삼성전자, 마이크로프로세서와 메모리 제조 분야 하버드대학교 특허 2건 침해 혐의로 기소
8월 7일 본 홈페이지 소식, 블룸버그 로(Bloomberg Law)와 로이터 통신 보도에 따르면, 하버드 대학교는 지난 월요일 미국 텍사스주 동부지방법원에 삼성전자가 다음과 같은 분야에서 2건의 침해 혐의로 기소장을 제출했다. 마이크로프로세서 및 메모리 제조 특허. 이 웹사이트는 하버드 대학교 화학과의 Roy G. Gordon 교수가 이 두 특허의 발명자라는 사실을 기소를 통해 알게 되었습니다. 하버드 대학교는 이 특허의 양수인이며 해당 특허에 대한 완전한 권리를 가지고 있습니다.
▲미국 삼성 사옥
이 두 특허는 코발트 및 텅스텐 함유 필름의 증착 방법에 관한 것으로, 각각 "구리 배선용 질화 코발트 층 및 그 형성 방법"과 "질화 증기 증착"이라는 제목으로 명명되었습니다. 하버드 대학교는 "이 필름은 컴퓨터와 휴대폰을 포함한 많은 제품의 중요한 구성 요소에 매우 중요합니다."라고 말했습니다.
하버드대는 삼성전자가 삼성 S22 스마트폰 및 기타 제품에 퀄컴 스냅드래곤 8 Gen 1 프로세서 등 OEM 공정에서 질화코발트막 제조와 관련된 하버드대의 특허를 침해했다고 판단하고 있다.
삼성은 LPDDR5X 등 메모리를 생산할 때 하버드대학교의 텅스텐층 증착 특허에서 최소 한 가지 주장의 모든 요소를 무단으로 구현했습니다. 삼성의 갤럭시 Z 플립5 폴더블 스크린 휴대폰은 관련 LPDDR5X 메모리 제품을 사용합니다.
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소식통에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 2026년 이후 적층형 모바일 메모리를 상용화할 것으로 보인다.
Sep 03, 2024 pm 02:15 PM
3일 홈페이지 보도에 따르면 국내 언론 에트뉴스는 어제(현지시간) 삼성전자와 SK하이닉스의 'HBM형' 적층구조 모바일 메모리 제품이 2026년 이후 상용화될 것이라고 보도했다. 소식통에 따르면 두 한국 메모리 거대 기업은 적층형 모바일 메모리를 미래 수익의 중요한 원천으로 여기고 'HBM형 메모리'를 스마트폰, 태블릿, 노트북으로 확장해 엔드사이드 AI에 전력을 공급할 계획이라고 전했다. 이 사이트의 이전 보도에 따르면 삼성전자 제품은 LPWide I/O 메모리라고 하며 SK하이닉스는 이 기술을 VFO라고 부른다. 두 회사는 팬아웃 패키징과 수직 채널을 결합하는 것과 거의 동일한 기술 경로를 사용했습니다. 삼성전자 LPWide I/O 메모리의 비트폭은 512이다.
Transsion, 인도에서 Qualcomm의 특허 침해 소송에 대응: 계약이 체결되고 이행되었습니다.
Jul 18, 2024 pm 03:03 PM
7월 13일 뉴스에 따르면 최근 Qualcomm이 Transsion Holdings Group을 인도 델리 고등 법원에 고소하며, 트랜전 홀딩스 그룹이 자사의 비표준 필수 특허 중 4건을 침해했다고 비난했습니다. 트랜션은 퀄컴과 5G 표준 특허 라이선스 계약을 체결하고 이를 이행하고 있다고 답했다. Transsion은 자사의 판매 네트워크가 아프리카, 남아시아 등 신흥 시장의 70개국 이상을 포괄하고 있다고 밝혔습니다. 일부 국가에서는 일부 특허 보유자가 특허를 보유하지 않거나 소수만 보유하고 있습니다. 그러나 전 세계적으로 통일된 요율을 요구하고, 지역별 경제 발전 수준의 차이, 특정 지역이나 시장에서 특허가 없거나 소수의 특허만 보유하고 있다는 점을 고려하지 않은 과도한 라이센스 비용에 대한 호소가 필요합니다. , 기존 사례는 지역 및 기타 요인에 따라 다른 수수료를 제공합니다. 이러한 관행은 공정성, 합리성, 차별금지의 원칙을 완전히 준수하지 않습니다. 소리 전달
삼성전자가 HBM4 메모리에 널리 사용될 것으로 예상되는 16단 하이브리드 본딩 적층 공정 기술 검증을 완료했다고 밝혔다.
Apr 07, 2024 pm 09:19 PM
보고서에 따르면 삼성전자 김대우 상무는 2024년 한국마이크로전자패키징학회 연차총회에서 삼성전자가 16단 하이브리드 본딩 HBM 메모리 기술 검증을 완료할 것이라고 밝혔다. 해당 기술은 기술검증을 통과한 것으로 알려졌다. 보고서는 이번 기술 검증이 향후 몇 년간 메모리 시장 발전의 초석을 마련하게 될 것이라고 밝혔다. 김대우 사장은 삼성전자가 하이브리드 본딩 기술을 바탕으로 16단 적층 HBM3 메모리를 성공적으로 제조했다고 밝혔다. ▲이미지 출처 디일렉, 아래와 동일 하이브리드 본딩은 DRAM 메모리층 사이에 범프를 추가할 필요 없이 상하층 구리를 직접 연결하는 방식이다.
삼성전자는 SF1.4 공정이 2027년 양산될 것으로 재확인하며 공동패키징 광학 분야 진출 계획을 밝혔다.
