업그레이드 대결: 마이크론 HBM3E와 SK하이닉스 HBM3E가 고성능 메모리 분야에서 경쟁한다

9월 28일 뉴스, 기술 산업이 계속 발전함에 따라 고성능 메모리 경쟁도 치열해지고 있습니다. 최신 뉴스에 따르면 마이크론 테크놀로지(Micron Technology는 SK 하이닉스의 HBM3E 메모리와 경쟁할 새로운 HBM3E 메모리를 공식 출시했습니다. 두 회사 모두 고성능 컴퓨팅 및 그래픽 처리 요구 사항을 충족하는 고대역폭 메모리 솔루션을 제공하기 위해 최선을 다하고 있습니다.

마이크론의 HBM3E 메모리는 SK하이닉스 제품과 맞먹는 초당 1.2TB의 전송 속도를 달성할 수 있다고 주장합니다. HBM(고대역폭 메모리 수직 연결 기술은 데이터 처리 분야에서 큰 잠재력을 보여주었습니다. 이 기술을 적용하면 데이터 전송 속도를 크게 높일 수 있으며 이는 대규모 데이터 처리가 필요한 애플리케이션에 매우 중요합니다.

Micron의 HBM3E 메모리는 8레이어 레이아웃을 채택했으며 각 스택의 용량은 24GB에 이릅니다. 동시에 고급 1β 기술도 사용하는데, 이는 제조 공정이 더욱 발전되어 더 높은 성능과 효율성을 제공할 것으로 예상된다는 의미입니다. 이 제품은 엔비디아 등 고객들에게 샘플 배송을 시작했으며, 내년부터 주문이 들어올 것으로 예상된다

또한 마이크론은 HBM3E 메모리의 경쟁력 중 하나가 저렴한 가격이라고 강조했다. 이는 제조업체와 최종 사용자에게 더 많은 선택권을 제공하고 제품의 제조 비용을 줄이거나 최종 제품의 가격을 낮추게 될 것입니다

Micron은 HBM3E 메모리에 대한 상용 출하 계획을 곧 시작할 예정이므로 제품 인증을 적극적으로 모색하고 있습니다. NVIDIA와 같은 파트너의 요구 사항을 충족하세요. 이번 대회는 메모리 시장의 혁신과 발전을 촉진하고 소비자에게 더 많은 고성능 메모리 선택권을 제공할 것입니다

편집자의 이해에 따르면 HBM3E 메모리는 HBM 메모리의 5세대 확장 버전으로 최신 메모리 기술을 대표합니다. 다양한 분야의 고성능 애플리케이션을 더욱 강력하게 지원하겠습니다. 앞으로는 시장에서 이 두 메모리 제품 간의 경쟁이 더욱 치열해지면서 기술 산업에 더 많은 혁신과 발전이 이루어질 것으로 예상됩니다.

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