B250 マザーボードでサポートされる最大メモリ周波数はどれくらいですか?
Gigabyte B250 マザーボードは、最大メモリ周波数 2400Mhz と最大メモリ容量 64GB をサポートします。
ギガバイト B250-HD3 の詳細パラメータ:
#マザーボード チップ | |
サウンド カード/ネットワーク カード | |
Intel B250 | |
Intel B250 チップセットの使用 | |
CPU 内蔵ディスプレイ チップ (CPU サポートが必要) | |
統合 Realtek ALC892 8 チャンネル サウンド チップ | |
オンボード インテル ギガビット NIC | |
##CPU タイプ | |
CPU ソケット | |
CPU の説明 | |
メモリタイプ | |
最大メモリ容量 | |
メモリの説明 | |
PCI-E 標準 | |
PCI-E スロット | |
PCI スロット | |
ストレージ インターフェイス | |
#USB インターフェイス | |
ビデオ インターフェイス | |
電源インターフェイス | |
その他のインターフェイス | |
ボード タイプ | |
マザーボード ボード タイプ | |
外形寸法 | |
##ソフトウェア管理 | |
#BIOSパフォーマンス2x64Mbit フラッシュ | 認定された AMI UEFI BIOS を使用|
その他のパラメータ |
|
複数のグラフィックス カード テクノロジAMD 3-Way CrossFireX 3 ウェイ クロスファイア テクノロジをサポート | AMD CrossFireX ハイブリッド クロスファイアをサポートテクノロジー|
電源モード |
七相 |
ハードウェア監視 | 電圧検出 | 温度検出
ファン障害警告 | インテリジェントファン制御
発行日 01, 2017 Month |
マザーボード アクセサリ | |
マザーボード x 1説明書 x 1 | ドライバー CD x1|
保証情報 | |
保証ポリシー | 全国共同保証、3 つの保証サービスをお楽しみください |
保証期間 | 3 年 |
保証に関する備考 | 3 年保証 |
カスタマーサービスの電話番号 | 800-820-0926 |
電話での備考 | 月曜日から金曜日: 9:00-18:00 (祝日を除く) |
詳細 | Gigabyte は中国本土 (香港、マカオ、台湾を除く) に販売しています。認定および認定されたチャネルを通じて消費者に販売される GIGABYTE マザーボードは、合法的に 3 年間の無償保証サービスを提供します (三保法に規定されている保証期間をカバーします)。さらに、購入後 1 か月以内に GIGABYTE メンバー Web サイトにログインして登録申請を提出し、申請が成功した消費者は、4 年間の無償保証を受けることができます。 |
データ ソース: 中関村オンライン見積センター (detail.zol.com.cn) |
以上がB250 マザーボードでサポートされる最大メモリ周波数はどれくらいですか?の詳細内容です。詳細については、PHP 中国語 Web サイトの他の関連記事を参照してください。

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機械式ハード ドライブまたは SATA ソリッド ステート ドライブの場合、NVME ハード ドライブの場合は、ソフトウェアの実行速度の向上を感じられない場合があります。 1. レジストリをデスクトップにインポートし、新しいテキスト ドキュメントを作成し、次の内容をコピーして貼り付け、1.reg として保存し、右クリックしてマージしてコンピュータを再起動します。 WindowsRegistryEditorVersion5.00[HKEY_LOCAL_MACHINE\SYSTEM\CurrentControlSet\Control\SessionManager\MemoryManagement]"DisablePagingExecutive"=d

4月22日のこのサイトのニュースによると、Sapphire(Sapphire Technology)は最近、NITRO+B650IWIFIウルトラプラチナマザーボードを発売しました。電子商取引プラットフォームでは1,689元のクーポンを入手でき、価格は1,679元です。元。当サイトの問い合わせによれば、Sapphireは2021年にNITRO+B550Iマザーボードを発売しており、今回の新製品はその後継製品といえる。 Sapphire NITRO+B650IWIFIは、8層PCB+8フェーズデジタル電源設計を採用し、PowerStage70ADr.MOSを使用し、DDR5-6000+メモリオーバークロックをサポートします。ストレージ面では、Gen4x4 M.2インターフェイスを2基、SATA3インターフェイスを4基搭載。このマザーボードは、MOS 電源と前面 M.2 ベイで覆われています。

