NAND市場は今年43%減少し、346億米ドルに達すると予想されている
本サイトからのニュース 8 月 16 日に市場調査機関 WebFeet Research が発表した最新の予測レポートによると、 2023 年の NAND 市場規模は 346 億ドル (本サイト注: 現在約 2,525 億 8,000 万元) ）、前年比43％減。
人工知能の波がフラッシュ メモリ市場に与える影響は不確実ですが、サーバー、ラップトップ、スマートフォンの需要は予測可能です。
#世界のマクロ経済は安定しているにもかかわらず、当庁のアナリストは、さまざまなマイナスのリスク要因が今年末まで存在し続けると予想しています現在、PC の成長により、 2023 年上半期 需要が低迷しており、NAND メーカーは高在庫問題を緩和するために生産削減措置を講じています政府からの強力な支援にもかかわらず、NAND 売上の急激な減少により多くのフラッシュ メモリ メーカーが苦境に陥っていますthis 声明では、このサイトのすべての記事に含まれる外部ジャンプ リンク (ハイパーリンク、QR コード、パスワードなど) は、より多くの情報を提供し、選択時間を節約することを目的としているが、その結果は参照のみ以上がNAND市場は今年43%減少し、346億米ドルに達すると予想されているの詳細内容です。詳細については、PHP 中国語 Web サイトの他の関連記事を参照してください。
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修正: Windows 11 でフォーマットするときの Rufus エラー
Apr 28, 2023 pm 05:28 PM
Rufus はブート可能なインストール メディアを作成するための優れたツールであり、多くの人がこれを使用して PC に Windows のクリーン インストールを実行します。ただし、多くのユーザーが Windows 11 での Rufus エラーを報告しています。これらのエラーにより、インストール メディアを作成できなくなり、Windows 11 やその他のオペレーティング システムをインストールできなくなります。幸いなことに、これらの問題を解決するのは比較的簡単です。今日のチュートリアルでは、この問題を解決するために使用できる最良の方法を紹介します。 Windows 11 上の Rufus でフォーマットすると未確定エラーが発生するのはなぜですか?これにはさまざまな理由が考えられますが、ほとんどの場合、問題の原因はソフトウェアの不具合にすぎません。合格できます
Windows 11 に BalenaEtcher をインストールするコマンド
Apr 19, 2023 pm 05:46 PM
Windows 11 に BalenaEtcher をインストールする手順 ここでは、公式 Web サイトにアクセスせずに BalenaEthcer を Windows 11 にインストールする簡単な方法を示します。 1. コマンド ターミナルを (管理者として) 開き、[スタート] ボタンを右クリックし、[ターミナル (管理者)] を選択します。これにより、管理者権限を持つ Windows ターミナルが開き、ソフトウェアをインストールしたり、スーパーユーザーとして他の重要なタスクを実行したりできます。 2. Windows 11 に BalenaEtcher をインストールします。次に、Windows ターミナルで、デフォルトの Windows パッケージ マネージャーを使用して実行します。
業界最高転送速度3.6GB/s、マイクロン、第9世代276層TLC NANDフラッシュメモリの量産を発表
Jul 31, 2024 am 08:05 AM
7月30日の当サイトのニュースによると、Micronは本日（現地時間）、第9世代（サイト注：276層）3DTLC NANDフラッシュメモリを量産し、出荷すると発表した。マイクロンによると、同社のG9NANDは業界最高のI/O転送速度3.6GB/秒（つまり、フラッシュメモリインターフェース速度3600MT/秒）で、これは既存の競合製品の2400MT/秒よりも50％高く、要求を満たすことができるという。データ集約型のワークロードのニーズ。同時に、Micron の G9NAND は、書き込み帯域幅と読み取り帯域幅の点で、市場の他のソリューションよりもそれぞれ 99% および 88% 高く、この NAND 粒子レベルの利点により、ソリッド ステート ドライブと組み込みストレージにパフォーマンスとエネルギー効率がもたらされます。解決策。さらに、前世代の Micron NAND フラッシュ メモリと同様に、Micron 276
サムスンの第9世代V-NAND金属配線量産プロセスに初めてモリブデン技術が使われていることが判明
Jul 03, 2024 pm 05:39 PM
