サムスン電子が平澤P4工場の1cnm DRAMメモリ生産ラインへの投資を確認し、来年6月の稼働を目指していると伝えられた。

本サイトの8月12日のニュースによると、韓国メディアETNewsは、サムスン電子が平澤P4工場に1c nm DRAMメモリ生産ラインを建設する投資計画を内部で確認し、生産ラインは6月の稼働を目標としていると報じた。来年。平澤 P4 は 4 つのフェーズに分かれた総合半導体生産センターです。初期の計画では、第 1 フェーズは NAND フラッシュ メモリ用、第 2 フェーズはロジック ファウンドリ用、第 3 フェーズと第 4 フェーズは DRAM メモリ用でした。サムスンはP4の第1期でDRAM生産設備を導入したが、第2期の建設は見送った。 1c nm DRAM は 20 ～ 10 nm メモリ技術の第 6 世代であり、各社の 1c nm (または対応する 1γ nm) 製品はまだ正式にリリースされていません。韓国メディアは、サムスン電子が今年末に1c nmメモリの生産を開始する計画だと報じた。

▲ サムスン平沢工場 このサイトの以前のレポートによると、サムスン電子は、HBM4製品のエネルギー効率の競争力を向上させるために、来年下半期に発売されるHBM4メモリに1c nm DRAMダイの使用を検討しているとのこと。より高度な DRAM プロセスを開発し、この分野のリーダーである HBM SK hynix に追いつきます。
HBM メモリの DRAM ウェハ消費量が従来のメモリの消費量よりもはるかに多いことを考慮して、平沢 P4 の 1c nm DRAM 生産ラインの建設は、HBM4 の生産ニーズにも対応する準備を整えています。

以上がサムスン電子が平澤P4工場の1cnm DRAMメモリ生産ラインへの投資を確認し、来年6月の稼働を目指していると伝えられた。の詳細内容です。詳細については、PHP 中国語 Web サイトの他の関連記事を参照してください。