王文涛商務大臣がクアルコムのアンモンCEO、マイクロンのサンジェイ・メロトラCEOと会談
商務省の公式ニュースによると、王文濤商務大臣は3月23日にクアルコム社の安孟社長兼最高経営責任者(CEO)と会談した。双方は中米の経済・貿易関係とクアルコムの中国での発展について緊密な意見交換を行った。

王文涛氏は、開放性が現代中国の特徴的な象徴であると強調した。中国政府はビジネス環境を最適化し、外資系企業の投資と運営に対するサービス保証を提供することに尽力している。中国は新たな生産力の発展を加速させている。人工知能、クラウドコンピューティング、家庭用電化製品、その他の産業はビジネスチャンスと活力に満ちている。クアルコムを含む世界的なハイテク企業が中国への投資と革新的な開発を深化させることを歓迎する 世界のハイテク産業を促進する 科学技術産業は健全かつ着実に発展しています。
アンメン氏は、ハイテク産業には各国の緊密な協力が必要であり、クアルコムは米国と中国政府が双方の企業の投資と運営に安定した期待と良好な環境を生み出すことを期待していると述べた。 クアルコムは中国のパートナーとの革新的な協力を継続していきます。

#同日、王文涛大臣はマイクロンテクノロジー社社長兼最高経営責任者(CEO)のサンジェイ・メロトラ氏とも会談した。両者はマイクロン・テクノロジーの中国での展開やその他の問題について緊密な意見交換を行った。
王文濤氏は、中国政府による新たな生産力の精力的な開発とデジタル経済の革新的発展の徹底的な推進により、マイクロンを含む世界中の企業に広範な開発スペースが提供されるだろうと述べた。マイクロンが引き続き中国市場を開拓し、その進歩を加速することを歓迎します。中国での投資プロジェクトは , に実施され、中国の法律と規制に準拠しています。
Sanjay Mehrotra 氏は、中国におけるマイクロンの事業と新たな投資プロジェクトを紹介し、マイクロンは中国の法律と規制を厳格に遵守し、および中国への投資を拡大する予定であると述べました。中国の顧客のニーズを満たし、中国の半導体産業とデジタル経済の発展に貢献します。
以上が王文涛商務大臣がクアルコムのアンモンCEO、マイクロンのサンジェイ・メロトラCEOと会談の詳細内容です。詳細については、PHP 中国語 Web サイトの他の関連記事を参照してください。

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7月30日の当サイトのニュースによると、Micronは本日(現地時間)、第9世代(サイト注:276層)3DTLC NANDフラッシュメモリを量産し、出荷すると発表した。マイクロンによると、同社のG9NANDは業界最高のI/O転送速度3.6GB/秒(つまり、フラッシュメモリインターフェース速度3600MT/秒)で、これは既存の競合製品の2400MT/秒よりも50%高く、要求を満たすことができるという。データ集約型のワークロードのニーズ。同時に、Micron の G9NAND は、書き込み帯域幅と読み取り帯域幅の点で、市場の他のソリューションよりもそれぞれ 99% および 88% 高く、この NAND 粒子レベルの利点により、ソリッド ステート ドライブと組み込みストレージにパフォーマンスとエネルギー効率がもたらされます。解決策。さらに、前世代の Micron NAND フラッシュ メモリと同様に、Micron 276

2月15日、ボーズは、第2世代Qualcomm® S5オーディオプラットフォームを基盤としたオーディオウェアラブルデバイス、Bose Ultraオープンヘッドフォンの発売を発表しました。新製品はSnapdragonSoundテクノロジーをサポートしており、ロスレスの高解像度オーディオパフォーマンス、高速で安定した接続体験、より長いバッテリー寿命を備えたオーディオの饗宴をユーザーにいつでもどこでも提供します。ボーズは常にユーザーに究極の高品質オーディオ体験を提供してきました。第 2 世代の Qualcomm S5 オーディオ プラットフォームに基づいて、業界をリードする SnapdragonSound テクノロジーにより、Qualcomm aptX® Lossless audio および aptXAdaptive audio テクノロジーが新しい BoseUltra オープンバック ヘッドフォンに組み込まれています。

当サイトは3月21日、マイクロンが四半期財務報告書の発表後に電話会議を開催したと報じた。 Micron CEOのSanjay Mehrotra氏はカンファレンスで、従来のメモリと比較してHBMは大幅に多くのウエハを消費すると述べた。マイクロンは、同じノードで同じ容量を生産する場合、現在最も先進的なHBM3Eメモリは標準的なDDR5の3倍のウエハを消費し、性能の向上とパッケージングの複雑さの増大により、将来的にはHBM4のこの比率がさらに増加すると予想されていると述べました。 。このサイトの以前のレポートを参照すると、この高い比率は HBM の歩留まりの低さによる部分もあります。 HBM メモリは、多層の DRAM メモリ TSV 接続でスタックされており、1 つの層に問題があると、全体の層に問題が発生することを意味します。

