フォックスコンはインド政府にウェーハ工場の建設を申請したが、同様の承認が得られたのはマイクロンだけだった
エコノミック・タイムズによると、インドの電子・情報技術大臣ラジブ・チャンドラセカールは、インド下院への書面答弁の中で、フォックスコンがインドに半導体工場を設立する申請書を提出したことを明らかにした
政府は多くの措置を講じてきた半導体、スマートフォン、電気自動車などの電子製品製造産業の発展を促進するために講じられました。同氏はまた、政府が電子製品や家電製品への大規模投資を奨励し、輸出を促進しているとも述べた
フォックスコンは12月初旬、カルナータカ州の新工場に総額16億ドルを追加投資すると発表した。 36億米ドル（257億4000万元相当）
報道によると、インドは2021年12月に7,600億ルピー相当のプロジェクト（（約652億8000万元）の奨励策を推進し、半導体やディスプレイパネルなどの産業の発展。現在、マイクロンはこのプログラムによって承認された唯一の国際的なチップメーカーです
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業界最高転送速度3.6GB/s、マイクロン、第9世代276層TLC NANDフラッシュメモリの量産を発表
Jul 31, 2024 am 08:05 AM
7月30日の当サイトのニュースによると、Micronは本日（現地時間）、第9世代（サイト注：276層）3DTLC NANDフラッシュメモリを量産し、出荷すると発表した。マイクロンによると、同社のG9NANDは業界最高のI/O転送速度3.6GB/秒（つまり、フラッシュメモリインターフェース速度3600MT/秒）で、これは既存の競合製品の2400MT/秒よりも50％高く、要求を満たすことができるという。データ集約型のワークロードのニーズ。同時に、Micron の G9NAND は、書き込み帯域幅と読み取り帯域幅の点で、市場の他のソリューションよりもそれぞれ 99% および 88% 高く、この NAND 粒子レベルの利点により、ソリッド ステート ドライブと組み込みストレージにパフォーマンスとエネルギー効率がもたらされます。解決策。さらに、前世代の Micron NAND フラッシュ メモリと同様に、Micron 276
マイクロン：HBMメモリはウェーハ量の3倍を消費し、生産能力は基本的に来年に予約される
Mar 22, 2024 pm 08:16 PM
当サイトは3月21日、マイクロンが四半期財務報告書の発表後に電話会議を開催したと報じた。 Micron CEOのSanjay Mehrotra氏はカンファレンスで、従来のメモリと比較してHBMは大幅に多くのウエハを消費すると述べた。マイクロンは、同じノードで同じ容量を生産する場合、現在最も先進的なHBM3Eメモリは標準的なDDR5の3倍のウエハを消費し、性能の向上とパッケージングの複雑さの増大により、将来的にはHBM4のこの比率がさらに増加すると予想されていると述べました。 。このサイトの以前のレポートを参照すると、この高い比率は HBM の歩留まりの低さによる部分もあります。 HBM メモリは、多層の DRAM メモリ TSV 接続でスタックされており、1 つの層に問題があると、全体の層に問題が発生することを意味します。
シャープ、半導体とカメラモジュール事業を鴻海に売却を検討中、金額は非公表
Aug 13, 2024 am 10:36 AM
本サイトの8月12日のニュースによると、シャープは8月9日、半導体事業とスマートフォン用カメラモジュール事業を今年度中に鴻海に売却することを検討していると発表した。シャープの興津雅博社長は売却額について「交渉は始まったばかりで、現時点で詳細を明らかにするのは難しい」と述べた。 ▲画像出典：シャープのウェブサイトは、7月11日の時点で、フォックスコングループが現在主流のパネルレベルファンアウトパッケージング（FOPLP）半導体ソリューションに焦点を当て、先進的なパッケージング分野に参入したとの報道があることに気づいた。子会社のイノラックスに続き、フォックスコングループが投資するシャープも日本のパネルレベルのファンアウトパッケージング分野への参入を発表し、2026年に生産開始される予定だ。公開情報によると、フォックスコングループは現在シャープ株の10.5％を保有している。
アナリスト: マイクロンの不揮発性 NVDRAM メモリには多くのハイライトがあるが、商品化される可能性は低い
Jan 30, 2024 pm 06:30 PM
1月29日の当サイトのニュースによると、マイクロンは2023年末のIEEEIEDMカンファレンスで32Gb3DNVDRAM（不揮発性DRAM）の研究開発成果を発表した。しかし、海外メディア Blocks&Files がインタビューした業界アナリスト 2 名から得た情報によると、この画期的な新しいメモリは基本的に商品化および量産される可能性は低いものの、それが示す技術的進歩は将来のメモリ製品に現れることが期待されています。 Micron の NVDRAM メモリは、強誘電性の原理に基づいており (このサイトからの注記: 自発分極があり、外部電界によって分極方向が反転することができます)、DRAM に近い不揮発性を持ちながら、DRAM に近い高性能を実現できます。 NAND フラッシュ メモリ耐久性に優れ、遅延が少ない。この新しいタイプのメモリは 2 層 3D スタッキングを使用しており、容量は 32Gb です。
Word の実践スキルを共有: 複数の画像のレイアウトを簡単に解決する 2 つのコツ!
