人工知能の波を掴むサムスンとマイクロン、HBM拡張計画の計画を強化

IT House News 11 月 8 日、消費者向けストレージ市場の低迷を背景に、高帯域幅メモリ (HBM) テクノロジーが新たな原動力となっている 最新のレポートでは、Samsung と Micron がHBM DRAM の拡張を積極的に準備します。

出典: サムスン

最新の報道によると、サムスン電子はHBMの生産能力を拡大するため、105億ウォンを投じて韓国の天安市にあるサムスンディスプレイの工場と設備の一部を買収した。さらに、サムスン電子は新たなパッケージングラインに7000億～1兆ウォンを投資する計画もある。

IT Houseは以前、Samsung Electronicsの副社長でDRAM製品および技術チームの責任者であるHwang Sang-jun氏が、Samsungが9.8Gbpsの速度のHBM3Eを開発し、顧客へのサンプル提供を開始する計画であることを明らかにしたと報じた。 。

Samsung は HBM4 テクノロジーの開発に熱心に取り組んでおり、2025 年に発売する予定です。サムスン電子は、高温熱特性に最適化された非導電性フィルム（NCF）アセンブリ技術やハイブリッドボンディング（HCB）など、HBM4向けのさまざまな技術を積極的に研究していることがわかりました。

マイクロンも HBM 生産の準備を積極的に進めており、11 月 6 日に台中に新工場を開設しました。マイクロンによると、新施設は高度なテスト機能とパッケージング機能を統合し、HBM3Eやその他の製品の量産に特化するとのこと。この拡張は、人工知能、データセンター、エッジコンピューティング、クラウドサービスなど、さまざまなアプリケーションの増大するニーズに応えることを目的としています。

Micron の CEO、Sanjay Mehrotra 氏は、同社が 2024 年初めに HBM3E の大量出荷を開始する計画であることを明らかにしました。 Micron の HBM3E テクノロジーは現在、NVIDIA による認定を受けています。初期の HBM3E 製品は、24 GB の容量と 1.2 TB/秒を超える帯域幅を備えた 8-Hi スタック設計を特徴としています。

さらに、Micron は、より大容量の 36GB 12-Hi スタック HBM3E を 2024 年に発売する予定です。マイクロンは以前の声明で、新しいHBM技術が2024年までに「数億ドル」の収益に貢献すると予想していた。

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