シーケンシャル読み取り最大26GB/秒!マイクロン、業界初の環境に優しい PCIe 6.0 データセンター SSD を発売
8月6日の当ウェブサイトのニュースによると、マイクロンは現地時間5日、米国カリフォルニア州サンタクララで、環境支援を目的とした業界初のPCIe 6.0データセンターソリッドステートドライブの開発に成功したと発表した。 SSD のシーケンシャル読み取り速度は最大 26GB/秒です。
Micron が 7 月 23 日にリリースした 9550 シリーズ PCIe 5.0 データセンター SSD のシーケンシャル読み取り速度は 14GB/s です。言い換えれば、Micron の新世代製品はシーケンシャル読み取りにおいて 85.7% 向上しました。
PCIe 6.0 エコシステムの立ち上げの兆候の 1 つとして、マイクロンは現地時間 8 月 6 日から 8 日までサンタクララで開催される FMS 2024 Summit で新しい PCIe 6.0 データセンター ソリッド ステート ドライブを展示します。
さらに、マイクロン上級副社長ラジ・ナラシンハン氏が、太平洋時間8月7日午前11時(本サイト注:北京時間8月8日午前2時)のサミットで発表する予定です。講演テーマは「データは人工知能の中核です: マイクロンのメモリとストレージが人工知能革命を促進します。」
以上がシーケンシャル読み取り最大26GB/秒!マイクロン、業界初の環境に優しい PCIe 6.0 データセンター SSD を発売の詳細内容です。詳細については、PHP 中国語 Web サイトの他の関連記事を参照してください。

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8 月 8 日のこのサイトのニュースによると、サムスンは 2024 年のフラッシュ メモリ サミット (FMS) で、PM1753、BM1743、PM9D3a、PM9E1 などの多数の新しい SSD 製品をデモし、第 9 世代 QLCV-NAND、TLCV-NAND、およびCMM-D –DRAM、CMM-HTM、CMM-HPM、および CMM-BCXL テクノロジーが導入されました。 BM1743は最大128TBの容量、連続読み取り速度7.5GB/s、書き込み速度3.5GB/s、ランダム読み取り160万IOPS、書き込み45,000IOPSのQLCフラッシュメモリを採用しています。 2.5 インチのフォーム ファクターと U.2 インターフェイスを備え、アイドル状態の消費電力は 4 W に削減され、その後の OTA アップデート後は、

7月30日の当サイトのニュースによると、Micronは本日(現地時間)、第9世代(サイト注:276層)3DTLC NANDフラッシュメモリを量産し、出荷すると発表した。マイクロンによると、同社のG9NANDは業界最高のI/O転送速度3.6GB/秒(つまり、フラッシュメモリインターフェース速度3600MT/秒)で、これは既存の競合製品の2400MT/秒よりも50%高く、要求を満たすことができるという。データ集約型のワークロードのニーズ。同時に、Micron の G9NAND は、書き込み帯域幅と読み取り帯域幅の点で、市場の他のソリューションよりもそれぞれ 99% および 88% 高く、この NAND 粒子レベルの利点により、ソリッド ステート ドライブと組み込みストレージにパフォーマンスとエネルギー効率がもたらされます。解決策。さらに、前世代の Micron NAND フラッシュ メモリと同様に、Micron 276

当サイトは3月21日、マイクロンが四半期財務報告書の発表後に電話会議を開催したと報じた。 Micron CEOのSanjay Mehrotra氏はカンファレンスで、従来のメモリと比較してHBMは大幅に多くのウエハを消費すると述べた。マイクロンは、同じノードで同じ容量を生産する場合、現在最も先進的なHBM3Eメモリは標準的なDDR5の3倍のウエハを消費し、性能の向上とパッケージングの複雑さの増大により、将来的にはHBM4のこの比率がさらに増加すると予想されていると述べました。 。このサイトの以前のレポートを参照すると、この高い比率は HBM の歩留まりの低さによる部分もあります。 HBM メモリは、多層の DRAM メモリ TSV 接続でスタックされており、1 つの層に問題があると、全体の層に問題が発生することを意味します。

