뉴스에 따르면 삼성전자 2nm 공정의 EUV 노광층 수가 30% 이상 늘어났고 SF1.4 노드는 앞으로 30층을 넘을 것으로 예상된다.

7월 23일자 홈페이지 소식에 따르면 국내 언론 더일렉은 이달 17일 삼성전자가 내년 출시할 2nm 첨단 공정이 EUV 노광층 수를 기존 대비 30% 이상 늘릴 것이라고 보도했다. 기존 3나노 공정으로 '20~30대 중반' 도달 국내 언론은 제품 특성에 따라 동일 노드에 노출되는 레이어 수조차 완전히 고정되지는 않는다고 보도에서 언급했다. 하지만 전체적으로 삼성전자 3나노 공정의 EUV 노광층 수는 평균 20개에 불과한데, 2027년 양산 예정인 SF1.4 공정에서는 EUV 노광층 수는 30개를 넘을 것으로 예상된다. 레이어.

▲ ASML의 차세대 0.33NA EUV 리소그래피 기계 NXE:3800E 고급 공정이 발전함에 따라 트랜지스터 크기에 대한 요구 사항이 점점 더 엄격해지고 있습니다. 노광층에서 기존 DUV를 대체하기 위해 EUV 리소그래피를 사용하면 더 높은 리소그래피 정확도를 달성하고, 트랜지스터 밀도를 더욱 높이며, 단위 면적당 더 많은 집적 회로를 수용할 수 있습니다.
이러한 맥락에서 첨단 로직 파운드리 기업들은 ASML의 EUV 장비를 적극적으로 구매하고 있습니다.
TSMC를 예로 들면, 이 사이트의 이전 보고서에 따르면 올해와 내년에 총 60대 이상의 EUV 리소그래피 기계를 받게 될 것입니다. 한국 언론은 TSMC가 2025년 말까지 160대 이상의 EUV 노광기를 보유할 것으로 추정하고 있다.
또한 DRAM 메모리 산업에서 EUV 리소그래피의 사용도 증가하고 있습니다.
6세대 20~10nm 수준 프로세스(예: 1c nm, 1γ nm)에서 삼성전자는 6~7개의 EUV 레이어를 사용하고 SK하이닉스는 5개의 EUV 레이어를 갖춘 마이크론도 이 노드에서 처음으로 EUV 리소그래피를 도입했습니다.

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