IGBT란 어떤 전자부품인가요?

igbt는 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 전자 부품입니다. igbt는 바이폴라 트랜지스터와 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터로 구성된 복합 완전 제어형 전압 구동 전력 반도체 장치이며 높은 입력 임피던스와 낮은 전도율을 모두 갖습니다. 전압 강하와 압력 강하 모두 igbt 모듈은 에너지 절약, 편리한 설치 및 유지 관리, 안정적인 열 방출 특성을 가지고 있습니다.

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전자 부품이란 igbt

IGBT는 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 전자 부품입니다

IGBT(Insulated Gate Bipole Transistor), 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터는 (Bipole Junction Transistor, BJT) 바이폴라 복합 완전 제어 전압입니다. 3극관과 절연 게이트 전계효과 트랜지스터(Metal Oxide Semiconductor, MOS)와 금속산화물 반전계효과 트랜지스터(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)로 구성된 구동 전력 반도체 소자는 장점이 있다 파워 트랜지스터(Giant Transistor, GTR)의 높은 입력 임피던스와 낮은 전도 전압 강하. GTR 포화 전압은 감소하고 전류 전달 밀도는 크지만 구동 전류는 큽니다. MOSFET 구동 전력은 작고 스위칭 속도는 빠르지만 전도 전압 강하는 크고 전류 전달 밀도는 작습니다. IGBT는 위의 두 장치의 장점, 즉 낮은 구동 전력과 낮은 포화 전압을 결합합니다. AC 모터, 주파수 변환기, 스위칭 전원 공급 장치, 조명 회로, 트랙션 드라이브 및 기타 분야와 같이 DC 전압이 600V 이상인 변환기 시스템에 사용하기에 매우 적합합니다.

IGBT 모듈은 에너지 절약, 쉬운 설치 및 유지 관리, 안정적인 방열이라는 특성을 가지고 있습니다. 현재 시중에서 판매되는 대부분의 모듈형 제품은 이러한 모듈형 제품입니다. 일반적으로 IGBT는 발전과 함께 모듈형 제품을 의미합니다. 에너지 절약 및 환경 보호와 같은 개념으로 인해 이러한 유형의 모듈 제품은 시장에서 점점 더 보편화될 것입니다.

IGBT는 전력전자기기의 'CPU'로 통칭되는 에너지 변환 및 전송의 핵심장치로, 국가전략 신흥산업으로 철도운송, 스마트그리드, 항공우주, 전기자동차, 신에너지 분야에 널리 활용되고 있다. 장비 및 기타 분야.

구조는 다음과 같습니다.

왼쪽에 보이는 것은 N채널 강화형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 구조입니다. N+ 영역을 소스 영역이라 하고, 여기에 붙어 있는 전극을 소스(즉, 이미터) E). N 베이스를 드레인 영역이라고 합니다. 소자의 제어 영역이 게이트 영역이고, 여기에 부착된 전극을 게이트(즉, 게이트 G)라고 한다. 게이트 경계 근처에 채널이 형성됩니다. C극과 E극(이 영역에 채널이 형성됨) 사이의 P형 영역(P+ 및 P- 영역 포함)을 하위 채널 영역이라고 합니다. 드레인 영역 반대편의 P+ 영역은 드레인 주입 영역(Drain Injector)이라 불리며, 드레인 영역, 서브채널 영역과 함께 PNP 바이폴라 트랜지스터를 구성하여 기능하는 IGBT 고유의 영역입니다. 이미터로서 드레인은 정공을 주입하여 전도성 변조를 수행하여 장치의 온 상태 전압을 감소시킵니다. 드레인 주입 영역에 부착된 전극을 드레인(즉, 컬렉터 C)이라고 합니다.

IGBT의 스위칭 기능은 순방향 게이트 전압을 인가하여 채널을 형성하는 것인데, 이는 PNP(원래는 NPN) 트랜지스터에 베이스 전류를 제공하여 IGBT를 켜는 것입니다. 반대로 역방향 게이트 전압을 추가하면 채널이 제거되고 베이스 전류가 차단되며 IGBT가 꺼집니다. IGBT의 구동 방식은 기본적으로 MOSFET과 동일하며 입력 폴 N채널 MOSFET만 제어하면 되므로 높은 입력 임피던스 특성을 갖습니다. MOSFET 채널이 형성된 후 P+ 베이스에서 N- 층으로 정공(마이너 캐리어)이 주입되어 N- 층의 컨덕턴스를 변조하고 N- 층의 저항을 감소시켜 IGBT도 낮은 전압을 갖게 됩니다. 온 상태 전압에서의 성능.

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