この Web サイトは 7 月 22 日、ICEDOCK が今月 19 日に ExpressSlotMB204MP-B 4 ベイ M.2 ソリッド ステート ドライブ抽出ボックスを発売したと報告しました。抽出ボックスはPCIeAICアドオンカードの形状を採用し、PCIe6Pin補助電源を必要とし、3次元寸法は204.5×21.59×126.9(mm)で、PCIe5.0プロトコルをサポートし、16GB/sのPCIe5を提供できます。各ソリッド ステート ドライブの .0×4 フルスピード帯域幅。 Esidak ExpressSlotMB204MP-B SSD 抽出ボックスは、M.22230/2242/2260/2280 SSD と互換性があります。ただし、これらの SSD の各側面の厚さは 1.5 mm を超えてはなりません。

8月7日の当サイトのニュースによると、PhisonはFMS2024サミットでPascariエンタープライズクラスのソリッドステートドライブ製品ラインをフルデモンストレーションした。この製品ラインは 5 つの主要カテゴリをカバーしており、さまざまなエンタープライズ レベルおよびデータセンター アプリケーションを対象としています。このサイトの簡単な紹介は次のとおりです: X シリーズ - 最高のパフォーマンス Phison の X シリーズ エンタープライズ クラス SSD は、「極端な書き込み要件に合わせて設計」されています。最初の X200 ファミリに加えて、Phison は最大容量 32TB 注 1 の 2 つの PCIe 4.0 製品、X100P と X100E、それぞれ 1DWPD と 3DWPD も発売しました。 X100Pも

3 月 20 日のこの Web サイトのニュースによると、SK Hynix は最近 NVIDIA GTC2024 カンファレンスに出席し、コンシューマー市場向け初の Gen5NVMe ソリッド ステート ドライブ シリーズ、Platinum P51M.22280NVMeSSD をデモしました。 PlatinumP51 は GoldP31 および PlatinumP41 に似ており、自社設計の SSD マスター コントロールを使用しますが、主なハイライトは PCIeGen5 と 238 層 TLCNAND フラッシュ メモリの使用です。このサイトからのメモ: Hynix は 2012 年に SSD マスター コントロール メーカー LAMD を買収し、独自のマスター コントロールを設計できるようになりました。 SKハイニックスはブースで、Platinum P51は500GB、1TB、2TBで発売されると述べた

6 月 18 日のこのサイトのニュースによると、サムスン セミコンダクターは最近、最新の QLC フラッシュ メモリ (v7) を搭載した次世代データセンター グレードのソリッド ステート ドライブ BM1743 をテクノロジー ブログで紹介しました。 ▲Samsung QLCデータセンターグレードのソリッドステートドライブBM1743 4月のTrendForceによると、QLCデータセンターグレードのソリッドステートドライブの分野で、SamsungとSK Hynixの子会社であるSolidigmだけが企業向け顧客検証に合格したという。その時。前世代の v5QLCV-NAND (このサイトの注: Samsung v6V-NAND には QLC 製品がありません) と比較して、Samsung v7QLCV-NAND フラッシュ メモリは積層数がほぼ 2 倍になり、記憶密度も大幅に向上しました。同時に、v7QLCV-NAND の滑らかさ

7月15日の当サイトのニュースによると、WeChatの公開アカウントChannelGateによると、キングストンは新世代のエントリーレベルNVMeソリッドステートドライブシリーズNV3を8月に発売する予定だという。 Kingston NV3 は、既存製品 NV2 と同じ PCIe4.0×4 仕様を引き続き使用し、シーケンシャル読み取り速度は 6000MB/s に向上し、シーケンシャル書き込み速度も 5000MB/s に達し、3500 よりも大幅に高速になります。 NV2の/2800MB/秒。 NV3 ソリッド ステート ドライブは、NV2 に登場した 250GB バージョンを廃止し、500GB、1TB、2TB、4TB の 4 つの容量ポイントをカバーします。このサイトは、NV3 のパラメーターが、2024 台北国際コンピューター ショーでキングストンが以前展示した KentingBay の「KentingBay」に似ていることに気づきました。
