IGBTは、MOSFETとBJTの特性を組み合わせたパワー半導体スイッチングデバイスで、MOSゲートを通じてBJTのオンとオフを制御し、電気自動車、パワーインバータ、無停電電源装置などに広く使用されています。モーター制御や再生可能エネルギーシステムに適しており、高電流容量、低オン抵抗、高速スイッチング、堅牢性、高効率という特徴を備えています。
IGBTとはどのようなデバイスですか?
IGBT (絶縁ゲートバイポーラトランジスタ) は、主に高電力および高電圧スイッチング用途に使用されるパワー半導体スイッチングデバイスです。
IGBTの仕組み
IGBTは、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)とバイポーラトランジスタ(BJT)の利点を組み合わせています。 MOSFET は高い入力インピーダンスと高速スイッチングを提供し、BJT は高い電流搬送能力と低いオン抵抗を提供します。 IGBT は MOS ゲートを介して BJT のオン/オフを制御し、電源スイッチング機能を実現します。
IGBT のアプリケーション
IGBT は、次のようなさまざまな高電力および高電圧システムで広く使用されています。再生可能エネルギーシステムIGBTS
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