7月3日の当サイトのニュースによると、韓国メディアTheElecによると、サムスンは第9世代V-NANDの「金属配線」（メタル配線）に初めてモリブデン（Mo）の使用を試みたという。このサイトからの注記: 半導体製造プロセスの 8 つの主要なプロセスは次のとおりです: ウェーハ製造 酸化 フォトリソグラフィー エッチング 蒸着 金属配線テスト パッケージング 金属配線プロセスは主に、さまざまな方法を使用して数十億の電子部品を接続し、さまざまな半導体 (CPU 、GPU など) を形成します。 ）「半導体に命を吹き込む」とも言えます。関係者によると、サムスンはラムリサーチ社のMo蒸着装置を5台導入しており、来年さらに20台の装置を導入する予定だという。サムスン電子のほか、SKハイニックス、マイクロン、キオクシアなどの企業も
Hynix は UFS 4.1 フラッシュ メモリを初めて実証しました: V9 TLC NAND 粒子に基づく
Aug 09, 2024 pm 03:33 PM
8月9日のニュースによると、SK HynixはFMS2024サミットで、仕様がまだ正式にリリースされていないUFS4.1ユニバーサルフラッシュメモリを含む最新のストレージ製品をデモした。 JEDEC Solid State Technology Associationの公式Webサイトによると、現在発表されている最新のUFS仕様は2022年8月のUFS4.0です。理論上のインターフェース速度は46.4Gbpsと高速で、UFS4.1ではさらに伝送速度が向上すると予想されています。レート。 1. Hynix は、321 層 V91TbTLCNAND フラッシュ メモリをベースとした 512GB および 1TBUFS4.1 の汎用フラッシュ メモリ製品をデモしました。 SK Hynixは3.2GbpsV92TbQLC粒子と3.6GbpsV9H1TbTLC粒子も展示した。 Hynix が V7 ベースを披露
AIの波の影響は明らかで、トレンドフォースは今四半期のDRAMメモリとNANDフラッシュメモリの契約価格の上昇予測を上方修正した。
May 07, 2024 pm 09:58 PM
TrendForceの調査レポートによると、AIの波はDRAMメモリとNANDフラッシュメモリ市場に大きな影響を与えています。 5 月 7 日のこのサイトのニュースで、TrendForce は本日の最新調査レポートの中で、同庁が今四半期 2 種類のストレージ製品の契約価格の値上げを拡大したと述べました。具体的には、TrendForce は当初、2024 年第 2 四半期の DRAM メモリの契約価格が 3 ～ 8% 上昇すると予測していましたが、現在は NAND フラッシュ メモリに関しては 13 ～ 18% 上昇すると予測しています。 18%、新しい推定値は 15% ～ 20% ですが、eMMC/UFS のみが 10% 増加しています。 ▲画像出典 TrendForce TrendForce は、同庁は当初、今後も継続することを期待していたと述べた。
SK Hynix が V9 TLC NAND 粒子をベースとした UFS 4.1 ユニバーサル フラッシュ メモリの実証で主導権を握る
Aug 09, 2024 am 10:42 AM
8月9日のこのウェブサイトのニュースによると、SKハイニックスが現地時間昨日発行したプレスリリースによると、同社はFMS2024サミットでまだ正式にリリースされていないUSF4.1ユニバーサルフラッシュメモリを含む一連の新しいストレージ製品をデモしたという。仕様。 JEDEC Solid State Technology Associationの公式Webサイトによると、現在発表されている最新のUFS仕様は2022年8月のUFS4.0です。 UFS4.0 では、各デバイスの理論上のインターフェイス速度が最大 46.4Gbps と規定されており、USF4.1 では伝送速度のさらなる向上が期待されています。 ▲JEDECUFS仕様ページ SK Hynixは、それぞれ321層積層型V91TbTLCNANDフラッシュメモリをベースにした、それぞれ512GBと1TBの容量を持つ2つのUFS4.1汎用フラッシュメモリをデモしました。
Yangtze Memory QLC フラッシュ メモリ X3-6070 は書き込みおよび消去寿命が 4,000 回で、TLC 製品に追いつきました
Mar 28, 2024 pm 03:26 PM
3月28日の当サイトのニュース、台湾メディアDIGITIMESによると、Yangtze Memoryは中国フラッシュメモリ市場サミットCFMS2024で、第3世代Xtacking技術を採用したX3-6070QLCフラッシュメモリが4,000倍のPER耐久性を達成したと発表した。このサイトからの注記: 保証期間とは異なり、一般消費者向けのオリジナル TLC ソリッド ステート ドライブは、テストで少なくとも 3,000 P/E レベルの消去および書き込み寿命があります。 ▲画像出典 中国フラッシュメモリ市場サミットのCFMS関係者、以下同 長江メモリCTOの霍宗良氏は、NAND型フラッシュメモリ業界は2023年の最も困難な年を越え、今年は上昇期に入るだろうと述べた。フラッシュ メモリの総需要は、2023 年から 2027 年にかけて複合率で増加すると予想されます。その率は 21% に達する可能性があり、単一デバイスの平均容量は