Apr 01, 2023 am 10:57 AM
複数の画像の書式設定は、Word で文書を編集する際の一般的なシナリオの 1 つであり、ほとんどの人が遭遇する可能性があり、依然として多くの人にとって大きな問題となっています。写真の数が増えると、どのように写真を配置すればよいのかわからない人も多いと思います。体系的なルーティンスキルが身についていないため、一つ一つの制作に時間がかかり、満足のいく結果が得られません。今日は、複数画像のレイアウトの問題を簡単に解決するための 2 つのヒントをお教えします。
マイクロン、2650 ソリッド ステート ドライブを発売: 最新の第 9 世代 3D TLC NAND フラッシュ メモリ、7/6 GB/秒のシーケンシャル読み取りおよび書き込みを搭載
Jul 31, 2024 am 11:02 AM
当ウェブサイトは7月31日、Micronが第9世代276層3DTLC NANDフラッシュメモリを発売すると同時に、このフラッシュメモリを搭載した2650ソリッドステートドライブも発売したと報じた。このディスクは、PC およびノートブックでの日常使用を目的としており、消費者グレードの OEM 製品です。 Micron 2650 は PCIe4.0×4 インターフェイスを採用しており、M.22230/2242/2280 の 3 つのサイズがあり、容量は 256GB、512GB、1TB をカバーしており、すべて片面設計です。 276 層 3600MT/s 6 プレーン TLCNAND フラッシュ メモリ B68S のおかげで、Micron 2650 は PCMark10 ベンチマーク テストで優れた結果を示しました。その平均ランニング スコアは、同様の性能を備えたいくつかの主要な純正メーカーの競合製品よりも最大 38 ポイント高かったです。 TLCフラッシュメモリに基づいています。
Foxconn の IP と ID は何に使用されますか?
Nov 09, 2022 pm 03:13 PM
Foxconn IPとIDはそれぞれ: 1. Foxconn IPは携帯電話フレームの製造、主に金属加工、作業内容はCNCとプレス加工、2. Foxconn IDは携帯電話の組み立て、主にマザーボード、配線、カメラの取り付け、主な作業内容はネジの打ち込みとケーブルの固定です。
マイクロンの1ガンマプロセスメモリは2025年前半に台湾で量産される予定
Sep 14, 2023 pm 08:29 PM
本サイトは9月4日、台湾の「中央通信社」によると、マイクロン台湾の陸東輝会長が、マイクロンのDRAM製品の65％が台湾で生産されており、その中で台湾と日本のチームが共同開発したと述べたと報じた。新世代の1ガンマプロセスは、2025年上半期に台中の工場で量産される予定です。これは、極紫外線（EUV）プロセス技術を使用したマイクロンの最初の世代です。マイクロンは現在台中にのみEUV製造工場を持っていると伝えられているが、まず台中工場で1ガンマプロセスを量産し、将来的には日本の工場にもEUV装置を導入する予定である。陸東輝氏は、台湾と日本はマイクロンにとって非常に重要な製造拠点であると強調し、昨年10月に日本の工場が1-bの量産を開始して以来、マイクロンのダイナミックランダムアクセスメモリ（DRAM）製品の65％もが台湾で生産されていると強調した。
