给定a、b两个文件，各存放50亿个url，每个url各占用64字节，内存限制是4G，如何找出a、b文件共同的url？，50亿4g
给定a、b两个文件，各存放50亿个url，每个url各占用64字节，内存限制是4G，如何找出a、b文件共同的url？，50亿4g
可以估计每个文件的大小为5G*64=300G，远大于4G。所以不可能将其完全加载到内存中处理。考虑采取分而治之的方法。
遍历文件a，对每个url求取hash(url)%1000，然后根据所得值将url分别存储到1000个小文件（设为a0,a1,...a999）当中。这样每个小文件的大小约为300M。遍历文件b，采取和a相同的方法将url分别存储到1000个小文件(b0,b1....b999)中。这样处理后，所有可能相同的url都在对应的小文件(a0 vs b0, a1 vs b1....a999 vs b999)当中，不对应的小文件（比如a0 vs b99）不可能有相同的url。然后我们只要求出1000对小文件中相同的url即可。
比如对于a0 vs b0，我们可以遍历a0，将其中的url存储到hash_map当中。然后遍历b0，如果url在hash_map中，则说明此url在a和b中同时存在，保存到文件中即可。
如果分成的小文件不均匀，导致有些小文件太大（比如大于2G），可以考虑将这些太大的小文件再按类似的方法分成小小文件即可
昨天百度面试官问道的 今天研究一下
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대용량 메모리 최적화, 컴퓨터가 16g/32g 메모리 속도로 업그레이드했는데 변화가 없다면 어떻게 해야 하나요?
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기계식 하드 드라이브나 SATA 솔리드 스테이트 드라이브의 경우 소프트웨어 실행 속도의 증가를 느낄 수 있지만 NVME 하드 드라이브라면 느끼지 못할 수도 있습니다. 1. 레지스트리를 데스크탑으로 가져와 새 텍스트 문서를 생성하고, 다음 내용을 복사하여 붙여넣은 후 1.reg로 저장한 후 마우스 오른쪽 버튼을 클릭하여 병합하고 컴퓨터를 다시 시작합니다. WindowsRegistryEditorVersion5.00[HKEY_LOCAL_MACHINE\SYSTEM\CurrentControlSet\Control\SessionManager\MemoryManagement]"DisablePagingExecutive"=d
0x80004005 오류 코드가 나타나는 경우 수행할 작업 편집기에서 0x80004005 오류 코드를 해결하는 방법을 알려줍니다.
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소식통에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 2026년 이후 적층형 모바일 메모리를 상용화할 것으로 보인다.
Sep 03, 2024 pm 02:15 PM
3일 홈페이지 보도에 따르면 국내 언론 에트뉴스는 어제(현지시간) 삼성전자와 SK하이닉스의 'HBM형' 적층구조 모바일 메모리 제품이 2026년 이후 상용화될 것이라고 보도했다. 소식통에 따르면 두 한국 메모리 거대 기업은 적층형 모바일 메모리를 미래 수익의 중요한 원천으로 여기고 'HBM형 메모리'를 스마트폰, 태블릿, 노트북으로 확장해 엔드사이드 AI에 전력을 공급할 계획이라고 전했다. 이 사이트의 이전 보도에 따르면 삼성전자 제품은 LPWide I/O 메모리라고 하며 SK하이닉스는 이 기술을 VFO라고 부른다. 두 회사는 팬아웃 패키징과 수직 채널을 결합하는 것과 거의 동일한 기술 경로를 사용했습니다. 삼성전자 LPWide I/O 메모리의 비트폭은 512이다.
삼성전자가 HBM4 메모리에 널리 사용될 것으로 예상되는 16단 하이브리드 본딩 적층 공정 기술 검증을 완료했다고 밝혔다.
Apr 07, 2024 pm 09:19 PM
보고서에 따르면 삼성전자 김대우 상무는 2024년 한국마이크로전자패키징학회 연차총회에서 삼성전자가 16단 하이브리드 본딩 HBM 메모리 기술 검증을 완료할 것이라고 밝혔다. 해당 기술은 기술검증을 통과한 것으로 알려졌다. 보고서는 이번 기술 검증이 향후 몇 년간 메모리 시장 발전의 초석을 마련하게 될 것이라고 밝혔다. 김대우 사장은 삼성전자가 하이브리드 본딩 기술을 바탕으로 16단 적층 HBM3 메모리를 성공적으로 제조했다고 밝혔다. ▲이미지 출처 디일렉, 아래와 동일 하이브리드 본딩은 DRAM 메모리층 사이에 범프를 추가할 필요 없이 상하층 구리를 직접 연결하는 방식이다.
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Mar 22, 2024 pm 08:16 PM
21일 본 사이트의 소식에 따르면 마이크론은 분기별 재무보고서를 발표한 뒤 컨퍼런스콜을 가졌다. 컨퍼런스에서 Micron CEO Sanjay Mehrotra는 기존 메모리에 비해 HBM이 훨씬 더 많은 웨이퍼를 소비한다고 말했습니다. 마이크론은 동일한 노드에서 동일한 용량을 생산할 때 현재 가장 발전된 HBM3E 메모리는 표준 DDR5보다 3배 더 많은 웨이퍼를 소비하며 성능이 향상되고 패키징 복잡성이 심화됨에 따라 향후 HBM4 이 비율은 더욱 높아질 것으로 예상된다고 밝혔습니다. . 이 사이트의 이전 보고서를 참조하면 이러한 높은 비율은 부분적으로 HBM의 낮은 수율 때문입니다. HBM 메모리는 다층 DRAM 메모리 TSV 연결로 적층됩니다. 한 층에 문제가 있다는 것은 전체가 의미합니다.
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May 07, 2024 am 08:13 AM
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비디오 계정에서 댓글 제한을 제거하는 방법은 무엇입니까? 비디오 계정의 댓글 글자수 제한은 어떻게 되나요?
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