中国の大手フラッシュメモリチップメーカーである長江メモリが、マイクロンが自社の特許8件を侵害したとして米国で訴訟を起こす

11月12日の当サイトのニュース 最近、中国最大のフラッシュメモリチップメーカーYangtze Memoryが米国のメモリチップ大手Micronとその子会社に対して特許侵害訴訟を起こし、MicronがYangtze Memoryの複数の3D NANDを使用し続けることを禁止するよう裁判所に求めた。技術特許、損失および訴訟費用の補償。長江メモリは、マイクロンのSSD製品のいくつかが長江メモリの8件の特許を侵害している疑いがあると発表した。これらの特許には、3D NANDメモリの形成方法、制御方法、スルーアレイコンタクト（TAC）、読み取り方法、多層積層方法などが含まれる。 。

私たちの理解によれば、メモリチップは主にDRAM（ダイナミックランダムアクセスメモリ）とNAND（フラッシュメモリ）の2つのカテゴリに分けられます。前者は揮発性メモリ、つまり保存されたデータが失われます。電源をオフにするとすぐに使用されます。CPU（中央処理装置）の計算を支援するメモリとして使用されます。後者は、データを保存するために使用される不揮発性メモリであり、ソリッドステートドライブの製造に使用されます。 。

長江メモリは起訴状の中で、マイクロンが市場シェアを守るために長江メモリと競合するために許可なく長江メモリの特許技術を使用したが、妥当な料金を支払わず、長江メモリの利益を侵害し、その革新的な推進を妨げたと指摘した。起訴状はまた、マイクロンが長江メモリの特許ポートフォリオに対する自社の重要性を証明するために自社の特許書類で長江メモリの関連特許を引用したが、長江メモリの特許認可を得るために実際の行動は何も取らなかったと主張している

長江メモリも起訴状で次のように述べている。裁判所がマイクロンの特許侵害に対する永久差し止め命令を出さないのであれば、マイクロンが長江メモリに特許ライセンス料を支払うなどの関連計画を策定する必要がある。

Yangtze Memory は 2016 年 7 月に設立され、湖北省武漢に本社を置き、3D NAND フラッシュ メモリ チップの設計と製造に注力しています。長江メモリは自社開発のXtacking（結晶スタック）アーキテクチャを採用しており、NAND分野では技術面で海外の巨人に追いつき、2021年には128層の3D積層製品を量産し、232層の製品も量産している。量も増え始めました。

Micron はメモリチップの大手企業であり、NAND 市場では揚子江メモリと競合しています。 TrendForceのデータによると、2023年第2四半期のNAND市場において、Micronの市場シェアは13％で第5位となった。 Micron と比較すると、長江メモリの市場規模には大きな差があります

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