Nginxメモリプール分析
この記事では主に Nginx のメモリ プールについて説明し、役立つことを願っています。 
これは確かによく書かれていて力強いので、もっと読む価値があります。
追加のスクリーンショット: 
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大規模なメモリの最適化。コンピュータが 16g/32g のメモリ速度にアップグレードしても変化がない場合はどうすればよいですか?
Jun 18, 2024 pm 06:51 PM
機械式ハード ドライブまたは SATA ソリッド ステート ドライブの場合、NVME ハード ドライブの場合は、ソフトウェアの実行速度の向上を感じられない場合があります。 1. レジストリをデスクトップにインポートし、新しいテキスト ドキュメントを作成し、次の内容をコピーして貼り付け、1.reg として保存し、右クリックしてマージしてコンピュータを再起動します。 WindowsRegistryEditorVersion5.00[HKEY_LOCAL_MACHINE\SYSTEM\CurrentControlSet\Control\SessionManager\MemoryManagement]"DisablePagingExecutive"=d
関係者によると、サムスン電子とSKハイニックスは2026年以降に積層型モバイルメモリを商品化する予定
Sep 03, 2024 pm 02:15 PM
9月3日の当ウェブサイトのニュースによると、韓国メディアetnewsは昨日（現地時間）、サムスン電子とSKハイニックスの「HBM類似」積層構造モバイルメモリ製品が2026年以降に商品化されると報じた。関係者によると、韓国のメモリ大手2社はスタック型モバイルメモリを将来の重要な収益源と考えており、エンドサイドAIに電力を供給するために「HBMのようなメモリ」をスマートフォン、タブレット、ラップトップに拡張する計画だという。このサイトの以前のレポートによると、Samsung Electronics の製品は LPwide I/O メモリと呼ばれ、SK Hynix はこのテクノロジーを VFO と呼んでいます。両社はほぼ同じ技術的ルート、つまりファンアウト パッケージングと垂直チャネルを組み合わせたものを使用しました。 Samsung Electronics の LPwide I/O メモリのビット幅は 512
Kingbang が新しい DDR5 8600 メモリを発売、CAMM2、LPCAMM2、および通常のモデルから選択可能
Jun 08, 2024 pm 01:35 PM
6 月 7 日のこのサイトのニュースによると、GEIL は 2024 台北国際コンピューター ショーで最新の DDR5 ソリューションを発表し、SO-DIMM、CUDIMM、CSODIMM、CAMM2、および LPCAMM2 バージョンから選択できるように提供しました。 ▲画像出典：Wccftech 写真に示すように、Jinbang が展示した CAMM2/LPCAMM2 メモリは非常にコンパクトな設計を採用しており、最大 128GB の容量と最大 8533MT/s の速度を実現できる製品もあります。 AMDAM5 プラットフォームで安定しており、補助冷却なしで 9000MT/s までオーバークロックされます。レポートによると、Jinbang の 2024 Polaris RGBDDR5 シリーズ メモリは最大 8400 のメモリを提供できます。
Lexar God of War Wings ARES RGB DDR5 8000 メモリ ピクチャー ギャラリー: カラフルな白い翼は RGB をサポートします
Jun 25, 2024 pm 01:51 PM
7600MT/s や 8000MT/s などの UHF フラッグシップ メモリの価格が一般的に高い中、Lexar は、Ares Wings ARES RGB DDR5 と呼ばれる新しいメモリ シリーズを発売し、7600 C36 と 8000 C38 の 2 つの仕様が用意されています。 16GB*2セットの価格はそれぞれ1,299元と1,499元で、非常にコストパフォーマンスが高いです。このサイトは Wings of War の 8000 C38 バージョンを入手したので、その開封写真をお届けします。 Lexar Wings ARES RGB DDR5 メモリのパッケージは、目を引く黒と赤の配色とカラフルな印刷を使用し、うまくデザインされています。パッケージの左上隅に専用の「&quo」があります。