4月11日の当サイトのニュースによると、ドイツのテクノロジーメディアComputeBaseによると、Guangji TechnologyはEmbeddedWorld2024カンファレンスに出席し、LGA-1851スロットを使用したマザーボードを初めて公開デモした。このマザーボードは Intel Meteor Lake プロセッサと互換性があり、主に組み込みシステムで使用されます。メディアは詳細に調査し、複数の写真を共有し、LGA-1851 が Intel の既存の LGA-1700 ソケットと同じサイズであることを確認しました。このサイトに添付された関連写真は次のとおりです: CPU と互換性はありませんが、CPU には互換性がありますクーラーはありますが、LGA-1851 ソケットはありません。151 個の追加ピンが追加され、CPU ロック システムが調整されたため、既存の LGA-1700 ソケット プロセッサーとは互換性がありません。でもLGだから

6月5日の当サイトのニュースによると、海外メディアTechPowerUpによると、Biostarは2024年台北国際コンピュータショーでIntelの次世代デスクトップCPUをサポートするLGA1851ソケットのZ890マザーボードを2台展示したとのこと。この2つのマザーボードはフラッグシップのZ890VALKYRIE「Valkyrie」とメインストリームのZ890A-SILVERで、どちらもATX仕様で無線ネットワークカードはプリインストールされていない。この Web サイトでは、2 つのマザーボードの詳細なパラメーターを次のように要約しています。 Z890VALKYRIE は、「Valkyrie」ファミリーの金粉末ダブルウィング要素を継承し、23 相電源設計を使用し、4 つの DDR5 メモリ スロットを備えています。 ▲画像出典 TechPowerUp、以下同様 このマザーボードは 3 つの合金強化 PCIeG を提供します。

9月3日の当ウェブサイトのニュースによると、韓国メディアetnewsは昨日(現地時間)、サムスン電子とSKハイニックスの「HBM類似」積層構造モバイルメモリ製品が2026年以降に商品化されると報じた。関係者によると、韓国のメモリ大手2社はスタック型モバイルメモリを将来の重要な収益源と考えており、エンドサイドAIに電力を供給するために「HBMのようなメモリ」をスマートフォン、タブレット、ラップトップに拡張する計画だという。このサイトの以前のレポートによると、Samsung Electronics の製品は LPwide I/O メモリと呼ばれ、SK Hynix はこのテクノロジーを VFO と呼んでいます。両社はほぼ同じ技術的ルート、つまりファンアウト パッケージングと垂直チャネルを組み合わせたものを使用しました。 Samsung Electronics の LPwide I/O メモリのビット幅は 512

8 月 8 日のこの Web サイトのニュースによると、MSI と ASUS は本日、Intel Core 第 13 世代および第 14 世代デスクトップ プロセッサの不安定性の問題に対応して、一部の Z790 マザーボード用の 0x129 マイクロコード アップデートを含む BIOS のベータ版をリリースしました。 BIOS アップデートを提供する ASUS の最初のマザーボードには、ROGMAXIMUSZ790HEROBetaBios2503ROGMAXIMUSZ790DARKHEROBetaBios1503ROGMAXIMUSZ790HEROBTFBetaBios1503ROGMAXIMUSZ790HEROEVA-02 統合バージョン BetaBios2503ROGMAXIMUSZ790A が含まれます。

7 月 27 日のこのサイトのニュースによると、ASRock は最近、「AM5 をサポートする世界初の ThinMiniITX マザーボード」であると主張する X600TM-ITX マザーボードの発売を発表しました。マザーボードのサイズは 17*17 cm で、AMD Ryzen 9000/をサポートします。 8000/7000シリーズのデバイス。 ASRockによると、このマザーボードはミニコンピュータ、オールインワンコンピュータ、スマートミラー、教育ツール、ホームシアターコンピュータなどの製品に適しており、日常のオフィス、プレゼンテーション、仕事などでさまざまなタスクを処理できるという。 X600TM-ITX は最新の AM5 プロセッサーをサポートしており、前世代と比較してパフォーマンスが最大 1.33 倍向上します。これは、速度の高速化、マルチタスク機能の向上、より優れたゲーム体験、より高速なデータ処理を意味します。

報告書によると、サムスン電子幹部のキム大宇氏は、2024年の韓国マイクロエレクトロニクス・パッケージング協会年次総会で、サムスン電子は16層ハイブリッドボンディングHBMメモリ技術の検証を完了すると述べた。この技術は技術検証を通過したと報告されています。同報告書では、今回の技術検証が今後数年間のメモリ市場発展の基礎を築くとも述べている。 DaeWooKim氏は、「サムスン電子がハイブリッドボンディング技術に基づいて16層積層HBM3メモリの製造に成功した。メモリサンプルは正常に動作する。将来的には、16層積層ハイブリッドボンディング技術がHBM4メモリの量産に使用されるだろう」と述べた。 ▲画像出典 TheElec、以下同 ハイブリッドボンディングは、既存のボンディングプロセスと比較して、DRAMメモリ層間にバンプを追加する必要がなく、上下層の銅と銅を直接接続する。