ASML初の新型EUVリソグラフィー装置Twinscan NXE:3800E導入完了
露光装置メーカー ASML は、生産効率の向上を実現する初の新型 EUV 露光装置 Twinscan NXE:3800E の導入に成功したと発表しました。 3 月 13 日のニュースによると、ASML はこの重要な進歩を遂げました。

開発中の高 NA EUV リソグラフィ マシンの Twinscan EXE シリーズに加えて、ASML は従来の開口数 EUV リソグラフィ マシンの NXE シリーズも継続的に更新およびアップグレードしています。 NXE:4000F 2025年モデル。
NXE シリーズ モデルの最後の 2 世代である 3400C と 3600D は、それぞれ 7 ~ 5 nm および 5 ~ 3 nm ノードの生産に適しています。したがって、ドイツのメディア ComputerBase は、3800E は切断をサポートすると予想しています。エッジ3~2nmプロセス 。
以前に ASML によって共有された 2021 年バージョンのロードマップによると、Twinscan NXE:3800E システムは、前世代の 3600D と比較してアライメント精度 (オーバーレイ) と生産能力をさらに向上させ、 195 枚のウェーハを達成 サークルの 1 時間あたりのスループットは、3600D の 160 枚と比較して 22% 近く大幅に増加し、目標の 220 枚 (37.5% の増加に相当) に達すると予想されます。
#▲ 2021 年版 ASML リソグラフィー装置ロードマップ。画像ソース ASML、以下同様

以上がASML初の新型EUVリソグラフィー装置Twinscan NXE:3800E導入完了の詳細内容です。詳細については、PHP 中国語 Web サイトの他の関連記事を参照してください。

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このウェブサイトの9月6日のニュースによると、ASMLの最高経営責任者ピーター・ウェニンク氏は最近、ロイターとのインタビューで、サプライヤーからのいくつかの障害にもかかわらず、同社は以前に設定された計画に従って今年末までにHighNAEUVマシンを納入する予定であると述べた。 ASMLによると、高開口数EUVリソグラフィー(High-NAEUV)装置はトラックとほぼ同じ大きさで、各装置の販売価格は3億ドル以上(本サイト注:現在約21億9000万元)。メーカーのニーズに応じて、今後 10 年間でより小型でより優れたチップを製造できるようになります。ウェニンク氏は、一部のサプライヤーは部品の量と品質を改善できず、若干の遅れが生じたが、全体的にはこれらの困難は克服できると述べた。

2月2日の当サイトのニュースによると、ASML最高財務責任者のロジャー・ダッセン氏は最近、オランダの地元メディアBits&Chipsのインタビューに応じた。ダッセン氏はインタビューの中で、分析機関セミアナリシスの疑問に答え、将来的にも高NA(高開口数)EUV(極紫外光)リソグラフィー装置が依然として最も経済的な選択肢であると述べた。 SemiAnalysis は以前、高 NA リソグラフィ技術ではより高い露光量が使用されるため、単位時間あたりのウェーハ スループットが大幅に低下すると主張する記事を発表しました。これは、既存の0.33NA EUV露光機を多重露光で使用する場合と比較して、High-NAを導入しても近い将来コストメリットが得られないことを意味します。ダッセンは認識している

7月1日のニュースによると、編集者の理解によると、リソグラフィー装置のリーダーであるASMLは最近、DUVリソグラフィー装置の輸出承認に関する質問に回答し、関連する規制とスケジュールをさらに明確にしました。 ASML の声明によると、輸出管理規制は DUV リソグラフィー装置の一部の最新モデル、特に TWINSCANNXT:2000i とその後の液浸リソグラフィー システムにのみ適用されます。 EUV露光装置はこれまでも規制があり、他の種類の露光装置の出荷は規制されていなかった。 ASMLは、この管理規制は9月1日に正式に発効し、同社は正常な事業運営を確保するために関連部門にライセンス申請を積極的に提出していると強調した。したがって、9 月 1 日より前に出荷された DUV リソグラフィー装置は影響を受けません。

石版印刷機は 1822 年にフランス人ニセフォール ニエプスによって発明されました。最初にニセフォール ニエプスは油紙に彫刻できるマークを発見しました。それがガラス板上に現れると、一定期間露光した後、光透過部分が になります。非常に硬いですが、不透明な部分はロジンと植物油で洗い流すことができます。

韓国のエレクトロニック・ニュース・トゥデイの報道によると、サムスンはASML極紫外(EUV)リソグラフィー装置の輸入を増やす計画であり、契約の機密保持条項には具体的な詳細は開示されていないが、証券市場ニュースによると、この協定により、 ASMLは5年間に計50セットの装備を提供する予定で、各装備の単価は約2000億ウォン(約11億2000万元)、総額は10兆ウォン(約551億元)に達する可能性がある。契約内容は現時点では不明 同製品は既存のEUV露光装置、または次世代「HighNAEUV」露光装置。しかし、現在のEUVリソグラフィー装置の最大の問題は出力の制限です。関係者によると、それは「衛星部品よりも複雑」で、毎年非常に限られた量しか生産できないという。によると

露光装置メーカー ASML は、生産効率の向上を実現する初の新型 EUV 露光装置 TwinscanNXE:3800E の導入に成功したと発表しました。 3 月 13 日のニュースによると、ASML はこの重要な進歩を遂げました。 ▲X プラットフォーム上の ASML の関連開発 このサイトに問い合わせたところ、ASML 公式 Web サイトにはまだ TwinscanNXE:3800E 情報ページが開設されていないことがわかりました。 ASMLは、現在開発中のHigh-NAEUVリソグラフィ装置のTwinscanEXEシリーズに加えて、2025年にNXE:4000Fモデルを発売するという将来の目標に向けて、従来の開口数EUVリソグラフィ装置のNXEシリーズのアップデートとアップグレードも継続している。前 2 世代の NXE シリーズ モデル 3400C および

報道によると、キヤノンは11月6日、新興チップ製造技術であるナノインプリント・リソグラフィー(NIL)に投資しており、新しいチップ製造装置の価格をASMLの最高のリソグラフィー・マシンに設定する計画であると発表した。ナノインプリント技術は、ほんの数分の時間でリソグラフィーを進歩させている極紫外線リソグラフィー (EUV) テクノロジーに代わるコストです。キヤノンの御手洗富士夫最高経営責任者(CEO)は、同社の最新のナノインプリント技術は小規模チップメーカーが高度なチップを製造する道を開くだろうと述べた。御手洗冨士夫氏(88)は「この製品の価格はASMLのEUVより一桁安いだろう」と語った。彼が参事官を務めるのはこれで3度目となる

6月20日の本サイトのニュースによると、市場調査会社カウンターポイント・リサーチは本日ブログ投稿を発表し、世界上位5社のウェーハ装置(WFE)メーカーの収益が2024年第1四半期に前年同期比で9%減少したと述べた。顧客が最先端の半導体への投資を延期したため。このサイトからの注記: 上位 5 位のうち、ASML の収益は前月比 21%、前年比 26% 減少し、KLA の収益は前月比 14%、前年比 5% 減少しました。 2023 年と比較すると、アプライド マテリアルズ、ラム リサーチ、KLA は連続して 1 桁の売上減少を報告しました。主に中国の DRAM 出荷量の増加により、WFE メーカー上位 5 社の中国からの収益は、2024 年第 1 四半期に前年同期比 116% 増加しました。
