トランジスタの出力特性曲線は通常3つの領域に分けられますが、それは何ですか?

は次のとおりです: 1. カットオフ領域、トランジスタ出力特性曲線のトランジスタ入力電流 0 に対応する曲線の下の領域を指します; 2. 増幅領域、ほぼ水平な部分を指しますトランジスタの出力特性曲線の各曲線のセットに対応する領域; 3. 飽和領域とは、コレクタ接合とエミッタ接合が両方とも順方向にバイアスされ、コレクタ電流がベース電流によって制御されない領域を指します。 。

このチュートリアルの動作環境: Windows 7 システム、Dell G3 コンピューター。

トランジスタの出力特性曲線は主にカットオフ領域、増幅領域、飽和領域の3つの領域で構成されます。 3 つの領域は、トランジスタの異なる動作状態を表します。以下にトランジスタの出力特性を3つの領域に分けて紹介します。

カットオフ領域

トランジスタのカットオフ領域とは、トランジスタの出力特性曲線において、トランジスタの入力電流が0となる曲線より下の領域を指します。エミッタ接地トランジスタの場合、カットオフ領域とは、トランジスタの出力特性曲線において、Vbe＜Von、つまりベース・エミッタ間電圧が基準値よりも低いIb=0の曲線より下の領域を指します。デッドゾーン電圧に依存するため、カットオフ領域は Vbe

カットオフ領域では、ベース電流 Ib=0、コレクタ電流 Ic ≦ Icbo でほぼ 0、非常に小さな逆貫通電流 Iceo のみが流れ、シリコン トランジスタの Iceo は通常は 1μA 未満です。実際には、Ie=0、つまり Ic ≦ Icbo の領域をカットオフ領域と呼ぶべきです。このとき、コレクタ接合、エミッタ接合ともに逆バイアス状態となる。

増幅領域

トランジスタの増幅領域とは、トランジスタの出力特性曲線における各曲線のほぼ水平な部分の集合に対応する領域を指します。これは、コレクタ - エミッタ間電圧 U(CE) の特定の範囲内では、コレクタ電流 I(C) は U(CE) とは無関係で、I(B) の値にのみ依存することを示しています。この特性により、I(B)の変化を利用してI(C)の変化をリニアに制御することができ、電流の線形増幅が実現できるため、増幅領域も線形領域となります。このとき、エミッタ接合は順バイアス、コレクタ接合は逆バイアスとなり、I(C)=β・I(B)、△I(C)=β・△I(B)となります。

飽和領域

トランジスタの飽和領域とは、コレクタ接合とエミッタ接合が両方とも順方向にバイアスされ、コレクタ電流が制御されない領域を指します。ベース電流によるもので、飽和作業領域とも呼ばれます。エミッタ接地トランジスタの場合、飽和領域は、I(B) > 0 および U(CE)

U(CE)

要約すると、飽和領域で動作するときのトランジスタの主な特性は次のとおりです:

(1) コレクタ接合とエミッタ接合の両方が順バイアスされます;

(2) I (C) の値は U(CE) と大きな関係があり、U(CE) が増加すると I(C) も増加します;

(3) I(C) の値) は I(B ) と大きく関係しており、比例しないため線形増幅ができません;

(4) トランジスタには増幅効果がありません、コレクタとエミッタは短絡と等価であり、スイッチング回路のカットオフ領域と組み合わせて使用​​されます。

さらに関連する知識については、FAQ 列をご覧ください。

以上がトランジスタの出力特性曲線は通常3つの領域に分けられますが、それは何ですか?の詳細内容です。詳細については、PHP 中国語 Web サイトの他の関連記事を参照してください。