Intel은 Intel 3 프로세스에 대해 자세히 설명합니다. 더 많은 EUV 리소그래피를 적용하여 동일한 전력 소비 빈도를 최대 18% 높입니다.

이 사이트는 6월 19일 2024 IEEE VLSI 심포지엄의 일환으로 인텔이 최근 공식 웹사이트에 인텔 3 프로세스 노드의 기술 세부 사항을 소개했다고 보도했습니다.

인텔의 최신 세대 FinFET 트랜지스터 기술은 인텔의 최신 세대 FinFET 트랜지스터 기술로, 인텔 4에 비해 EUV를 사용하는 단계가 추가되었으며, 기본 인텔을 포함하여 오랫동안 파운드리 서비스를 제공하는 노드 제품군이 될 것입니다. 3 및 3개의 변형 노드.

그 중 Intel 3-E는 기본적으로 아날로그 모듈 제조에 적합한 1.2V 고전압을 지원하며, 향후 Intel 3-PT는 전반적인 성능을 더욱 향상시키고 더 미세한 9μm 피치 TSV를 지원할 것입니다. 및 하이브리드 키가 결합됩니다.

Intel은 자사의 "궁극적인 FinFET 프로세스"로서 Intel 3-PT가 옹스트롬 수준의 프로세스 노드와 함께 내부 및 외부 파운드리 고객이 사용하는 앞으로 수년 동안 주류 선택이 될 것이라고 주장합니다.

240nm 고성능 라이브러리만 포함된 Intel3(이 사이트 참고: HP 라이브러리)와 비교하여 Intel4 프로세스는 210nm 고밀도(HD) 라이브러리를 도입하여 트랜지스터 성능 방향에서 더 많은 가능성을 제공합니다.

인텔은 고밀도 라이브러리를 사용할 때 기본 인텔 3 프로세스가 인텔 4 프로세스에 비해 최대 18%까지 주파수를 높일 수 있다고 밝혔습니다.

또한 Intel은 Intel 3 기본 버전의 프로세스 밀도도 10% 증가

하여 "풀 노드" 수준으로 향상되었다고 주장합니다.

트랜지스터의 금속 배선 레이어와 관련하여 Intel 3는 Intel 4

의 14+2 레이어 외에도 12+2 및 19+2의 두 가지 새로운 옵션을 제공합니다. 비용과 고성능 사용.

특히 Intel은 Intel 3의 M0 및 M1과 같은 핵심 레이어에서 Intel 4와 동일한 피치를 유지했으며 주로 M2 및 M4의 피치를 45nm에서 42nm로 줄였습니다.

위 내용은 Intel은 Intel 3 프로세스에 대해 자세히 설명합니다. 더 많은 EUV 리소그래피를 적용하여 동일한 전력 소비 빈도를 최대 18% 높입니다.의 상세 내용입니다. 자세한 내용은 PHP 중국어 웹사이트의 기타 관련 기사를 참조하세요!