삼성전자는 2030년 1000단 이상의 낸드 기술이 출시될 것으로 내다봤다.

6월 30일자 뉴스, 한국 언론에 따르면 일렉은 최근 삼성전자 스토리지 사업부 임원들이 2023년 전자공학회 하계학술대회에 참석해 참석자들에게 삼성 V-NAND 기술의 최신 개발 현황을 공개했다고 보도했다. 삼성 경영진에 따르면 2030년까지 V낸드 기술을 1000단 이상 쌓을 계획이다.

삼성은 2013년 24단 V-NAND 기술을 처음 출시한 이후 10년 간의 개발 끝에 기술을 200단 이상으로 확장하는 데 성공했습니다. 이는 삼성이 한국의 기술과 생태계를 창출하는 중요한 성과가 되었으며 NAND 기술의 역사를 이어가는 것입니다.

삼성 경영진은 V-NAND 기술 경쟁이 1,000단을 넘어 계속될 것이라고 말하면서 이 목표를 달성하는 데 직면한 어려움에 주목했습니다. 붕괴, 휘어짐, 파손 등의 요소를 고려해야 하는 초고층 건물을 짓는 것과 마찬가지로 안정성 문제에 직면하게 됩니다. 이 밖에도 연결 홀 처리 기술, 배터리 간섭 최소화, 층 높이 단축, 층당 저장 용량 확대 등의 문제도 해결해야 한다.

편집자의 이해에 따르면 삼성 스토리지 사업부 임원들은 회의에서 V-NAND 기술의 중요성과 잠재력을 강조했습니다. V-NAND 기술은 NAND의 발전 과정을 이어갈 뿐만 아니라, 대한민국 국가 창조 기술과 생태계의 성공적인 사례 중 하나가 될 것이라고 말했습니다.

삼성의 스토리지 사업은 지속적인 혁신과 혁신을 통해 NAND 기술 개발을 촉진하고 V-NAND 기술을 새로운 차원으로 끌어올리는 데 전념해 왔습니다. V-NAND 기술이 더욱 발전함에 따라 앞으로도 스토리지 용량과 성능이 더욱 향상될 것으로 기대되며, 이는 다양한 산업의 발전과 혁신에 긍정적인 영향을 미칠 것입니다.

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