キオクシア、ストレージクラスメモリ事業の再編に向け、2031年に1000層NAND型フラッシュメモリの発売を目指す

日経xTECHによると、キオクシアの最高技術責任者（CTO）である宮島秀史氏は、最近開催された応用物理学会第71回春季学術講演会で、同社は2030～2031年に1000層3Dの発売を目指していると述べた。 NANDフラッシュメモリ事業の再編とストレージクラスメモリ（SCM）事業の再編。

KIOXIA と Western Digital は NAND フラッシュ メモリ技術の開発に協力しており、現在のパートナーの最も先進的な製品は 218 層積層型 3D フラッシュ メモリです。 BICS8 フラッシュ メモリは 32​​00MT/s の I/O レートを達成できます。

2022 年、別の大手 NAND 企業が Technology Day で同様の見解を示しました。 2030 年までに 1,000 層の積層型 3D NAND ストレージを実現する予定であると予測されています。

積層層の数を増やすことは、単一の 3D NAND フラッシュ メモリ 粒子の容量を増やす主な方法です。ただし、層の数が増加するにつれて、アスペクト比が増加するにつれて、フラッシュメモリ粒子の垂直チャネルをエッチングする難易度は徐々に増加します。 高アスペクト比のエッチングは、難易度が高く歩留まりが低いことに加えて、時間と費用がかかるプロセスでもあります。現在、このようなエッチングにはそれぞれ約 1 時間かかります。NAND 工場が生産能力を向上させたい場合は、エッチングマシンが増えました。

したがって、

KioXia は、BICS8 でデュアル スタック プロセス

を使用して、2 つの NAND スタックの垂直チャネル エッチングを個別に実現します。 この動きにより、デュアルスタック間の通過の困難が増加しますが、それでも全体的には困難が軽減されます。数千層積層された NAND フラッシュ メモリには、将来さらに多くの NAND スタックが含まれることが予想されます。

また、宮島英史氏は、NANDとDRAMの両方を運用する競合他社と比較して、

キオクシアは事業の豊富さの点で競争上不利な立場にあるため、ストレージクラスのメモリを育成する必要があるとも述べた( SCM）などの新規ストレージ製品事業

。 CTO は、AI ブームの下で DRAM と NAND の性能差が拡大しており、SCM がこの差を埋めることができると述べました。

キオクシアは、4月1日付で従来の「メモリ技術研究所」を「先端技術研究所」に改組した。同社の SCM 研究は、2 ～ 3 年以内に出荷される予定の MRAM、FeRAM、ReRAM などの新しいメモリに焦点を当てます。

このサイトのレポートを参照すると、キオクシアは以前、SCM 分野での XL-FLASH フラッシュ メモリ ソリューションに焦点を当てていました。同社は、MLC モードをサポートする第 2 世代の XL-FLASH を 2022 年に発売しました。

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