NvidiaがSamsungの3nm GAAプロセスをテストし、早ければ2025年に量産する予定であると報告されています。

携帯電話チップの専門家 @手机 Chipmaster からのニュースによると、NVIDIA が 3nm GAA プロセスについて Samsung と接触していると報告されています。すべてが順調に行けば、量産は 2025 年に開始される予定です

Hardwaretimes は以前、次世代 NVIDIA フラッグシップ グラフィックス カード RTX 5090 が3nmプロセスを使用し、来年末までに発売される予定。

NVIDIA RTX 40 シリーズ グラフィックス カードのコード名は Ada Lovelace、次世代 RTX グラフィックス カードのコード名は Blackwell です。 トランジスタの数は 15 を超えます。コアクロックは 3 GHz 以上、バス密度は 512 ビットになります。

海外メディア Club 386 が以前にリークしたニュースによると、GB102 ベースの RTX 5090 には 144 グループの SM ユニットが含まれており、これは 18432 CUDA です (SM の各グループが依然として 128 CUDA であると仮定します)これは RTX 4090 よりも 12.5% 優れており、96MB L2 キャッシュ、GDDR7 ビデオ メモリ (384 ビット幅) に一致し、PCIe 5.0 x16 をサポートしています。

MSI は以前、Taipei Computex Computer Show で次世代 NVIDIA RTX フラッグシップ グラフィックス カードの放熱設計をデモしました。

写真からわかるように、MSI は ダイナミック バイメタリックを使用しました。フィン(ダイナミック・バイメタル・フィン)、6本の貫通型純銅ヒートパイプ、大面積アルミフィンにも銅板を埋め込んで放熱性をさらに高めており、ビデオメモリ領域にも対応する銅板があることがわかります。次世代のグラフィックス カードは放熱を重視した設計になります。

#▲ 画像ソース クラブ 386

▲ 画像ソース クラブ386

現在公開されている情報とそれに対応する放熱条件に基づいて、RTX 5090 の消費電力と発熱は人々に深い印象を残すことが予想されます

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