삼성전자는 평택 P4공장 1cnm D램 메모리 생산라인 투자를 확정하고 내년 6월 가동을 목표로 하는 것으로 알려졌다.

8월 12일 본 사이트의 보도에 따르면, 국내 언론 전자뉴스는 삼성전자가 평택 P4 공장에 1c나노급 D램 메모리 생산라인을 건설하는 투자 계획을 내부적으로 확정했다고 보도했다. 해당 생산라인은 6월 가동을 목표로 하고 있다. 내년. 평택P4는 4단계로 나누어진 종합반도체 생산센터이다. 초기 계획에서는 1단계는 NAND 플래시 메모리, 2단계는 로직 파운드리, 3, 4단계는 DRAM 메모리용이었습니다. 삼성전자는 P4 1단계에서 D램 생산장비를 도입했지만 2단계 건설은 보류했다. 1cnm DRAM은 6세대 20~10nm 메모리 기술로, 각사의 1cnm(또는 해당 1γnm) 제품은 아직 공식적으로 출시되지 않았습니다. 국내 언론은 삼성전자가 올해 말 1cnm 메모리 생산을 시작할 계획이라고 보도했다.

▲ 삼성 평택공장 본 사이트의 이전 보도에 따르면, 삼성전자는 HBM4 제품의 에너지 효율 경쟁력을 높이기 위해 내년 하반기 출시 예정인 HBM4 메모리에 1c nm DRAM 다이를 적용하는 방안을 검토 중이다. 더욱 발전된 DRAM 공정으로 이 분야의 선두주자인 HBM SK하이닉스를 따라잡으세요.
HBM 메모리의 DRAM 웨이퍼 소비량이 기존 메모리에 비해 훨씬 높다는 점을 고려하여 평택 P4의 1c nm DRAM 생산 라인 건설도 HBM4의 생산 요구에 대비하고 있습니다.

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