サムスン電子:顧客の在庫調整がほぼ完了、来年から一部地域でDRAMとNANDフラッシュが品薄になる見通し
10 月 8 日のこのサイトのニュース DigiTimes によると、Samsung Electronics は最近、世界の主要顧客の半導体ニーズに関する調査を実施しました。
この結果によると、さまざまな分野の顧客がストレージ在庫の調整完了に近づいており、2024年から半導体業界は軒並み回復すると予想されている。 Samsung は、2024 年以降、一部の地域で DRAM と NAND フラッシュの供給不足が発生すると予測しています

一Aサムスン幹部は、多くの半導体企業が徐々に在庫調整を完了しており、NAND事業の損失が大幅に減少するとの見通しに言及した。
証券業界関係者によると、在庫が徐々に安定してきたため、顧客もサムスンの値上げ要求を受け入れ始めているという。第4四半期からは、ストレージ市場の需給改善と価格上昇傾向が同時に現れることが予想される
DigiTimesは、ダブルイレブンプロモーションが準備段階に入っていると指摘した。 , 特に NAND フラッシュの相場が上昇している場合、下流メーカーは在庫を増やす意欲が高まっており、毎月の値上がりに牽引されて SSD メーカーは補充の準備を始めており、市場は 2021 年に同時期のパフォーマンスに戻ると予想されています。
このサイトの以前のレポートによると、ストレージメーカーは、史上最長の下落サイクルを経験した後、DRAM市場にようやく回復の希望を見出しました。 TrendForce アナリストの予測によると、NAND フラッシュ メモリの価格は第 4 四半期も上昇し続け、成長率は約 3% ~ 8% と、当初の予測範囲である 0% ~ 5% を上回ると予想されています。広告文: 記事に含まれる外部ジャンプ リンク (ハイパーリンク、QR コード、パスワードなどを含むがこれらに限定されない) は、より多くの情報を伝え、選択時間を節約するために使用されます。結果は参照のみを目的としています。このサイトのすべての記事には以下が含まれます。この文。
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8 月 8 日のこのサイトのニュースによると、サムスンは 2024 年のフラッシュ メモリ サミット (FMS) で、PM1753、BM1743、PM9D3a、PM9E1 などの多数の新しい SSD 製品をデモし、第 9 世代 QLCV-NAND、TLCV-NAND、およびCMM-D –DRAM、CMM-HTM、CMM-HPM、および CMM-BCXL テクノロジーが導入されました。 BM1743は最大128TBの容量、連続読み取り速度7.5GB/s、書き込み速度3.5GB/s、ランダム読み取り160万IOPS、書き込み45,000IOPSのQLCフラッシュメモリを採用しています。 2.5 インチのフォーム ファクターと U.2 インターフェイスを備え、アイドル状態の消費電力は 4 W に削減され、その後の OTA アップデート後は、

7月30日の当サイトのニュースによると、Micronは本日(現地時間)、第9世代(サイト注:276層)3DTLC NANDフラッシュメモリを量産し、出荷すると発表した。マイクロンによると、同社のG9NANDは業界最高のI/O転送速度3.6GB/秒(つまり、フラッシュメモリインターフェース速度3600MT/秒)で、これは既存の競合製品の2400MT/秒よりも50%高く、要求を満たすことができるという。データ集約型のワークロードのニーズ。同時に、Micron の G9NAND は、書き込み帯域幅と読み取り帯域幅の点で、市場の他のソリューションよりもそれぞれ 99% および 88% 高く、この NAND 粒子レベルの利点により、ソリッド ステート ドライブと組み込みストレージにパフォーマンスとエネルギー効率がもたらされます。解決策。さらに、前世代の Micron NAND フラッシュ メモリと同様に、Micron 276

8月17日のニュースによると、情報源@ibinguniverseが本日Weiboに投稿したところによると、Apple iPhone 16 Pro Maxの正確なサイズは6.88インチで、Galaxy S25 Ultraの正確なサイズはどちらも6.9インチとみなせるとのこと。 。情報源によると、Samsung Galaxy S25 UltraはS24 Ultraよりも本体が狭く、画面が広く、水平方向の画面対本体の比率が94.1%であるのに対し、S24 Ultraの水平方向の画面対本体の比率は91.5%です。 Fenye氏は情報源の関連するWeiboをチェックし、新たに公開されたiPhone 16 Pro Maxの写真についてコメントし、この携帯電話は実際にはストレートスクリーン+2.5Dガラスであると信じていました。

