVの利用拡大を計画、マイクロンはモリブデンとルテニウム材料を投入
Feb 04, 2024 am 09:40 AM
韓国メディアTheElecは、サムスンとマイクロンが次世代DRAMメモリである1cnmプロセスにさらなる新技術を導入すると報じた。この動きにより、メモリのパフォーマンスとエネルギー効率がさらに向上すると期待されています。世界の DRAM 市場の主要リーダーとして、サムスンとマイクロンの技術革新は業界全体の発展を促進します。これは、将来のメモリ製品がより効率的かつ強力になることも意味します。このサイトからの注: 1cnm 世代は 6 番目の 10+nm 世代であり、Micron はこれを 1γnm プロセスとも呼んでいます。現在最も先進的なメモリは 1bnm 世代であり、Samsung では 1bnm を 12nm レベルのプロセスと呼んでいます。アナリスト会社TechInsightsのシニアバイスプレジデント、チェジョンドン氏は最近のセミナーでマイクロンが1cnmフェスティバルに参加すると述べた。
関係者によると、サムスン電子とSKハイニックスは2026年以降に積層型モバイルメモリを商品化する予定
Sep 03, 2024 pm 02:15 PM
9月3日の当ウェブサイトのニュースによると、韓国メディアetnewsは昨日（現地時間）、サムスン電子とSKハイニックスの「HBM類似」積層構造モバイルメモリ製品が2026年以降に商品化されると報じた。関係者によると、韓国のメモリ大手2社はスタック型モバイルメモリを将来の重要な収益源と考えており、エンドサイドAIに電力を供給するために「HBMのようなメモリ」をスマートフォン、タブレット、ラップトップに拡張する計画だという。このサイトの以前のレポートによると、Samsung Electronics の製品は LPwide I/O メモリと呼ばれ、SK Hynix はこのテクノロジーを VFO と呼んでいます。両社はほぼ同じ技術的ルート、つまりファンアウト パッケージングと垂直チャネルを組み合わせたものを使用しました。 Samsung Electronics の LPwide I/O メモリのビット幅は 512
Hynix は UFS 4.1 フラッシュ メモリを初めて実証しました: V9 TLC NAND 粒子に基づく
Aug 09, 2024 pm 03:33 PM
8月9日のニュースによると、SK HynixはFMS2024サミットで、仕様がまだ正式にリリースされていないUFS4.1ユニバーサルフラッシュメモリを含む最新のストレージ製品をデモした。 JEDEC Solid State Technology Associationの公式Webサイトによると、現在発表されている最新のUFS仕様は2022年8月のUFS4.0です。理論上のインターフェース速度は46.4Gbpsと高速で、UFS4.1ではさらに伝送速度が向上すると予想されています。レート。 1. Hynix は、321 層 V91TbTLCNAND フラッシュ メモリをベースとした 512GB および 1TBUFS4.1 の汎用フラッシュ メモリ製品をデモしました。 SK Hynixは3.2GbpsV92TbQLC粒子と3.6GbpsV9H1TbTLC粒子も展示した。 Hynix が V7 ベースを披露
AIの波の影響は明らかで、トレンドフォースは今四半期のDRAMメモリとNANDフラッシュメモリの契約価格の上昇予測を上方修正した。
May 07, 2024 pm 09:58 PM
TrendForceの調査レポートによると、AIの波はDRAMメモリとNANDフラッシュメモリ市場に大きな影響を与えています。 5 月 7 日のこのサイトのニュースで、TrendForce は本日の最新調査レポートの中で、同庁が今四半期 2 種類のストレージ製品の契約価格の値上げを拡大したと述べました。具体的には、TrendForce は当初、2024 年第 2 四半期の DRAM メモリの契約価格が 3 ～ 8% 上昇すると予測していましたが、現在は NAND フラッシュ メモリに関しては 13 ～ 18% 上昇すると予測しています。 18%、新しい推定値は 15% ～ 20% ですが、eMMC/UFS のみが 10% 増加しています。 ▲画像出典 TrendForce TrendForce は、同庁は当初、今後も継続することを期待していたと述べた。
SK Hynix が Platinum P51 SSD をデモ: シーケンシャル読み取りピーク 13500 MB/秒
Mar 20, 2024 pm 02:36 PM
3 月 20 日のこの Web サイトのニュースによると、SK Hynix は最近 NVIDIA GTC2024 カンファレンスに出席し、コンシューマー市場向け初の Gen5NVMe ソリッド ステート ドライブ シリーズ、Platinum P51M.22280NVMeSSD をデモしました。 PlatinumP51 は GoldP31 および PlatinumP41 に似ており、自社設計の SSD マスター コントロールを使用しますが、主なハイライトは PCIeGen5 と 238 層 TLCNAND フラッシュ メモリの使用です。このサイトからのメモ: Hynix は 2012 年に SSD マスター コントロール メーカー LAMD を買収し、独自のマスター コントロールを設計できるようになりました。 SKハイニックスはブースで、Platinum P51は500GB、1TB、2TBで発売されると述べた
