차세대 메모리 기술의 탄생: 삼성, 용량을 두 배로 늘린 32Gb DDR5 DRAM 개발

9월 1일자 뉴스에 따르면, 삼성전자는 오늘 12나노미터(nm) 공정 기술을 기반으로 한 32Gb DDR5 개발에 획기적인 진전을 이루었다고 발표했습니다. DRAM 메모리 모듈은 미래의 데이터 처리 및 저장 분야에 새로운 활력을 불어넣었습니다. 이 획기적인 기술은 인공지능과 빅데이터 애플리케이션에서 증가하는 고용량 DRAM 메모리 수요를 충족시킬 것으로 기대됩니다.

이 새로운 32Gb DDR5 DRAM 메모리 모듈의 출시는 용량이 크게 증가할 뿐만 아니라 에너지 활용도가 더 효율적이라는 것을 의미합니다. 새로 개발된 32Gb 메모리 입자를 통해 TSV(Through Silicon Via) 공정을 사용하지 않고도 128GB 메모리 모듈을 생산할 수 있습니다. 이번 신제품은 16Gb 메모리 입자 기반의 기존 128GB 메모리 모듈과 비교해 전력 소모를 약 10% 줄였다. 이러한 기술 발전으로 인해 새로운 메모리 모듈은 데이터 센터와 같이 에너지 효율성을 중요하게 생각하는 기업이 선호하는 솔루션이 되었습니다. 삼성전자 메모리 사업부 메모리 개발 그룹 황상준 전무는 다음과 같이 말했습니다. 삼성전자는 12나노 규모의 32Gb DDR5 DRAM 메모리 모듈을 기반으로 고성능 컴퓨팅 및 IT 산업의 증가하는 요구를 충족하기 위해 대용량 메모리 제품 라인업을 지속적으로 확장해 나갈 것이라고 밝혔습니다. 삼성은 이 기술을 초석으로 삼아 데이터센터, 인공지능, 차세대 컴퓨팅 등 분야에서 더욱 강력한 12나노급 32Gb 메모리 솔루션을 고객에게 제공함으로써 미래 메모리 시장에서 선도적 입지를 더욱 공고히 할 예정이다

이번 혁신 12nm 32Gb DDR5 DRAM 메모리 모듈은 올해 말부터 대량 생산을 시작하여 업계에 더 큰 잠재력과 발전 기회를 가져올 것으로 예상됩니다. 삼성전자는 앞으로도 업계 핵심 파트너들과 긴밀히 협력해 기술 혁신 발전을 공동으로 촉진하고 디지털 시대의 요구에 강력하게 대응할 예정이다.

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