9月3日の当ウェブサイトのニュースによると、韓国メディアetnewsは昨日(現地時間)、サムスン電子とSKハイニックスの「HBM類似」積層構造モバイルメモリ製品が2026年以降に商品化されると報じた。関係者によると、韓国のメモリ大手2社はスタック型モバイルメモリを将来の重要な収益源と考えており、エンドサイドAIに電力を供給するために「HBMのようなメモリ」をスマートフォン、タブレット、ラップトップに拡張する計画だという。このサイトの以前のレポートによると、Samsung Electronics の製品は LPwide I/O メモリと呼ばれ、SK Hynix はこのテクノロジーを VFO と呼んでいます。両社はほぼ同じ技術的ルート、つまりファンアウト パッケージングと垂直チャネルを組み合わせたものを使用しました。 Samsung Electronics の LPwide I/O メモリのビット幅は 512

8月23日のニュースによると、サムスンは新しい折りたたみ式携帯電話W25を発売する予定で、9月末に発表される予定で、それに対応して画面下のフロントカメラと本体の厚さが改良される予定だという。報道によると、Samsung W25(コードネームQ6A)には5メガピクセルの画面下カメラが搭載される予定で、これはGalaxy Z Foldシリーズの4メガピクセルのカメラよりも改良されています。さらに、W25 の外部スクリーンフロントカメラと超広角カメラは、それぞれ 1,000 万画素と 1,200 万画素になると予想されています。デザイン面では、W25は折りたたんだ状態での厚さが約10mmと、標準のGalaxy Z Fold 6より約2mm薄い。画面に関しては、W25の外部画面は6.5インチ、内部画面は8インチですが、Galaxy Z Fold6の外部画面は6.3インチ、内部画面は8インチです。

このサイトの8月16日のニュースによると、ソウル経済新聞は昨日(8月15日)、サムスンが2024年第4四半期から2025年第1四半期の間にASML製の初の高NAEUVリソグラフィー装置を導入すると報じた。 2025年半ばに実用化される予定だ。報道によると、Samsungは最初のASMLTwinscanEXE:5000High-NAリソグラフィーマシンを華城キャンパスに設置し、主にロジックとDRAMの次世代製造技術を開発する研究開発目的に使用されるとのこと。サムスンは、高 NAEUV 技術を中心とした強力なエコシステムの開発を計画しています。サムスンは、高 NAEUV リソグラフィ装置の取得に加え、日本の Lasertec と協力して、高 NAEUV リソグラフィ装置専用の高 NAEUV リソグラフィ装置を開発しています。

Xiaomi Mi 15シリーズは10月に正式リリースされる予定で、その全シリーズのコードネームが海外メディアのMiCodeコードベースで公開されている。その中でもフラッグシップモデルであるXiaomi Mi 15 Ultraのコードネームは「Xuanyuan」(「玄源」の意味)です。この名前は中国神話に登場する高貴さを象徴する黄帝に由来しています。 Xiaomi 15のコードネームは「Dada」、Xiaomi 15Proのコード名は「Haotian」(「好天」の意味)です。 Xiaomi Mi 15S Proの内部コード名は「dijun」で、「山と海の古典」の創造神である淳皇帝を暗示しています。 Xiaomi 15Ultra シリーズのカバー

7月31日のニュースによると、情報元の@ibinguniverse氏が16GBのメモリを搭載していることについてツイートした。 Samsung 携帯電話のメモリ容量のアップデート Samsung は、Galaxy S20 Ultra および Galaxy S21 Ultra 携帯電話に 16GB メモリを搭載することを開始しました。最新の主力携帯電話である Galaxy S24 Ultra を含む Galaxy S22 Ultra 以降、Samsung 携帯電話のメモリ容量は 12GB に制限されています。次期Samsung Galaxy S25およびGalaxy S25+は12GB LPDDを使用すると報告されています
