Qualcomm Snapdragon 8 Gen 5는 클럭 속도가 크게 향상된다는 소문이 있지만 하나의 변형에만 해당됩니다.

이달 말 출시 예정인 Qualcomm Snapdragon 8 Gen 4를 통해 우리는 수많은 Geekbench 목록 및 유출 덕분에 칩 사양에 대해 상당한 정보를 얻었습니다. 이제 유명 Weibo 유출자가 후속 제품인 Snapdragon 8 Gen 5에 대한 일부 정보를 공개했습니다.

Snapdragon 8 Gen 5는 이전 제품의 2+6 구성을 유지합니다. 그러나 P-코어(코드명 Pegasus)는 5.0GHz에서 클럭킹되고 E-코어는 4.0GHz에서 작동합니다. 이는 각각 4.32GHz와 3.53GHz의 클럭을 자랑하는 Snapdragon 8 Gen 4의 P 코어와 E 코어보다 훨씬 높은 수치입니다.

그러나 TSMC의 N3P 노드에서 제조된 Snapdragon 8 Gen 5만 위에 언급된 속도로 클럭됩니다. 이전 소문에 따르면 Qualcomm은 자사의 주력 SoC를 TSMC와 Samsung Foundry에서 듀얼 소스로 공급할 계획이라고 합니다.

일반 Snapdragon 8 Gen 5는 TSMC 노드에서 만들어지고 Galaxy용 Snapdragon 8 Gen 5는 Samsung의 SF2를 사용할 것입니다. 마디. 현재로서는 시계가 알려지지 않았지만 SF2가 과장된 전부라면 TSMC에서 만든 형제와 일치하거나 심지어 능가할 수도 있습니다.

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