関係者によると、SKハイニックスの5層積層3D DRAMメモリの歩留まりは56.1%に達した

6月24日の当ウェブサイトのニュースによると、韓国メディアBusinessKoreaは、SKハイニックスが6月16日から20日まで米国ハワイで開催されたVLSI 2024サミットで3D DRAM技術に関する最新の研究論文を発表したことを業界関係者が明らかにしたと報じた。

この論文で、SK Hynixは、5層積層型3D DRAMメモリの歩留まりが56.1%に達したと報告しています。実験で使用した3D DRAMは、現在の2D DRAMと同様の特性を示しました。

報道によると、メモリセルを水平に配置する従来のDRAMとは異なり、3D DRAMはセルを垂直に積み重ねて同じ空間内で高密度を実現します。

しかし、SK Hynixは、2DDRAMの安定した動作とは異なり、3DDRAMは不安定な性能特性を示し、普遍的なアプリケーションを実現するには32〜192層のメモリセルの積層が必要であると指摘しました。

当サイトはSamsungが16層積層型3D DRAMを開発していることに注目し、今年3月の展示会MemCon 2024で2030年頃に3D DRAM製品を商品化する計画であると発表しました。

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