Jun 13, 2024 pm 05:10 PM
삼성전자는 지난 12일 현지 시간으로 열린 삼성파운드리포럼 2024 북미에서 자사의 SF1.4 공정이 2027년 양산될 것으로 예상된다는 점을 기존 언론의 루머에 맞서 재확인했다고 13일 보도했다. 삼성전자는 1.4nm 공정 준비가 순조롭게 진행되고 있으며 2027년에는 성능과 수율 모두에서 양산 목표에 도달할 것으로 예상된다고 밝혔습니다. 또한, 삼성전자는 무어의 법칙을 지속적으로 뛰어넘겠다는 삼성의 의지를 실현하기 위해 소재와 구조의 혁신을 통해 1.4nm 이후 첨단 로직 공정 기술을 적극적으로 연구하고 있습니다. 삼성전자는 2세대 3나노 공정 SF3를 2024년 하반기에도 양산할 계획임을 동시에 확인했다. 보다 전통적인 FinFET 트랜지스터 부문에서 삼성전자는 S를 출시할 계획입니다.
화웨이가 자체 초음파 언더스크린 지문인식 스캐너를 만들고 있는 것으로 밝혀졌고, 내년에는 P80 시리즈가 출시될 것으로 예상된다.
Mar 15, 2024 pm 08:31 PM
휴대폰 기술이 지속적으로 발전함에 따라 화면 아래 지문 잠금 해제가 시장의 표준 구성 중 하나가 되었습니다. 디지털 블로거 @digitalchatstation에 따르면 화웨이는 초음파 언더스크린 지문 기술을 개발하고 있지만 Goodix의 특허 위험에 대한 소문은 전적으로 사실이 아닙니다. 또한 화웨이는 초음파 기술 분야에서 진전을 이뤘을 뿐만 아니라 광학 언더스크린 지문과 정전식 지문을 위한 알고리즘 솔루션을 독자적으로 개발해 강력한 연구개발 역량을 보여줬다. 현재 언더스크린 지문인식 기술은 주로 광학식 지문인식과 초음파 지문인식으로 구성되는 것으로 알려졌다. 초음파 지문인식 기술은 광학식 지문인식에 비해 인식속도가 빠르고, 인식률이 높으며, 침투력이 강하고, 물얼룩이나 얼룩에 대한 두려움이 없으며, 간섭력이 강하고, 생체인식 지원, 보안성이 높은 특징을 갖고 있다. 주류 주력 기계
삼성, v7 QLC V-NAND를 탑재하고 PCIe 5.0을 지원하는 BM1743 데이터 센터급 SSD 출시
Jun 18, 2024 pm 04:15 PM
18일 홈페이지 소식에 따르면 삼성반도체는 최근 자사 기술 블로그를 통해 최신 QLC 플래시 메모리(v7)를 탑재한 차세대 데이터센터급 SSD BM1743을 소개했다. ▲삼성 QLC 데이터센터급 솔리드스테이트드라이브 BM1743 지난 4월 트렌드포스에 따르면 QLC 데이터센터급 솔리드스테이트드라이브 분야에서 삼성전자와 SK하이닉스 자회사인 솔리드다임만이 기업 고객 검증을 통과했다. 그때. 이전 세대 v5QLCV-NAND(이 사이트 참고: Samsung v6V-NAND에는 QLC 제품이 없음)와 비교하여 Samsung v7QLCV-NAND 플래시 메모리는 적층 레이어 수가 거의 두 배로 늘어났으며 저장 밀도도 크게 향상되었습니다. 동시에 v7QLCV-NAND의 부드러움은
Microsoft는 광범위한 주광선 각도 조작을 위해 마이크로렌즈 어레이를 사용하는 AR/VR 특허를 탐색합니다.
Sep 30, 2023 pm 09:29 PM
(2023년 9월 26일) 마이크로소프트는 마이크로LED가 소형, 경량, 고휘도, 높은 패키징 밀도라는 특징을 갖고 있어 특히 고해상도, 소형, 경량이 요구되는 머리 장착형 기기에 적합할 수 있다고 보고 있다. . 마이크로소프트는 "패널 디스플레이를 위한 광범위한 주광선 각도 조작을 제공하는 마이크로렌즈"라는 특허 출원에서 패널 디스플레이를 위한 광범위한 주광선 각도 조작을 제공하는 마이크로렌즈와 마이크로렌즈 어레이로 구성된 디스플레이 시스템을 소개했습니다. 여기서, 어레이의 각 마이크로렌즈는 패널 디스플레이의 각 픽셀에 해당합니다. 마이크로렌즈는 용도에 따라 구성됩니다.
인텔 CEO 팻 겔싱어(Pat Gelsinger)가 내년 처음으로 ISSCC에서 전체 연설을 통해 파운드리 진전 상황을 소개할 것으로 알려졌다.
Aug 10, 2024 am 07:42 AM
9일 본 홈페이지 소식에 따르면, 한국 언론 '조선일보'는 인텔 CEO 팻 키신저가 현지 시간으로 2025년 2월 16일부터 20일까지 샌프란시스코에서 열리는 차기 IEEEISSCC 국제고체회로컨퍼런스에 참석할 예정이라고 보도했다. ISSCC 총회에서 처음으로 기조연설을 하게 됩니다. 이 사이트의 참고 사항: ISSCC2024 전체 세션의 연사로는 TSMC의 공동 최고 운영 책임자인 Zhang Xiaoqiang 등이 있으며, AMD CEO Su Zifeng, imec 최고 전략 책임자 JoDeBoeck 등이 전체 연설을 했습니다. 보도에 따르면 인텔의 전체 연설자들은 ISSCC 컨퍼런스에서 주로 CPU 관련 기술을 소개하지만, 내년에 발표될 팻 키신저의 연설은 인텔의 I에 초점을 맞출 예정이다.