7 月 13 日のニュースによると、クアルコムが非標準の必須特許 4 件を侵害したとして、インドのデリー高等裁判所に Transsion Holdings Group を提訴していると最近報じられた。 Transsionはクアルコムと5G標準特許ライセンス契約を締結しており、その契約を履行していると回答した。トランション社によると、同社の販売ネットワークはアフリカや南アジアなどの新興市場の70カ国以上をカバーしており、一部の国では特許を保有していない、または少数の特許しか保有していないところもあるという。しかし、世界的に統一された料金を要求し、地域ごとの経済発展レベルの違いや、特定の地域や市場で特許を持っていない、または少数の特許しか持っていないという事実を考慮していない、法外なライセンス料を請求しています。 、既存のケースでは、地域ごとに料金やその他の要因が異なります。この慣行は、公平性、合理性、無差別の原則に完全には準拠していません。音の伝達

11月14日のニュースによると、最近、デジタルチャットステーションがQualcomm Snapdragon 7Gen3の詳細な仕様を公開しました。このチップはTSMCの4nmプロセスを使用しており、Snapdragon 7+Gen2に似た1+3+4アーキテクチャ設計が特徴です。 CPU部分は1×2.63GHz+3×2.4GHz+4×1.8GHzで構成されており、メインコアにはArmCortex-A715を採用し、Adreno720GPUを搭載している。比較すると、Qualcomm Snapdragon 7+Gen2のCPU構成は1×2.91GHz+3×2.49GHz+4×1.8GHzで、Adreno725 GPUを搭載しています。編集者が理解している限り、仕様の比較から、Qualcomm Snapdragon 7Gen3の全体的なパフォーマンスは、今年発売されたSnapdragon 7 Gen3ほど良くありません。

3月18日のニュースによると、今日午後、クアルコムはSnapdragon 8sGen3を正式にリリースしました。これは中国語では第3世代Snapdragon 8sと呼ばれています。会議でクアルコムは、Xiaomi Civi4 シリーズがこのプロセッサを世界初公開すると直接発表しました。第3世代Snapdragon 8sと名付けられた理由は、第3世代Snapdragon 8と全く同じ出自であり、4nmプロセスを使用しており、CPUは1×3.0GHz Cortex-X4 4×2.8GHz Cortex-A720 3です。 ×2.0GHz Cortex-A520、GPUはAdreno735です。 CPUは第3世代Snapdragon 8アーキテクチャと完全に同一、GPUは第2世代Snapdragon 8と同モデルで、新しいハードウェアレイトレーシング、Adrenをサポート

クアルコムは11月17日午後に盛大な記者会見を開催し、新しいモバイルプロセッサー「Snapdragon 7Gen3」を正式に発表した。中国語での正式名称は「第3世代Snapdragon 7」で、最新の8シリーズ製品に相当する新世代Snapdragon 7シリーズチップの製品計画が具体化し始めており、ミディアムカップ、ラージカップ、エクストララージなどのさまざまなモデルをカバーしています。カップ: Snapdragon 7s はバランスのとれたエネルギー効率に重点を置き、Snapdragon 7 は高度なエクスペリエンスを提供することに注力し、Snapdragon 7+ は優れたパフォーマンスを追求します。高度なTSMC 4nmプロセス技術を使用したCPUは、メイン周波数2.63GHzの1コア、2.40GHzのメイン周波数の3コア、1.80GHzのメイン周波数の2コアを含む、4つの大規模コアと4つの小コアで設計されています。前世代のSnapdragon 7と比較して、パフォーマンスが向上しました

1月29日の当サイトのニュースによると、マイクロンは2023年末のIEEEIEDMカンファレンスで32Gb3DNVDRAM(不揮発性DRAM)の研究開発成果を発表した。しかし、海外メディア Blocks&Files がインタビューした業界アナリスト 2 名から得た情報によると、この画期的な新しいメモリは基本的に商品化および量産される可能性は低いものの、それが示す技術的進歩は将来のメモリ製品に現れることが期待されています。 Micron の NVDRAM メモリは、強誘電性の原理に基づいており (このサイトからの注記: 自発分極があり、外部電界によって分極方向が反転することができます)、DRAM に近い不揮発性を持ちながら、DRAM に近い高性能を実現できます。 NAND フラッシュ メモリ耐久性に優れ、遅延が少ない。この新しいタイプのメモリは 2 層 3D スタッキングを使用しており、容量は 32Gb です。