DDR5 MRDIMM および LPDDR6 CAMM メモリ仕様が発売の準備が整い、JEDEC が主要な技術詳細をリリース
Jul 23, 2024 pm 02:25 PM
このウェブサイトの7月23日のニュースによると、マイクロエレクトロニクスの標準設定者であるJEDECソリッドステート技術協会は現地時間22日、DDR5MRDIMMとLPDDR6CAMMメモリの技術仕様が間もなく正式に発表されると発表し、これら2つの主要な詳細を紹介しました。思い出。 DDR5MRDIMM の「MR」は MultiplexedRank の略で、メモリが 2 つ以上のランクをサポートし、追加の物理接続なしで単一チャネルで複数のデータ信号を結合して送信できることを意味し、帯域幅を効果的に増加できます。 JEDEC は、現在の 6.4Gbps の DDR5RDIMM メモリと比較して、最終的には帯域幅を 12.8Gbps に増加することを目標として、複数世代の DDR5MRDIMM メモリを計画しています。
Longsys が FORESEE LPCAMM2 ノートブック メモリを表示: 最大 64GB、7500MT/秒
Jun 05, 2024 pm 02:22 PM
5 月 16 日のこの Web サイトのニュースによると、Lexar ブランドの親会社である Longsys は、CFMS2024 で新しい形式のメモリである FORESEELPCAMM2 をデモンストレーションすると発表しました。 FORESEELPCAMM2 は LPDDR5/5x パーティクルを搭載し、315 ボールおよび 496 ボール設計と互換性があり、7500MT/s 以上の周波数をサポートし、16 GB、32 GB、および 64 GB の製品容量オプションを備えています。製品技術の面では、FORESEELPCAMM2は、圧縮コネクタ上に4つのx32LPDDR5/5xメモリ粒子を直接パッケージ化する新しい設計アーキテクチャを採用し、単一メモリモジュール上で128ビットメモリバスを実現し、標準メモリモジュールよりも効率的なパッケージングを実現します。
サムスン電子が平澤P4工場の1cnm DRAMメモリ生産ラインへの投資を確認し、来年6月の稼働を目指していると伝えられた。
Aug 12, 2024 pm 04:31 PM
8月12日の当サイトのニュースによると、韓国メディアETNewsは、サムスン電子が平沢P4工場に1cnm DRAMメモリ生産ラインを建設する投資計画を内部で確認したと報じた。この生産ラインは来年6月の稼動を目標としている。年。平沢P4は4つのフェーズに分かれた総合半導体生産センターです。当初の計画では、第 1 フェーズは NAND フラッシュ メモリ、第 2 フェーズはロジック ファウンドリ、第 3 フェーズと第 4 フェーズは DRAM メモリでした。サムスンはP4の第1期でDRAM生産設備を導入したが、第2期の建設は延期した。 1cnm DRAMは第6世代の20～10nmメモリプロセスであり、各社の1cnm（または相当する1γnm）製品はまだ正式リリースされていない。韓国メディアは、サムスン電子が今年末に1cnmメモリの生産を開始する計画だと報じた。 ▲三星平沢
サムスン電子が自社の優位性を再構築するために、1dnm DRAMメモリ技術開発チームを先行して設立したと伝えられている。
May 09, 2024 pm 06:31 PM
5月9日の当ウェブサイトのニュースによると、韓国メディアのセデイリーは業界筋の話として、サムスン電子が最近1dnm DRAMメモリの技術開発チームの結成を決定したと伝えた。現在、DRAM メモリ業界の最新プロセスは 10+nm シリーズの第 5 世代プロセス、つまり 3 つの主要メモリ メーカー (Samsung Electronics、SK Hynix、Micron) の次世代 DRAM プロセス 1cnm になります。今年の第 3 四半期から来年にかけて生産が開始され、1dnm プロセスは 1cnm 以降となり、量産は 2026 年以降になると予想されます。サムスン電子が各世代のDRAM技術を開発する場合、通常、量産に近いPA（プロセスアーキテクチャ）段階まで半導体技術者やプロセス技術者を含むチームを編成しない。
