엔비디아는 삼성의 3nm GAA 공정을 테스트했으며 이르면 2025년 양산할 예정인 것으로 알려졌다.

휴대폰 칩 전문가 @手机 Chipmaster의 소식에 따르면 Nvidia가 3nm GAA 공정과 관련하여 삼성과 접촉한 것으로 알려졌습니다. 모든 것이 순조롭게 진행된다면 양산은 2025년부터 시작될 것으로 예상됩니다

Hardwaretimes는 이전에 차세대 Nvidia 플래그십 그래픽 카드 RTX 5090이 3nm 공정을 사용할 것이며 연말에 출시될 것으로 예상된다고 보도했습니다. 내년.

NVIDIA RTX 40 시리즈 그래픽 카드의 코드명은 Ada Lovelace이고 차세대 RTX 그래픽 카드의 코드명은 Blackwell입니다. 트랜지스터 수는 150억 개를 초과하고 밀도는 3억/mm²에 가까울 것이며 코어 클럭은 3억개/mm²에 가까울 것입니다. 3Ghz를 초과하면 버스 밀도는 512비트에 도달합니다. 앞서 외신 클럽 386이 유출한 소식에 따르면,

GB102 기반의 RTX 5090은 144개의 SM 유닛 그룹을 포함하고 있는데, 이는 18432 CUDA(SM의 각 그룹은 여전히 ​​128 CUDA라고 가정), 12.5% ​​더 많은 수치이다. RTX 4090보다, 96MB 레벨 2 캐시, GDDR7 비디오 메모리(384비트 폭)와 일치하며 PCIe 5.0 x16

을 지원합니다. MSI는 이전에 타이페이 컴퓨텍스 컴퓨터 쇼에서 차세대 NVIDIA RTX 플래그십 그래픽 카드의 방열 설계를 시연했습니다.

사진에서 볼 수 있듯이 MSI는

Dynamic Bimetallic Fin(Dynamic Bimetallic Fin)을 사용했으며, 6개부터 순동 히트파이프와 대형 구리 핀도 알루미늄 핀에 내장되어 열 방출을 더욱 강화하고 비디오 메모리 영역에도 해당 구리 플레이크가 있습니다. 이는 차세대 그래픽 카드가 열에 중점을 두고 설계될 것임을 보여줍니다. 소산.

▲ 사진 출처 클럽 386

▲ 사진 출처 클럽 386현재 공개된 정보와 해당 방열 조건을 바탕으로 전력 소비량과 발열량을 예상할 수 있다. RTX 5090은 사람들에게 깊은 인상을 남길 것입니다

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