サムスン:現時点ではTSMCに後れを取っているものの、主要顧客から3nmの受注を得る自信はあり、顧客と2/1.4nmプロセス協力交渉を開始している。
本サイトの10月25日のニュースによると、サムスン電子ファウンドリ部門のCTOであるチョン・ギテ氏が「半導体エキスポ2023」で「ファウンドリ業界の最新技術動向」と題した講演を行った。
クアルコムやNVIDIAなどの主要顧客の相次ぐ損失により、サムスン電子の3nmファウンドリ事業は、量産が早かったにもかかわらずTSMCに後れを取っている。
同氏は、顧客の受注選定は3年程度かかる長期的なプロセスであると指摘し、顧客獲得の不利な状況は将来的には改善されると信じている。
「ファウンドリビジネスにおいて、顧客視点で最も重要なのは『安定性』です。」 「最初から新しい技術を導入するのは簡単ではありません。」 「よく言われますが、 「これは、ファウンドリと顧客との結婚関係です。これはビジネス構造の緊密さを完全に反映している可能性があります。」
彼は、チップメーカーに問題がある場合、顧客も被害を受けることになると説明しました。それらは慎重に扱われなければなりません。しかし、同社はサブ3nmプロセスで大規模顧客を獲得することに自信を持っていると同氏は述べた。
GAA プロセスは将来にわたって持続可能な技術ですが、FinFET はさらなる改良が困難です。今後の 2nm、1.4nm およびその他のプロセスについて大規模顧客と交渉中です。
中国本土のメーカーとの競合 (このサイトからの注: SMIC N 1 および N 2 テクノロジーは、徐々に成熟している)と同氏は、高度なパッケージング(後処理)の分野では、サムスン、TSMC、インテルの間の競争状況は今後も続くだろうと述べた。
中国企業にとって、バックエンド プロセスの開発はフロントエンド プロセスよりも簡単ですが、多くの顧客からフィードバックを得られない限り、新規参入者が競争に参加することは困難です。 TSMC など)、または設計と製造の両方を行う IDM(Samsung や Intel など)です。
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8 月 8 日のこのサイトのニュースによると、サムスンは 2024 年のフラッシュ メモリ サミット (FMS) で、PM1753、BM1743、PM9D3a、PM9E1 などの多数の新しい SSD 製品をデモし、第 9 世代 QLCV-NAND、TLCV-NAND、およびCMM-D –DRAM、CMM-HTM、CMM-HPM、および CMM-BCXL テクノロジーが導入されました。 BM1743は最大128TBの容量、連続読み取り速度7.5GB/s、書き込み速度3.5GB/s、ランダム読み取り160万IOPS、書き込み45,000IOPSのQLCフラッシュメモリを採用しています。 2.5 インチのフォーム ファクターと U.2 インターフェイスを備え、アイドル状態の消費電力は 4 W に削減され、その後の OTA アップデート後は、

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このサイトの8月16日のニュースによると、ソウル経済新聞は昨日(8月15日)、サムスンが2024年第4四半期から2025年第1四半期の間にASML製の初の高NAEUVリソグラフィー装置を導入すると報じた。 2025年半ばに実用化される予定だ。報道によると、Samsungは最初のASMLTwinscanEXE:5000High-NAリソグラフィーマシンを華城キャンパスに設置し、主にロジックとDRAMの次世代製造技術を開発する研究開発目的に使用されるとのこと。サムスンは、高 NAEUV 技術を中心とした強力なエコシステムの開発を計画しています。サムスンは、高 NAEUV リソグラフィ装置の取得に加え、日本の Lasertec と協力して、高 NAEUV リソグラフィ装置専用の高 NAEUV リソグラフィ装置を開発しています。

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