添加skip-innodb后MySQL启动失败_MySQL
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在小内存的VPS上，童鞋们（包括我）一般都爱做下所谓的“优化”，其中针对MySQL的优化中，有这样三个参数：
skip-innodb / skip-bdb / skip-locking
特别是第一个参数，据说打开后很省内存，所以我在安装完MySQL之后就在my.cnf中填上了这三个参数，但很不幸，在随后的service mysqld restart中，数据库启动失败。这还得了？！于是乎着急毛慌地请教Google去了，不过可悲的是在国内互联网“天下文章一大抄”的现状下，找个准确的、经过个人实践的答案相当不容易，我的问题最终也没解决。
后来想到去看看我的MySQL版本，一看是5.1.54，而且同时在my.cnf中发现一个skip-external-locking参数，在请教过Google后得知：skip-external-locking就是新版本的skip-locking，skip-locking是早几辈子的事了，而且在新版本的MySQL中，已经废除了skip-bdb这个参数！到这基本上问题就解开了，既然skip-locking都改了，那skip-innodb没准儿也改了！最终在MySQLd的文档中找到了这样一句话：
If InnoDB hasn’t been built，the option –skip-innodb isn’t available. We prefix with ‘loose’to allow the option to be used at all times. （详情点这里）
这就明白了，skip-innodb已经改成loose-skip-innodb了，我还傻乎乎地硬把几年前的老黄历往里塞，真是不假思索的照搬照抄啊，羞愧羞愧！！
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最近、Xiaomiはスタイリッシュなデザインだけでなく、内部および外部にブラックテクノロジーを備えた強力なハイエンドスマートフォンXiaomi 14Proをリリースしました。この電話機は最高のパフォーマンスと優れたマルチタスク機能を備えており、ユーザーは高速でスムーズな携帯電話体験を楽しむことができます。ただし、パフォーマンスはメモリにも影響されますので、多くのユーザーがXiaomi 14Proのメモリ使用量を確認する方法を知りたいので、見てみましょう。 Xiaomi Mi 14Proのメモリ使用量を確認するにはどうすればよいですか? Xiaomi 14Proのメモリ使用量を確認する方法を紹介. Xiaomi 14Proスマホの[設定]にある[アプリケーション管理]ボタンを開きます。インストールされているすべてのアプリのリストを表示するには、リストを参照して表示するアプリを見つけ、それをクリックしてアプリの詳細ページに入ります。アプリケーションの詳細ページで
![Windows 入力でハングまたはメモリ使用量の増加が発生する [修正]](https://img.php.cn/upload/article/000/887/227/170835409686241.jpg?x-oss-process=image/resize,m_fill,h_207,w_330)
Windows 入力でハングまたはメモリ使用量の増加が発生する [修正]
Feb 19, 2024 pm 10:48 PM
Windows 入力エクスペリエンスは、さまざまなヒューマン インターフェイス デバイスからのユーザー入力を処理する重要なシステム サービスです。システム起動時に自動的に起動し、バックグラウンドで実行されます。ただし、場合によっては、このサービスが自動的にハングしたり、メモリを過剰に占有したりして、システムのパフォーマンスが低下することがあります。したがって、システムの効率と安定性を確保するには、このプロセスをタイムリーに監視および管理することが重要です。この記事では、Windows の入力エクスペリエンスがハングしたり、メモリ使用量が高くなる問題を修正する方法を紹介します。 Windows 入力エクスペリエンス サービスにはユーザー インターフェイスがありませんが、基本的なシステム タスクと入力デバイスに関連する機能の処理に密接に関連しています。その役割は、Windows システムがユーザーによって入力されたすべての入力を理解できるようにすることです。
コンピューターのメモリ 8g と 16g には大きな違いがありますか? (8g または 16g のコンピューターメモリを選択してください)
Mar 13, 2024 pm 06:10 PM
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関係者によると、サムスン電子とSKハイニックスは2026年以降に積層型モバイルメモリを商品化する予定
Sep 03, 2024 pm 02:15 PM
9月3日の当ウェブサイトのニュースによると、韓国メディアetnewsは昨日（現地時間）、サムスン電子とSKハイニックスの「HBM類似」積層構造モバイルメモリ製品が2026年以降に商品化されると報じた。関係者によると、韓国のメモリ大手2社はスタック型モバイルメモリを将来の重要な収益源と考えており、エンドサイドAIに電力を供給するために「HBMのようなメモリ」をスマートフォン、タブレット、ラップトップに拡張する計画だという。このサイトの以前のレポートによると、Samsung Electronics の製品は LPwide I/O メモリと呼ばれ、SK Hynix はこのテクノロジーを VFO と呼んでいます。両社はほぼ同じ技術的ルート、つまりファンアウト パッケージングと垂直チャネルを組み合わせたものを使用しました。 Samsung Electronics の LPwide I/O メモリのビット幅は 512
マイクロン：HBMメモリはウェーハ量の3倍を消費し、生産能力は基本的に来年に予約される
Mar 22, 2024 pm 08:16 PM
当サイトは3月21日、マイクロンが四半期財務報告書の発表後に電話会議を開催したと報じた。 Micron CEOのSanjay Mehrotra氏はカンファレンスで、従来のメモリと比較してHBMは大幅に多くのウエハを消費すると述べた。マイクロンは、同じノードで同じ容量を生産する場合、現在最も先進的なHBM3Eメモリは標準的なDDR5の3倍のウエハを消費し、性能の向上とパッケージングの複雑さの増大により、将来的にはHBM4のこの比率がさらに増加すると予想されていると述べました。 。このサイトの以前のレポートを参照すると、この高い比率は HBM の歩留まりの低さによる部分もあります。 HBM メモリは、多層の DRAM メモリ TSV 接続でスタックされており、1 つの層に問題があると、全体の層に問題が発生することを意味します。
サムスン、HBM4メモリでの普及が期待される16層ハイブリッドボンディング積層プロセス技術検証完了を発表
Apr 07, 2024 pm 09:19 PM
報告書によると、サムスン電子幹部のキム大宇氏は、2024年の韓国マイクロエレクトロニクス・パッケージング協会年次総会で、サムスン電子は16層ハイブリッドボンディングHBMメモリ技術の検証を完了すると述べた。この技術は技術検証を通過したと報告されています。同報告書では、今回の技術検証が今後数年間のメモリ市場発展の基礎を築くとも述べている。 DaeWooKim氏は、「サムスン電子がハイブリッドボンディング技術に基づいて16層積層HBM3メモリの製造に成功した。メモリサンプルは正常に動作する。将来的には、16層積層ハイブリッドボンディング技術がHBM4メモリの量産に使用されるだろう」と述べた。 ▲画像出典 TheElec、以下同 ハイブリッドボンディングは、既存のボンディングプロセスと比較して、DRAMメモリ層間にバンプを追加する必要がなく、上下層の銅と銅を直接接続する。
