cmp 장치는 무엇을 의미합니까?

cmp 장비는 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing)의 약자로 반도체 웨이퍼 표면 처리의 핵심 기술 중 하나로 현재 가장 널리 사용되는 반도체 재료 표면 평탄화 기술이다. 연마 헤드 웨이퍼의 연마면을 거친 연마 패드에 눌려 연마액 부식, 입자 마찰, 연마 패드 마찰 등의 결합을 통해 전역 평탄화를 달성합니다.

이 튜토리얼의 운영 환경: Windows 10 시스템, DELL G3 컴퓨터.

cmp 장비는 무슨 뜻인가요?

CMP(Chemical Mechanical Planarization) 장비의 정식 명칭은 CMP 장비는 반도체 웨이퍼 표면 처리의 핵심 장비 중 하나로 현재 가장 보편적으로 사용되는 반도체 소재 표면 평탄화 기술입니다.

CMP는 Chemical Mechanical Polishing의 약자로, 반도체 웨이퍼 표면 처리의 핵심 기술 중 하나입니다. 화학기계적 연마 기술은 단결정 실리콘 웨이퍼 제조 공정 및 전반 공정에서 많이 사용된다. 이전에 일반적으로 사용된 기계적 연마에 비해 화학적 기계적 연마는 실리콘 웨이퍼의 표면을 더 평탄하게 만들 수 있고 가공 비용이 저렴하고 가공 방법이 간단한 장점이 있어 반도체 재료의 가장 일반적인 표면 평활화 기술이 되었습니다.

현재 집적 회로 부품은 일반적으로 다층 3차원 배선을 사용하므로 집적 회로 제조의 프런트엔드 공정에는 다층 순환이 필요합니다. 이 과정에서 CMP 공정을 통해 웨이퍼 표면을 평탄화해야 합니다. 집적회로 제조는 CMP 장비의 주요 응용 시나리오로, 필름 증착 후와 포토리소그래피 전에 반복적으로 사용됩니다.

CMP 장비는 웨이퍼를 평탄화하는 유일한 방법입니다. 작업 공정은 연마 헤드가 연마할 웨이퍼의 표면을 거친 연마 패드에 대고 누르고 연마 액체 부식, 입자 마찰, 연마를 통해 이를 달성하는 것입니다. 패드 마찰 및 기타 커플 링. 연마 디스크는 연마 패드를 회전시켜 회전시키고, 고급 끝점 감지 시스템은 다양한 재료와 두께를 문질러 과도한 연마를 방지하기 위해 3~10nm의 해상도로 실시간 두께 측정을 달성합니다. 더욱 중요한 기술은 제한된 공간에서 웨이퍼 주변의 여러 환형 영역에 초정밀하고 제어 가능한 단방향 압력을 가할 수 있는 연마 헤드에 있습니다. 연마 디스크는 압력을 조정하여 웨이퍼의 연마 모양을 제어하여 연마된 웨이퍼 표면이 초고평탄도에 도달하고 표면 거칠기가 사람 머리카락의 10만분의 1에 해당하는 0.5nm 미만이 되도록 합니다.

CMP 장비는 포토리소그래피 장비, 에칭 장비 등 반도체 장비와 달리 무어의 법칙에 영향을 덜 받습니다. 28nm, 14nm에 적용되는 CMP 장비는 오랫동안 기술 반복 주기가 없습니다. 차이점은 특정 모듈 기술의 최적화뿐입니다. 그러나 CMP 공정이 14nm에서 7nm, 5nm, 3nm 고급 공정으로 계속 발전함에 따라 CMP 기술은 세련된 연마 헤드 분할, 지능형 공정 제어 및 세척 장치의 다중 에너지 결합 방향으로 계속 발전할 것입니다.

특허는 개척자에게는 축복이고 후세에게는 '저주'입니다. 2013년 이후 CMP 특허 출원 건수는 완만한 증가세를 보인 반면, Post CMP 세정 특허 출원 건수는 감소세를 보이고 있다. 글로벌 CMP 특허 출원 건수는 현재 안정적인 수준을 유지하고 있는데, 이는 현재 글로벌 CMP 기술에 큰 기술 혁신이 없으며 후발 기업이 따라잡으려면 강력한 특허 장벽에 직면해야 한다는 점을 반영합니다.

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