iPhoneは2TB時代に突入するのか？ AppleがTLCを放棄してQLCを採用することが明らかになり、性能と寿命が焦点に

7月25日のニュースによると、最新の海外メディアの報道によると、Appleは2026年のiPhoneシリーズに前例のない2TBのストレージ容量を導入する予定であるとのこと。この変化の背景では、Appleは技術革新による製品競争力のさらなる向上を目指し、QLC
NANDフラッシュメモリ技術のアップグレードを加速させています。業界関係者によると、Apple は主にコスト管理を考慮して、将来のストレージ ソリューションの鍵として QLC NAND フラッシュ メモリを選択しました。現在広く使用されている TLC NAND フラッシュ メモリと比較して、QLC
NAND は独自の 4 層セル設計により記憶密度の大幅な向上を実現しました。各ストレージ ユニットは 4 ビットのデータを保存できます。つまり、同じ物理空間に QLC
NAND はより多くのデータを保存したり、ユニット数を減らすことで同じストレージ容量を実現したりできるため、生産コストを効果的に削減できます。

1. QLC NAND フラッシュ メモリには記憶密度の点で利点がありますが、書き込み耐久性と速度の点でいくつかの課題に直面しています。

2. 各ユニットはより多くのデータを保存する必要があるため、それに応じて書き込み数が増加し、データの耐久性が低下する可能性があります。
3. さらに、QLC NAND は 16 の異なる電荷レベルを保存できますが、これは TLC の 8 レベルよりも複雑であり、読み取りプロセス中のノイズ干渉やビットエラーのリスクがある程度増加します。
4. Apple は QLC NAND テクノロジーを進歩させる一方で、これらの潜在的な問題を解決し始めていることがわかります。
5. ファームウェアアルゴリズムを最適化し、エラー修正メカニズムを強化することで、Apple はストレージパフォーマンスを確保しながら、QLC NAND の信頼性と耐久性を向上させるよう努めています。
6. それにもかかわらず、QLC NAND の導入により、一部のユーザーは依然としてデータ書き込み速度の変化を経験する可能性があり、特にストレージ容量が 1TB 以上の iPhone 16 シリーズでは、この現象がより顕著になる可能性があります。
7. Apple のストレージ技術に対する大幅な調整は、同社の絶え間ない技術革新の追求を反映しているだけでなく、スマートフォン市場がストレージ容量の革命を起こそうとしていることを示しています。 -->

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