日本の研究チームが新しいテルル化ニオブ材料を作成、生産コスト削減のため相変化メモリの原料として使用されることが期待される

このウェブサイトの 9 月 5 日のニュースによると、日本の東北大学の研究者らは最近、スパッタリング技術を使用してテルル化ニオブ (NbTe4) 材料を作成したと報告されており、この材料には「優れた貯蔵特性と熱特性」があり、次のような効果が期待されています。位相可変メモリの製造に使用されることで、業界により多くの原材料の選択肢が提供され、関連コストが削減されます。この論文はオンライン ライブラリ プラットフォームで公開およびアーカイブされています。

このサイトで問い合わせた結果、相変化メモリ (PCM) は「相変化材料を記憶媒体として応用する」メモリ技術であることがわかりました。現在のフラッシュ メモリと比較すると、相変化メモリは相変化を利用します。データを保存するために固体と液体の物質の状態が変化するため (フラッシュ メモリの書き込み速度は電荷の移動速度によって制限されます)、そのため読み取りおよび書き込み速度が速くなり、記憶密度が高く、消費電力が低くなり、サイズは小さくすることができます しかし、相変化メモリメディアの製造コストは高すぎます。現在、相変化メモリはまだエンタープライズレベルにあり、家庭市場にはまだリリースされていません。

▲ 画像ソース オンラインライブラリ プラットフォーム関連論文

研究者はスパッタリング技術を使用して材料を作成します。主に材料の薄膜を基板上に堆積させ、膜の厚さと組成を正確に制御する、広く使用されている技術です。」研究者らは272℃以上の温度でアニールしてテルル化ニオブ(NbTe4)結晶を形成した｡この材料は融点が約447℃と超低いため､物理的に比較的安定しており､相変化メモリの製造に適している｡

▲画像ソースオンラインライブラリプラットフォーム関連論文

研究者らは、従来の相に似ていると言われている結晶を評価したメモリ化合物と比較して、 テルル化ニオブ (NbTe4) 結晶は熱安定性が高く、結晶化から液体状態への変換速度も非常に速い (約 30 ナノ秒) ため、相変化メモリの原料としての可能性が強調されています。 。 潜在的＃＃＃。

ノースイースタン大学先端材料科学研究所のシュアン助教授は、「高性能相変化メモリ開発の新たな可能性を開いた。NbTe4は融点が低く、結晶化度が高い」と主張した。相変化メモリのコスト課題に直面している「理想的な材料の 1 つ」に対する解決策です。」

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