業界最高容量、キオクシア 2Tb QLC フラッシュメモリサンプル出荷：第 5 世代と比較してビット密度が 2.3 倍に向上

Kiaoxia、2Tb QLCストレージサンプルをリリース

1. 2Tb QLCストレージ製品

は、第8世代BiCS FLASH 3Dフラッシュメモリテクノロジーを採用しており、業界最高容量を備えています。

2. ビット密度と書き込みエネルギー効率の向上

第5世代QLCデバイスと比較して、ビット密度は約2.3倍に向上し、書き込みエネルギー効率は約70%向上しました。

3. コンパクトパッケージ

16チップスタックアーキテクチャを使用し、サイズは11.5 x 13.5 mm、高さ1.5 mm、総容量は4 TBに達します。

4. CBA テクノロジー

CBA (CMOS Direct Binding to Array) テクノロジーを使用して、3.6Gbps インターフェイス速度をサポートする高密度デバイスを作成します。

5. 製品ラインの拡張

パフォーマンス重視のアプリケーション向けに特別に設計された 1Tb QLC メモリの導入により、シーケンシャル書き込みパフォーマンスが約 30% 向上し、読み取り遅延が約 15% 削減されます。

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