長江メモリは再び「剣を見せ」、11件の特許を侵害したとして米国でマイクロンを告訴した。

7月22日の当サイトのニュース、海外メディアTomshardwareによると、中国の3D NANDフラッシュメモリメーカーYangtze Memoryは最近Micronを再度法廷に持ち出し、カリフォルニア北部地区のMicronが3D NANDを含むYangtze Memoryの11件の特許を侵害していると訴えた。フラッシュおよびDRAM製品。長江メモリはまた、マイクロンに対し、米国内での侵害メモリ製品の販売を停止し、特許使用料を支払うよう命令するよう裁判所に要請した。

長江メモリは、Micron の次のことを主張しました:

1. 96 層 (B27A)
2. 128 層 (B37R)
3. 176 層 (B47R)
4. 232 層 (B58R) 3D NAND フラッシュ

および Micron の一部の DDR5 SDRAM 製品(Y2BMシリーズ)は、米国のYangtze Memoryが提出した11件の特許または特許出願を侵害しています。

2023年11月、長江メモリは米国で8件の特許を含む特許侵害でマイクロンを訴え、2024年6月にはマイクロンが資金提供する米国のコンサルティング会社を虚偽の情報を流布したとして訴えた。長江記憶が再び「剣を見せた」今、当サイトでは続報訴訟ニュースをフォローしていきたい。

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